ロックワードの英語

この構成によれば、前記昇圧電圧から前記ブロックワード信号への漏洩電流が格段に減少して、全体的な消耗電流が減少する。例文帳に追加

Thus, a leakage current from a boost voltage to a block word signal is significantly decreased to reduce overall current consumption. - 特許庁

また、ＶＰＰ電圧を従来に比べて低く設定しても、セルフブーストを通じて従来のようなブロックワードライン信号の電圧レベルが得られる。例文帳に追加

In addition, even if a VPP voltage is set lower than in the conventional practice, a voltage level of a block wordline as in the conventional practice can be obtained through a self-boosting. - 特許庁

そして、複数のワード線を駆動する第一の回路ブロック（ワードドライバ群ＷＤＢＫ）は、第一乃至第二のゲート線を駆動する第二の回路ブロック（相変化型チェインセル制御回路ＰＣＣＣＴＬ）と、複数のメモリセル群（メモリセルアレーＭＡ）との間に配置される。例文帳に追加

A first circuit block (word driver group, WDBK) which drives the plurality of word lines is disposed between a second circuit block (phase change type chain cell control circuit, PCCCTL) which drives the first or the second gate lines and the plurality of memory cell groups (memory cell array, MA). - 特許庁

一つのブロックワードラインを共有する複数のメモリブロックを含む不揮発性データ貯蔵装置のプログラム方法は、前記複数のメモリブロックを選択する段階と、前記複数のメモリブロックの中でプログラムが実行されるメモリブロックの選択されたワードラインにプログラム電圧を印加する段階と、前記複数のメモリブロックの中のプログラムが禁止されるメモリブロックのワードラインにバイポーラ禁止電圧を印加する段階とを含む。例文帳に追加

A programming method of the nonvolatile data storage device including a plurality of memory blocks sharing one block word line includes the steps of: selecting the plurality of memory blocks, applying program voltage to a selected word line of a memory block in which the program is executed among the plurality of memory blocks, and applying bipolar-prohibited voltage to a word line of a memory block in which a program in the plurality of memory blocks is prohibited. - 特許庁