リプレースメントの英語

リプレースメントデータメモリ装置、中央演算装置及びリプレースメントデータ処理方法例文帳に追加

REPLACEMENT DATA MEMORY DEVICE, CENTRAL PROCESSING UNIT AND REPLACEMENT DATA PROCESSING METHOD - 特許庁

リプレースメントゲート構造と通常のトランジスタのゲート構造とを備えた半導体装置において、リプレースメントゲート構造形成時の電極除去残りによる配線短絡を防止する。例文帳に追加

To prevent a short circuit of wiring due to electrode elimination residue when a replacement gate structure is formed, in a semiconductor device provided with the replacement gate structure and a gate structure of an ordinary transistor. - 特許庁

判定の結果，スレッド共有または自スレッド占有のウェイからリプレースメント先を選択してメモリからデータ転送を行う。例文帳に追加

As a result of the decision, a replacement destination is selected from a way of thread sharing or self-thread occupancy, and data transfer is performed a memory. - 特許庁

データ移動後、ディスクキャッシュ上の欠陥セクタをスリッピング・リプレースメント法により代替処理する。例文帳に追加

After the data are moved, a defective sector on a disk cache is subjected to substitution processing by a slipping replacement method. - 特許庁

アモルファスシリコン１２１からなる通常のトランジスタ構造のゲート電極高さを、タンタル窒化膜１４２からなるリプレースメントゲート構造のゲート電極高さよりも低くする。例文帳に追加

The height of a gate electrode of ordinary transistor structure composed of amorphous silicon 121 is made lower than the height of a gate electrode of the replacement structure composed of tantalum oxynitride film 142. - 特許庁

これにより、リプレースメントゲート構造形成時の研磨を過剰に行うことができるので、ゲート電極部分以外の電極材料を完全に除去することができ、ゲート電極同士の短絡を防止できる。例文帳に追加

Thereby excessive polishing is enabled when the replacement gate structure is formed, and electrode material except a gate electrode part can be eliminated completely, so that the short circuit between gate electrodes can be prevented. - 特許庁

本発明では、ＬＳＮ固定のファイル管理情報が記録されるファイル管理領域に隣接して、リニアリプレースメント用代替セクタ領域を配置する。例文帳に追加

Adjacent to a file management area where LSN fixed file management information is recorded, a substitution sector area for linear placement is arranged. - 特許庁