The number of changing points is kept constant for the switch timing between both data Da(n) and Db(n).例文帳に追加

主データＤa(n)と副データＤb(n)とデータの切り替わりのタイミングの変化点の数を一定に保つようにする。 - 特許庁

Either one (N+1 in the drawing) of the seven (actually fifteen) print elements N, N+1, N+2,..., N+6 can be superposed with either one of seven print chips n, n+1, n+2,..., n+6 of the print chip 12-n without a shift in the main scanning direction in the principle of a caliper.例文帳に追加

７個（実際には１５個）の印字素子Ｎ、Ｎ＋１、Ｎ＋２、・・・、Ｎ＋６のいずれか１個（図ではＮ＋１）が印字チップ１２−ｎの７個の印字素子ｎ、ｎ＋１、ｎ＋２、・・・、ｎ＋６のいずれかとノギスの原理で必ず主走査方向に殆どずれない状態で重なり合う場所ができる。 - 特許庁

The heat-storage agent essentially comprises tri-n-butyl-n-pentylammonium chloride hydrate.例文帳に追加

塩化トリｎブチルｎペンチルアンモニウム水和物を主成分とすることを特徴とする蓄熱剤。 - 特許庁

A second n-type semiconductor region 22 is formed on one main surface of an n^+-type semiconductor substrate 52.例文帳に追加

Ｎ^＋半導体基板５２の一方の主面に、第２Ｎ型半導体領域２２を形成する。 - 特許庁

An n-side electrode is formed on the second main surface of the n-type GaN substrate 1 thinned down.例文帳に追加

こうして薄膜化されたｎ型ＧａＮ基板１の第２の主面にｎ側電極を形成する。 - 特許庁

An n-type low-concentration layer 11 is formed on a principal surface 10a of an n-type high-concentration layer 10.例文帳に追加

Ｎ型高濃度層１０の主面１０ａ上には、Ｎ型低濃度層１１が形成されている。 - 特許庁

The n^- region 101 and n type source region 103 are formed on the main surface 12.例文帳に追加

ｎ^-領域１０１およびｎ型ソース領域１０３は主表面１２に形成される。 - 特許庁

Undope GaN of 3 mm having the principal surfaces of (11-20) surfaces are formed on a substrate, then, AlN of 1 nm, n-type Al_0.25Ga_0.75N of 25 nm and n-type GaN of 50 nm are formed thereon.例文帳に追加

基板上に(1 1 -2 0)面を主面とするアンドープのGaNが3mm、その上に、AlNが1nm、ｎ型Ａｌ_0.25Ｇａ_0.75Ｎが25nm、n型GaNが50nm形成されている。 - 特許庁

A drain electrode 16 is formed on one main surface of an n^+-type substrate 15, while an n^--type drift region 13 is formed on the other main surface.例文帳に追加

ｎ^＋型基板１５の一方の主面上にはドレイン電極１６が、他方の主面上にはｎ^−型ドリフト領域１３が形成されている。 - 特許庁

In this machine tool, (n) or more pieces of main shafts 5 (n≥3) are provided in parallel, and tool rests 4A, 4B such as turrets are provided between the main shafts 5.例文帳に追加

ｎ個以上（ｎ≧３）の主軸５を並べて設け、これら主軸５のそれぞれの間に、タレット等の刃物台４Ａ，４Ｂを設ける。 - 特許庁

The distance from the primary surface to the bottom of an n-type impurity region NR of an I/O n-type transistor is longer than that from the primary surface to the bottom of the n-type impurity region NR of a core n-type transistor.例文帳に追加

主表面からＩ／Ｏｎ型トランジスタのｎ型不純物領域ＮＲの最下部までの距離は、主表面からコアｎ型トランジスタのｎ型不純物領域ＮＲの最下部までの距離より長い。 - 特許庁

The actual number of rotations N_E of a main shaft 14 connected to a main engine 12 is detected.例文帳に追加

