不純物原子の英語

ｎ型不純物半導体層と、その上に形成されたｐ型不純物半導体層とを備えた光電変換素子を作製するにあたって、ｎ型不純物半導体層に、相対的に小さな原子半径を有する第１のｎ型不純物と、相対的に大きな原子半径を有する第２のｎ型不純物とを含有させる。例文帳に追加

At the time of manufacturing a photoelectric conversion element provided with a semiconductor layer containing n-type impurities and a semiconductor layer containing p-type impurities formed thereon, the semiconductor layer containing n-type impurities is made to contain a first n-type impurity having a relatively small atomic radius and a second n-type impurity having a relatively large atomic radius. - 特許庁

（ｂ）次にイオン注入法で不純物原子をシリコン薄膜に注入する。例文帳に追加

(b) Impurity atoms are then doped into the silicon thin film by an ion implanting method. - 特許庁

こうして、ｐ型クラッド層２５の不純物原子のドープ量を多くしてキャリア濃度を高くする。例文帳に追加

this causes the amount of impurity atoms in the p-type clad layer 25 to be increased, making the carrier concentration high. - 特許庁

沸騰水型原子力発電プラントとイオン交換樹脂劣化高分子不純物測定方法例文帳に追加

BOILING WATER TYPE NUCLEAR POWER GENERATION PLANT, AND METHOD FOR MEASURING POLYMER IMPURITY OF DEGRADED ION EXCHANGE RESIN - 特許庁

原子炉蒸気発生機内の粒状不純物除去用の重力式沈降床例文帳に追加

GRAVITATIONAL SETTLING BED FOR REMOVAL OF PARTICULATE IMPURITIES IN NUCLEAR STEAM GENERATOR - 特許庁

低温緩衝層１０２に添加する不純物をリンより原子半径を大とする元素とする。例文帳に追加

An element having a larger atomic radius than phosphorus has is used as the impurity added to the low-temperature buffer layer 102. - 特許庁

Ｚｎ１〜４原子％と、Ｙ１〜４．５原子％と、Ｚｒ０．１〜０．５原子％とを含み、残部がＭｇと不可避の不純物とからなる。例文帳に追加

Alternatively the magnesium alloy has a composition comprising 1 to 4% Zn, 1 to 4.5% Y and 0.1 to 0.5% Zr, and the balance Mg with inevitable impurities. - 特許庁

基板１表面から５〜１０ｎｍの深さに不純物原子濃度のピークを有する不純物原子のイオン注入層２を形成し、再結晶化熱処理によりイオン注入層２を再結晶化させる。例文帳に追加

An ion implantation layer 2 having impurity atoms which have peaks of impurity atom concentrations at a depth of 5-10 nm from the surface of a substrate 1 is formed, and the ion implantation layer 2 is recrystallized by recrystallization annealing. - 特許庁