N kinds (N≥3) of the short-length ladders in which the side setting angles of a trapezoid are different from each other are used.例文帳に追加

短尺タラップとして、台形の側辺挟み角が互いに異なるＮ種類（Ｎ≧３）のものを用いる。 - 特許庁

When the differential value becomes larger than a concentration high threshold value, a concentration high signal is generated, a flap 34 is closed, and then the base value B(n) is calculated by an expression (4): B(n)=B(n-1)+k3[S(n)-B(n-1)]-k4[S(n)-S(n-5)].例文帳に追加

差分値が濃度高しきい値よりも大きくなると、濃度高信号を発生し、フラップ３４を閉じ、以降、ベース値B(n)を式(4)：B(n)＝B(n-1)＋k3[S(n)−B(n-1)]−k4[S(n)−S(n-5)]によって算出する。 - 特許庁

To provide a device for ion trap mass spectrometry capable of improving the sensitivity of MS^n analysis of an ion trap mass spectrometry device.例文帳に追加

イオントラップ質量分析装置のＭＳ^ｎ分析の感度を向上可能なイオントラップ質量分析装置を実現する。 - 特許庁

Therefore, after the wrap is wound and is shrunk, it is caught by the face N making it difficult for the wrap to come off from the pallet.例文帳に追加

従って、巻回した後にラップが収縮すると、ラップは、梨地面Ｎに係止されるので、パレットから外れ難い。 - 特許庁

The drawing load of the wrap film used for the present invention is assumed to be 0.09-1.5 N/mm.例文帳に追加

本発明に使用するラップフィルムの引出し荷重は、０．０９〜１．５Ｎ／ｍｍとする。 - 特許庁

The liquiddrops L on the topside of a plate fall onto a trap plate on the lower stage, passing through a liquiddrop dropping hole 142, and the liquiddrops on the downside of the plate fall onto the trap plate on the lower stage along the inwall of a cover, on the trap plates 140 (2) to 140(n) on each stage excluding the lowermost stage.例文帳に追加

最下段以外の各段トラップ板１４０（2）〜１４０（n）で、板上面側の液滴Ｌは液滴落とし穴１４２を通り下段トラップ板に落下し、板下面側の液滴はカバーの内壁伝いに下段のトラップ板に落下する。 - 特許庁

Edge part of the deep N well touches the bottom part of the N well to form an overlap region 24 where charge carriers are not depleted and the N well can be connected electrically with the deep N well or where charge carriers are depleted and the N well can be separated electrically from the deep N well.例文帳に追加

深いＮウェルの縁部は、Ｎウェルの底部と接触してオーバーラップ領域２４を形成するが、このオーバーラップ領域において、電荷担体を空乏化させず、それによって深いＮウェルにＮウェルを電気的に接続することも、電荷担体を空乏化させ、それによって深いＮウェルからＮウェルを電気的に分離することもできる。 - 特許庁

A nozzle selected according to a displacing quantity of the arranged positions of chips (N), (N+1) among nozzles located in a connecting portion of the chips (N), (N+1) is used as the nozzle for overlapping, thereby the image corresponding to the connecting portion of the chips (N), (N+1) is recorded.例文帳に追加

チップ（Ｎ），（Ｎ＋１）のつなぎ部分に位置するノズルの中から、チップ（Ｎ），（Ｎ＋１）の配列位置のずれ量に応じて選定されたノズルをオーバーラップするノズルとして用いて、チップ（Ｎ），（Ｎ＋１）のつなぎ部分に対応する画像を記録する。 - 特許庁

An inkjet recording device is configured to use nozzles selected from nozzles positioned in a connection part of chips (N), (N+1) according to an amount of displacement between alignment positions of the chips (N), (N+1), as nozzles overlapping each other to record an image corresponding to the connection part of the chips (N), (N+1).例文帳に追加