主機１２に連結された主軸１４の実回転数Ｎ_Ｅを検出する。 - 特許庁

This piezoelectric composition contains (1-n)Ba_xTiO_3+n(K_0.5 Bi_0.5)_xTiO_3.例文帳に追加

主成分として、（１−ｎ）Ｂａ_x ＴｉＯ_3 ＋ｎ（Ｋ_0.5 Ｂｉ_0.5）_x ＴｉＯ_3 を含む。 - 特許庁

An n^- layer 2 is formed on the main surface of a p-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ｐ型半導体基板１の主表面上にはｎ^-層２が形成される。 - 特許庁

An n well 3 is formed on one of principal planes of a p-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１の一方主面にＮウエル３を形成する。 - 特許庁

The N-type semiconductor region 119 contains arsenic as a main impurity.例文帳に追加

Ｎ型半導体領域１１９は主たる不純物としてヒ素を含む。 - 特許庁

A main electrode 26 connected to the n^+ type semiconductor region 18 is formed.例文帳に追加

ｎ^＋型半導体領域１８に接続された主電極２６を形成する。 - 特許庁

After that, the n-type GaN substrate 1 is thinned down from a second main surface side.例文帳に追加

この後、ｎ型ＧａＮ基板１を第２の主面側から薄膜化する。 - 特許庁

The formula (1) is expressed by N_z=(n_x-n_z)/(n_x-n_y).例文帳に追加

Ｎ_Ｚ＝（ｎ_ｘ−ｎ_ｚ）／（ｎ_ｘ−ｎ_ｙ） （１）式中、ｎ_ｘ及びｎ_ｙは、波長５５０ｎｍの光に対する面内の主屈折率を表し、ｎ_ｘ≧ｎ_ｙを満たす。 - 特許庁

A thinning process is executed such that dot recording is not carried out in one or more but less than N times (N is an integer of two or more) main-scanning paths, when the dot recording is completed for main-scanning lines by N times main-scanning paths.例文帳に追加

Ｎ回（Ｎは２以上の整数）の前記主走査パスにより主走査ラインに対して前記ドット記録を完了する場合に、１回以上Ｎ回未満の主走査パスにおいてドット記録を行わない間引き処理を実行する。 - 特許庁

A layer structure which has a refractive index elliptical body and wherein relation of n_x>n_y=n_z is satisfied between principal refractive indices n_x, n_y and n_z in directions of axes x, y and z orthogonal to each other is provided between at least one of the pair of polarizing plates and the liquid crystal cell.例文帳に追加

一対の偏光板の少なくとも一方と液晶セルとの間には、屈折率楕円体を有し、互いに直交するｘ軸、ｙ軸およびｚ軸の方向の主屈折率ｎ_ｘ、ｎ_ｙおよびｎ_ｚの間に、ｎ_ｘ＞ｎ_ｙ＝ｎ_ｚの関係が成立する層構造が設けられている。 - 特許庁

The capacitors C_1-C_n are charged, a trigger signal is provided to the switches SW_1-SW_n and charges charged in the capacitors C_1-C_n are discharged, whereby pulse-like power energy can be supplied between the main discharge electrodes 3a and 3b.例文帳に追加

コンデンサＣ_1 〜Ｃ_n を充電し、スイッチＳＷ_1 〜ＳＷ_n にトリガ信号を与え、コンデンサＣ_1 〜Ｃ_n に充電されていた電荷を放電させることにより、主放電電極３ａ、３ｂ間にパルス状の電力エネルギーを供給することができる。 - 特許庁

The main feedback circuit imparts a main feedback signal to the control input end based on the N pieces of trains of main feedback voltages.例文帳に追加

主帰還回路は、Ｎ系統の主帰還電圧に基づいて、制御入力端に主帰還信号を付与する。 - 特許庁

A p+ area 2 is formed on the surface layer of one main side of an n- semiconductor substrate 100, and an n+ area 3 is formed on the surface layer of the other main side of the n- semiconductor substrate 100.例文帳に追加

