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亜左見の英語
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ドライエッチングにより、適当なエッチングガス圧、適当な基板温度の条件下でメサ112の形成を行うことで、閃亜鉛鉱型化合物半導体からなる、基板面方位が(001)から傾斜した基板102上に、少なくとも活性層104とそれを挟むクラッド層103、107からなるダブルヘテロ構造を有し、かつ水平横方向の光閉じ込めを行うためのメサ状のストライプを有し、かつ前記メサのストライプ方向に垂直な断面形状が基板を下にして見たときに左右対称であり、メサ裾にだれが無い半導体レーザを製作できる。例文帳に追加
Also, mesa-shaped stripes for operating light closure to a horizontal direction are formed, and the cross section shapes vertical to the stripe directions of the mesa are made symmetrical when viewed with the substrate below so that a semiconductor laser without any sagging at the mesa fringe can be manufactured. - 特許庁
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