チップ（Ｎ），（Ｎ＋１）のつなぎ部分に位置するノズルの中から、チップ（Ｎ），（Ｎ＋１）の配列位置のずれ量に応じて選定されたノズルをオーバーラップするノズルとして用いて、チップ（Ｎ），（Ｎ＋１）のつなぎ部分に対応する画像を記録する。 - 特許庁

The number of the trap release heaters T is n×m pieces or less, wherein, the trap release heaters T are connected so that combinations of the high potential side power supply terminals and the low potential side power supply terminals to which the respective trap release heaters T are connected are all different from each other.例文帳に追加

トラップ解除ヒータＴの数は、ｎ×ｍ個以下であり、各々のトラップ解除ヒータが接続される高電位側電源端子と低電位側電源端子との組合せが、各トラップ解除ヒータＴ毎にすべて異なるように接続されている。 - 特許庁

A short rubber string is attached to the front top center of a wrap box which is provided with a base board formed to hold the center core of a wrap, a base board folded in an N-shape to hold the side face of the box, a rotary pipe supporting the pull out of the wrap, etc.例文帳に追加

ラップの心棒を保持できるように形成された基板と、箱の側面を挟むようにＮ字方に折りたたんだ基板、並びにラップの引き出しをサポートする、回転パイプ等を取り付けたラップの箱に、更に前面上部中央に短いゴム紐を貼付する。 - 特許庁

Disclosed is the portable electronic equipment 1 provided with the strap attaching part T for locking a strap S1 on the housing 8, wherein the strap attaching part T comprises a female screw member N arranged so that a female screw and a through-hole H2 formed on a periphery side surface may be exposed from a surface of the housing 8.例文帳に追加

筐体８にストラップＳ１を係止するストラップ取付部Ｔが設けられた携帯電子機器１であって、ストラップ取付部Ｔは、雌ネジ部及び周側面に形成した貫通孔Ｈ２が筐体８の表面から露出するように配置された雌ネジ部材Ｎからなる。 - 特許庁

A device for performing N-arization comprises output means that outputs an N-arization result generated by using first and third N-arization results, with regard to regions overlapping each other, when outputting the N-arization result after performing the N-arization in a first region having the regions overlapping each other and a second region continuing into the first region.例文帳に追加

互いにオーバーラップした領域を有する第１の領域と、当該第１の領域に引き続く第２の領域においてＮ値化を行い、Ｎ値化結果を出力するにあたり、前記オーバーラップした領域については、前記第１のＮ値化結果と前記第３のＮ値化結果を用いて生成したＮ値化結果を出力する出力手段とを有することを特徴とする装置。 - 特許庁

At the time of MS^n analysis, the ions are trapped in the ion trap once, and the ions discharged after mass separation by the ion trap are detected by the second detection part 31.例文帳に追加

ＭＳ^ｎ分析の際にはイオントラップに一旦イオンを捕捉し、イオントラップで質量分離して吐き出したイオンを第２検出部３１で検出する。 - 特許庁

The information processing apparatus transmits the integrated trap door in which the trap doors for n generations are integrated, thereby a communication amount with the server device is reduced.例文帳に追加

情報処理装置はｎ世代分のトラップドアを集約した集約トラップドアを送信するので、サーバ装置との間の通信量を削減できる。 - 特許庁

After the pasted part N is formed by applying paste on the flap part 13 excluding its top and bottom ends, another sheet comprising the content of a booklet is inserted and an inside binding section T is folded.例文帳に追加

そして、裏面に位置する糊塗布部Ｎが、第１の紙片１１の表面側に位置するようにフラップ部１３を折り畳み、フラップ部１３の裏面と第１の紙片１１の表面を接着する。 - 特許庁

In the packaging form according to the present invention, a paper tube 3 with the outer diameter having a length of 70-95% of the inner diameter of a center hole 2 and with pressure strength of 10-150 N is inserted into the center hole 2 of the wrap film 4 wound up into a roll without a core.例文帳に追加

本発明のラップフィルムの包装態は、芯の無いロール状に巻回されたラップフィルム４の中心孔２に、外径が、中心孔２の内径の７０〜９５％、耐圧強度が、１０〜１５０Ｎの紙管３を挿入する。 - 特許庁