ｎ^- 半導体基板１００の一方の主面の表面層にｐ^+ 領域２を形成し、他方の主面の表面層にｎ^+ 領域３を形成する。 - 特許庁

The mirror element 30 includes an (n) type SiC substrate 1 having (n) type impurities introduced at least in its main surface and a transparent electrode 15 which is formed on the main surface of the (n) type SiC substrate 1 and can transmit light.例文帳に追加

ミラー素子３０は、少なくとも主表面にｎ型の不純物が導入されたｎ型ＳｉＣ基板１と、ｎ型ＳｉＣ基板１の主表面上に形成され、光を透過可能な透明電極１５とを備えている。 - 特許庁

When the windings 30 are electrified, n primary magnetic poles and n auxiliary magnetic poles are formed at the primary poles 26 and auxiliary poles 28 respectively, wherein n is an integer greater than 1.例文帳に追加

巻線３０に通電したときには、主極２６及び補助極２８に、各々、ｎ個の主磁極及びｎ個の補助磁極が形成され、ｎは１より大きな整数である。 - 特許庁

Similarly, provided are an amino-N, N-dihydropyrazolone derivative or its addition salt and a diamino-N, N-dihydro-pyrazolone derivative or its addition salt, and methods for their preparation.例文帳に追加

同様に、その主題は、アミノ-Ｎ,Ｎ-ジヒドロピラゾロン誘導体又はその付加塩の一つ、及びジアミノ-Ｎ,Ｎ-ジヒドロピラゾロン誘導体又はその付加塩の一つ、及びそれらの生成法にある。 - 特許庁

The heat storing agent comprises a tetra-n-butylammonium bromide hydrate and a tri-n-butyl-n-pentylammonium bromide hydrate as the main components and a tetra-n-butylammonium fluoride hydrate as a supercooling preventive.例文帳に追加

臭化テトラｎブチルアンモニウム水和物と、臭化トリｎブチルｎペンチルアンモニウム水和物とを主成分とし、過冷却防止剤として弗化テトラｎブチルアンモニウム水和物を含有してなることを特徴とする蓄熱剤。 - 特許庁

It is preferable that a hydroxyl group-having aromatic tertiary amine (for example, N,N-dihydroxypropyl-p-toluidine or N,N-dihydroxyethyl-p-toluidine) as a curing accelerator is added to the main agent.例文帳に追加

該主剤中には、硬化促進剤として水酸基を有する芳香族第３級アミン（例：Ｎ，Ｎ−ジヒドロキシプロピル−ｐ−トルイジン、Ｎ，Ｎ−ジヒドロキシエチル−ｐ−トルイジン）混合しておくことが好ましい。 - 特許庁

The circuits 11 and 12 have the same constitution and output the main data Da(n) and its corresponding secondary data Db(n) in parallel to each other.例文帳に追加

第１の出力回路１１及び第２の出力回路１２は、それぞれ同一の回路構成成し、主データＤa(n)と、これに対応する副データＤb(n)とを並列に出力する。 - 特許庁

This data comparator circuit detects whether the data value of n (n≤N) pieces of time slots in a main signal of a serial system making an N time slot a comparison unit length agrees with an expected value.例文帳に追加

本発明は、Ｎタイムスロットを比較単位長さとするシリアル系列の主信号中のｎ（ｎ≦Ｎ）個のタイムスロットのデータ値が期待値に一致するか否かを検出するデータ比較回路に関する。 - 特許庁

An n^- type silicon region 3 having high resistance, to be the region of maintaining a breakdown voltage, is vertically provided with respect to a principal surface 72 of an n^+ type silicon substrate 1, and the n^- type silicon region 3 having the high resistance is connected to the n^+ type silicon substrate 1.例文帳に追加

耐圧保持領域である高抵抗のｎ^−型シリコン領域３をｎ^＋型シリコン基板１の主面７２に対して垂直に設け、高抵抗のｎ^−型シリコン領域３をｎ^＋型シリコン基板１に接続させる。 - 特許庁

