亜共晶の英語

ろう材の組成を亜共晶組成とすると、固相と液相との間に固液共存相が介在する。例文帳に追加

When the structure of the brazing material is made to be of the hypo-eutectic structure, a solid-liquid coexistent phase intervenes between the solid phase and the liquid phase. - 特許庁

亜鉛還元法によって四塩化珪素を還元して多結晶シリコンを製造する際に、連続して還元を行うと共に未反応の四塩化珪素と亜鉛の発生を抑えて多結晶シリコンの生成効率を高め、かつ未反応亜鉛と四塩化珪素、反応副生成物である塩化亜鉛を効率的に回収、再利用を行なう多結晶シリコンの連続精製方法の提供。例文帳に追加

To provide a method for continuously refining polycrystalline silicon by which, when the polycrystalline silicon is produced by reducing silicon tetrachloride by a zinc reduction method, reduction is continuously performed and generation of un-reacted silicon tetrachloride and zinc are suppressed to heighten generation efficiency of the polycrystalline silicon and un-reacted zinc and silicon tetrachloride and zinc chloride to be a reaction by-product are efficiently recovered and reused. - 特許庁

成形性および機械加工性が向上する結果となる亜共析晶低合金鋼の球状化焼なまし法を提供すること。例文帳に追加

To provide a spheroidizing annealing method of a hypo-eutectic low alloy steel resulting to improve the formability and the machinability. - 特許庁

本体部の湯口部直下部位に硬度低下が生じない、亜共晶組成の高Ｃｒ鋳鉄鋳物およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a high Cr cast iron casting having hypoeutectic composition and a manufacturing method therefor by which the lowering of a hardness at a portion just below a sprue part in a main body part is not generated. - 特許庁

亜鉛めっき鋼板１と、この亜鉛めっき鋼板１とは種類の異なるアルミニウム合金２とを重ね合わせて接合するに際し、超音波振動により、アルミニウム合金２と亜鉛めっき鋼板１の亜鉛層３との間の界面に共晶溶融を生じさせて、亜鉛めっき鋼板１とアルミニウム合金２の新生面同士を接合する。例文帳に追加

In superposing and joining a galvanized steel sheet 1 and an aluminum alloy 2 which is a different kind of metallic material from the galvanized steel sheet 1, there is generated eutectic melting on a boundary between the aluminum alloy 2 and the zinc layer 3 of the galvanized steel sheet 1 by ultrasonic vibration, with the galvanized steel sheet 1 and the aluminum alloy 2 welded to each other in their new surfaces. - 特許庁

成膜工程では、堆積時の基板温度を酸化亜鉛とフラックスの共晶温度以上共晶温度＋１５０℃以下の範囲に制御した条件で堆積するものである。例文帳に追加

In the film deposition process, deposition is performed under such a condition that the temperature of the substrate during deposition is controlled to be in a range from the eutectic temperature of zinc oxide and the flux to a temperature higher by 150°C or less than the eutectic temperature. - 特許庁

酸化物半導体用ターゲットに含まれる複数種の原子の原子量の違いを利用し、原子量の小さい亜鉛を優先的に酸化物絶縁膜に堆積させ、亜鉛を含む種結晶を形成すると共に、種結晶上に原子量の大きいスズ、インジウム等を結晶成長させつつ堆積させることで、複数の工程を経ずとも、結晶性酸化物半導体膜を形成することを要旨とする。例文帳に追加

A crystalline oxide semiconductor film is formed without plural steps by preferentially depositing zinc having a smaller atomic weight on an oxide insulating film to form a seed crystal containing zinc as well as growing crystal of tin, indium and the like having a larger atomic weight on the seed crystal by use of difference in atomic weight between plural kinds of atoms included in a target for the oxide semiconductor film. - 特許庁

非晶質磁性層４は基板２上に形成されている記録層であり、下地層３は基板２と非晶質磁性層４との間に形成されていると共に亜鉛からなる。例文帳に追加

The amorphous magnetic layer 4 is the recording layer formed on the substrate 2 and the underlayer 3 is formed between the substrate 2 and the amorphous magnetic layer 4 and consists of Zn. - 特許庁