As a result, a charge capture rate η(=Nα) proportioned to the charge trap density of the charge trap density N can be effectively calculated at a region where the effect of a change in a potential due to the injected charge can be ignored.例文帳に追加

これにより、注入電荷によるポテンシャル変化の影響を無視できる領域で、電荷トラップ密度に比例した電荷捕獲率η（＝Ｎσ）または電荷トラップ密度Ｎを有効に算出することができる。 - 特許庁

In particular, the bandwidth of the monitor may be increased N-fold by utilizing a plurality of N gratings (assuming no overlap in wavelength between gratings).例文帳に追加

特に、複数のＮ個のグレーティングを使用することにより、モニタの帯域幅は、（グレーティング間の波長のオーバラップがないと仮定して）増大されたＮフォールド（N-fold）でありうる。 - 特許庁

The electrodes 74 form N pieces of overlapped image patterns displaying a plurality of predetermined images.例文帳に追加

電極７４は、複数の予め定められたイメージを表示するＮ個のオーバラップしたイメージパターンを形成する。 - 特許庁

A silicide layer 23 is formed on the gate electrodes 17, 18, the n-type diffusion regions 20a, 20b and the strap units 22, 26.例文帳に追加

ゲート電極１７，１８、ｎ型拡散領域２０ａ，２０ｂ及びストラップ部２２，２６の上面にシリサイド層２３が形成されている。 - 特許庁

A ground line 14 formed of the upper layer of metal is arranged by overlapping on an n-channel type MOS transistor group 12 in the same way.例文帳に追加

Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタ群１２上にも同様に上層のメタルで形成された接地ライン１４がオーバーラップして配置される。 - 特許庁

Because of this, when a wrap is wound with the pallet and an item, it is wound to cover the face N.例文帳に追加

そのため、ラップは、パレットと物品とともに巻回する際には、梨地面Ｎを覆うように巻回される。 - 特許庁

If the difference value D(n) becomes larger than a first threshold value Tu, a concentration high signal is generated to close a flap 34.例文帳に追加

差分値Ｄ（ｎ）が第１しきい値Ｔｕよりも大きくなると、濃度高信号を発生してフラップ３４を閉める。 - 特許庁

Carriers which are generated by light irradiation from the photodiodes DR, DCI are trapped by the deep N+ region 20.例文帳に追加

ディープｎ^+ 領域２０によりフォトダイオードＤR ，ＤC1での光照射に伴い発生するキャリアがトラップされる。 - 特許庁

The case main body 10 is provided with a strap 14 by which carrying of the internal observing device N is facilitated on the shoulder.例文帳に追加

ケース本体１０には内部観察装置Ｎを肩に掛けたりして、持ち運びし易くするためのストラップ１４が設けてある。 - 特許庁

The light-emitting layer of a light-emitting diode, which is represented by a general expression InxGa1-xN (0<x<1) is doped with other V-group atoms as an isoelectron trap formation element substituting for an N atom.例文帳に追加

一般式In_xGa_1-xN（0＜x＜1）で表される発光層を有する発光ダイオードの該発光層に、N原子に置き換わるべき等電子トラップ形成元素として他のＶ族原子をドープする。 - 特許庁

In result, the charges transferred from the N^- photodiode impurity zone 10 to the N^+ floating difusion impurity zone 9 are hardly trapped in the recess of the potential barrier.例文帳に追加

その結果、Ｎ^−型フォトダイオード不純物領域１０からＮ^＋型フローティングディフュージョン不純物領域９に転送される電荷が電位障壁や電位の窪みにおいてトラップされ難くなる。 - 特許庁

A bit line contact 51 is formed on the surface of an n-type diffusion layer 36, and an n-type diffusion layer 27 is connected to a storage node electrode 22 through a buried strap 41 and a polysilicon electrode 22A.例文帳に追加