The main control part carries out normalization computation of dividing a difference (N-F) between N side photoreception luminous energy obtained from the N side photoreception face and F side photoreception luminous energy obtained from the F side photoreception face by the sum (N+F) of the both photoreception luminous energies.例文帳に追加

主制御部は、Ｎ側受光面から得られたＮ側受光量とＦ側受光面から得られたＦ側受光量との差（Ｎ−Ｆ）を両受光量の和（Ｎ＋Ｆ）で割る正規化演算を行う。 - 特許庁

A main scanning synchronizing signal HSYNC is generated at every belt position of a transfer belt 20 by an image control signal generating part 40 based on the positional fluctuation R(N) at each belt position B(N).例文帳に追加

画像制御信号生成部４０は、転写ベルト２０の各ベルト位置ごとに、各ベルト位置Ｂ(N)における位置変動量Ｒ(N)に基づき主走査同期信号ＨＳＹＮＣを生成する。 - 特許庁

Our main result is that there exist visibility graphs of n nonintersecting line segments in the plane whose smallest clique cover has size ...発音を聞く 例文帳に追加

主な結果は次の通り.サイズ...のクリーク被覆を持つ平面において, n個の交差しない線セグメントからなる可視性グラフが存在する. - コンピューター用語辞典

n) claim - the part of the patent comprising the subject-matter of the requested protection and whose contents determine the scope of protection;例文帳に追加

(n) クレーム－特許の一部であって，求める保護の主題で構成されており，その内容が保護の範囲を決定するもの - 特許庁

The microporous membrane is obtained by wet coagulation of polyurethane-based resin solution using N,N-dimethylformamide as a main solvent.例文帳に追加

微多孔膜は、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを主溶媒とするポリウレタン系樹脂溶液を、湿式凝固して得られる。 - 特許庁

An n-type silicon carbide board 1 has one main surface on which an n-type SiC layer 2 having a relatively low dopant concentration is formed.例文帳に追加

ｎ型の炭化珪素基板１の一方の主表面にドーパント濃度が比較的低いｎ型のＳｉＣ層２が形成されている。 - 特許庁

One of n kinds (n is an integer greater than or equal to 2) of common driving signals is selectively generated by each main scanning.例文帳に追加

ｎ種類（ｎは２以上の整数）の共通駆動信号のうちのいずれかを、各主走査毎に選択的に発生する。 - 特許庁

A first conductor layer 101 is an n-type semiconductor layer that has 4H-SiC as a main composition, and includes n-type impurities.例文帳に追加

第１導電体層１０１は、４Ｈ−ＳｉＣを主組成とし、Ｎ型不純物を含むＮ型半導体層である。 - 特許庁

An n^--type epitaxial layer 2 is formed on the main surface of an n^+-type SiC substrate 1, and a trench 3 is placed in the epitaxial layer 2 side by side.例文帳に追加

ｎ^+型ＳｉＣ基板１の主表面上にｎ^-型エピタキシャル層２が形成され、エピタキシャル層２にはトレンチ３が並設されている。 - 特許庁

An N^+ embedded layer 2 and an N-type epitaxial layer 3 are formed in the main surface area of a P-type silicon substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板１の主表面領域中に、Ｎ^+ 埋め込み層２およびＮ型エピタキシャル層３が形成されている。 - 特許庁

A semiconductor substrate 2 of n-type silicon having a crystal face orientation (100) is used to form an n-type semiconductor layer 3 on its main surface.例文帳に追加

Ｎ型のシリコンからなる結晶面方位（１００）の半導体基板２を用い、その主面にＮ型の半導体層３を形成する。 - 特許庁

N pieces (N<M) of player identification information are extracted at random from the player identification information on the main memory (S20).例文帳に追加

主メモリ上のプレイヤ識別情報の中からＮ個（Ｎ＜Ｍ）のプレイヤ識別情報をランダムに抽出する（Ｓ２０）。 - 特許庁