リアクティブイオンエッチングの英語

露光後、レジストパターン１５が形成されると、フォトレジスト原盤の全面に対して、レジストパターンにより露出した部分にリアクティブイオンエッチングを行い、パターン１７を形成する。例文帳に追加

When a resist pattern 15 is formed after the exposure, reactive ion etching is carried out to a part exposed by the resist pattern to the whole surface of a photoresist master set to form a pattern 17. - 特許庁

屈折率１．４４４のＳｉ０_２基板１０上にマスク１２，１４を配置し、リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）法により基板１０をエッチングする（ａ）。例文帳に追加

Masks 12, 14 are arranged on an SiO2 substrate 10, having a refractive index of 1.444, the substrate 10 is etched reactive ion etching(RIE) method (a). - 特許庁

電極をクリーニングする際、大気開放せずに電極及び電極周辺の隔壁を自動クリーニングするリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）装置のクリーニング方法およびリアクティブエッチング装置の提供。例文帳に追加

To provide a cleaning method of a reactive ion etching (RIE) device and the reactive etching device, whereby electrodes and the barrier plates in the vicinity of electrodes can be automatically cleaned without exposing them to the atmosphere when cleaning the electrodes. - 特許庁

そして、ＲＩＥ（リアクティブイオンエッチング）法により水晶ウェハ１をドライエッチングすると、水晶素子片１ａの端面に略断面テーパー形状が形成される。例文帳に追加

Then the application of dry etching to a crystal wafer 1 by an RIE (reactive ion etching) method to form nearly a cross-sectional tapered shape on the end face of the crystal element chip 1a. - 特許庁

現像後、原盤の表面に残存したレジストをマスクとして、原盤表面をリアクティブイオンエッチングを行い、情報記録媒体用原盤を作製する。例文帳に追加

After development, with the resist remaining on the surface of the master disk set as a mask, the surface of the master disk is subjected to reactive ion etching to manufacture a master disk for an information recording medium. - 特許庁

プラズマ洗浄処理のレシピ設定をする際には、パソコン１５により、プラズマエッチング（ＰＥ）方式かリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）方式かのどちらであるかを判定し、ＲＩＥ方式であればプラズマ処理制限を内部メモリから読み込む。例文帳に追加

When the recipe of plasma cleaning treatment is set, a decision is made whether the recipe is for the plasma etching (PE) system or the reactive ion etching (RIE) system by means of a personal computer 15, and the limitation of plasma treatment is read from an internal memory if the recipe is for the RIE system. - 特許庁

半導体Ｓｉウエハ１１のパターン形成側全面に、シート１６を貼り付けた後、半導体Ｓｉウエハ１１の非パターン形成側（裏面側）に対して、リアクティブイオンエッチングを行って形成した段差１５の底面までケミカルエッチングを行う。例文帳に追加

After a sheet 16 is stuck to the whole surface of a semiconductor Si wafer 11 on the pattern forming side, chemical etching is performed to the no-pattern forming side (rear surface side) of the Si wafer 11 to the bottom face of a step 15 formed by performing reactive ion etching. - 特許庁

少なくともポリエステル樹脂とポリアミド樹脂からなる共押出し延伸フィルム基材の片面に、リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）法によるプラズマ処理を施し、該プラズマ処理面上に無機化合物の蒸着膜層を設けたことを特徴とする蒸着フィルムである。例文帳に追加

In the vapor deposition film, plasma treatment by a reactive ion etching (RIE) method is applied to one side of a coextrusion stretched film base material made of at least a polyester resin and a polyamide resin, and a vapor deposition film layer of an inorganic compound is formed on the plasma-treated surface. - 特許庁