ｎ型拡散層３６の表面にはビット線コンタクト５１が形成され、ｎ型拡散層２７は、埋め込みストラップ４１、及びポリシリコン電極２２Ａを介してストレージノード電極２２に接続されている。 - 特許庁

The DFT circuit may use (n-m) point overlap and the channelizer (224) may further include a polyphase filter (206) implementing n/m oversampling coupled between the resampling filter and the DFT circuit.例文帳に追加

ＤＦＴ回路は、（ｎ−ｍ）ポイント・オーバーラップを用い、チャネライザ（２２４）は、リサンプリング・フィルタとＤＦＴ回路との間に結合された、ｎ／ｍオーバーサンプリングを実行するポリフェーズ・フィルタ（２０６）を備える。 - 特許庁

In the high-speed cell 101, a sector (n) and a sector n+1 are arranged so that the traveling directions (departing or approaching) of the mobile in the cell coincide, and overlapping is provided for handover.例文帳に追加

高速セル１０１においては、セクタｎとセクタｎ＋１とがセル内の移動機の移動方向（遠ざかるか、近づくか）が一致するように配置され、ハンドオーバのためにオーバラップを設けている。 - 特許庁

When the impurity concentration in the crystal grains contained in the transistor is assumed N (m-3) and the trap concentration in the crystal grain boundaries is assumed Q (m-2), the width w (m) of the microscopic region is formed so that it is shown by the following formula: (N.w)/Q<; 0.1.例文帳に追加

結晶粒の不純物濃度をN(m^-3)、また、結晶粒界のトラップ濃度をQ(m^-2)とするとき、微小領域の幅w(m)が、次式で表わされるようにする。 - 特許庁

Sources and drains of the transistors Q are constituted of N+ type diffusion layers 31 which are diffused upward from the buried straps 23 to the P-type silicon layer 13 and an N+ type diffusion layer 32 on an upper surface of the P-type silicon layer 13.例文帳に追加

トランジスタＱのソース、ドレインは、埋め込みストラップ２３からｐ型シリコン層１３への上方拡散によるｎ^+型拡散層３１とｐ型シリコン層１３の上面のｎ^+型拡散層３２により構成する。 - 特許庁

Most of the liquiddrops, which have scattered from a washing nozzle 122 or the surface of a substrate G right below it, hit upon and adhere to some of trap plates 140(1) to 140(n) provided in multistage on the inwall of a nozzle cover 124.例文帳に追加

洗浄ノズル１２２やその直下の基板Ｇ表面から飛散した液滴の多くは、ノズルカバー１２４の内璧に多段に設けられたトラップ板１４０（1）〜１４０（n）の何れかに当り付着する。 - 特許庁

To provide a mass spectrometer using a digital ion trap which impresses a rectangular wave voltage on a ring electrode in order to form a high frequency electric field for ion trap, in which product ions of low mass generated at the time of MSn analysis can be captured and detected precisely.例文帳に追加

イオン捕捉用の高周波電場をイオントラップ内に形成するためにリング電極に矩形波電圧を印加するデジタルイオントラップを用いた質量分析装置において、ＭＳ^n分析の際に生成される低質量のプロダクトイオンを的確に捕捉し検出可能とする。 - 特許庁

A data base retrieval system 100 connected to the Internet N is equipped with a WWW server 110, a data base management system 120, a data base 130 to be retrieved, a scrap management block 140a, and a scrap storage area 150.例文帳に追加

インターネットＮに接続されているデータベース検索システム１００は、ＷＷＷサーバ１１０と、データベース管理システム１２０と、検索対象となるデータベース１３０と、スクラップ管理ブロック１４０ａと、スクラップ記憶領域１５０とを備える。 - 特許庁

To provide an optical trap probe near-field light microscope, capable of obtaining a high S/N ratio in a near-field light detection signal captured stably and detected by an optical trap probe, and to provide a near-field optical detection method.例文帳に追加

