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亜由多の英語
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耐熱基板上に酸化亜鉛または金属亜鉛からなる被溶解層と多孔質半導体層とを４５０℃以上の焼成工程を経由して積層形成し、この多孔質半導体層を溶液中で耐熱基板から分離することで多孔質半導体層上に多孔質半導体層よりも伝導帯エネルギーレベルが高い酸化亜鉛を被覆形成することができる。例文帳に追加
A dissolved layer made of zinc oxide or metallic zinc and a porous semiconductor layer are laminated on a heat-resistant base plate in a calcining process at 450°C or higher, and the porous semiconductor layer is separated from the heat-resistant base plate in a solvent, and zinc oxide which has a higher conduction energy level can be formed and laminated on the porous semiconductor layer. - 特許庁
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