本発明は、光トラッププローブを安定的に捕捉でき、かつ検出される近接場光検出信号において高いＳ／Ｎを得ることを可能とする光トラッププローブ近接場光学顕微鏡装置及び近接場光検出方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The protection circuit 25 includes an n^- layer 26 laminated on a p^- layer 27, a p^+ base region 29 formed on an n^- layer, an n^+ collector region 33 etc. formed on the p+ base region, and an npn transistor 30 etc. which is formed on the n^- layer and is formed on an n+ emitter region 37 etc. overlapped with the p+ base region.例文帳に追加

保護回路２５は、ｐ^−層２７上に積層されたｎ^−層２６、ｎ^−層に形成されたｐ^＋ベース領域２９、ｐ^＋ベース領域に形成されたｎ^＋コレクタ領域３３等、及びｎ^−層に形成されｐ^＋ベース領域とオーバラップしたｎ^＋エミッタ領域３７等で形成されたｎｐｎトランジスタ３０等を含む。 - 特許庁

In a SiC pin diode 20, an n-type minority carrier elimination layer 31, which is formed between an n-type SiC substrate 21 and an n-type buffer layer 22, has a higher concentration of carbon hole defects than the n-type buffer layer 22, and a carbon hole defect of the minority carrier elimination layer 31 serves as a trap for holes from p-type anode layers 24 and 25.例文帳に追加

このＳｉＣ ｐｉｎダイオード２０では、ｎ型ＳｉＣ基板２１とｎ型バッファ層２２との間に形成したｎ型少数キャリア消滅層３１は、ｎ型バッファ層２２よりも炭素空孔欠陥の濃度が高く、少数キャリア消滅層３１の炭素空孔欠陥はｐ型のアノード層２４,２５からの正孔のトラップとして働く。 - 特許庁

The semiconductor device includes a trap layer 13 which has a plurality of quantum dots (quantum boxes) 13a of i-InAs and which is formed between a buffer layer 12 of i-InAlAss and an n-type barrier layer 15 of n- InAlAs.例文帳に追加

ｉ−ＩｎＡｌＡｓからなるバッファ層１２とｎ−ＩｎＡｌＡｓからなるｎ型障壁層１５との間に形成された、ｉ−ＩｎＡｓからなる複数の量子ドット（量子箱）１３ａにより構成されるトラップ層１３を有している。 - 特許庁

On the semiconductor substrate 1 between N^+ layers 2, a gate insulating film 3, a floating gate electrode film 4, an interlayer gate insulating film 5, a control gate electrode film 6, and a metal silicide film 7 are laminated so as to overlap the N^+ layers 2.例文帳に追加

Ｎ^＋層２の間の半導体基板１上には、Ｎ^＋層２とオーバーラップするようにゲート絶縁膜３、フローティングゲート電極膜４、層間ゲート絶縁膜５、コントロールゲート電極膜６、及び金属シリサイド膜７が積層形成される。 - 特許庁

The resin composition comprises N-oxyls, and a synthetic resin such as a vinyl ester resin, a urethane (meth)acrylate resin, an unsaturated polyester resin, a polyester (meth)acrylate resin and acrylic syrup.例文帳に追加

Ｎ−オキシル類と、ビニルエステル樹脂、ウレタン（メタ）アクリレート樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリエステル（メタ）アクリレート樹脂、アクリルシラップ等の合成樹脂とを含む樹脂組成物。 - 特許庁

To detect dissociation ions (fragment ions) in the range of a low-mass number region, produced by collision-induced dissociation, in three times or more of MS^n analyses that is a feature of an ion trap.例文帳に追加

本発明は、イオントラップの特徴である３回以上のＭＳ^ｎ分析において、衝突誘起解離で生成する低質量数域の解離イオン（フラグメントイオン）を検出することを目的とする。 - 特許庁

A diode D3 and a capacitor C3 constitute a bootstrap section for turning an N channel transistor Q5 on/off at high speed as a high side power supply.例文帳に追加

ダイオードＤ３とキャパシタＣ３によりブートストラップ部を構成し、ハイサイド用電源としてＮチャネルトランジスタＱ５を高速にオン・オフさせる。 - 特許庁