仕事の領域の英語

ガスセンサ１は表面領域９を備えたガスセンシティブな層７を有し、その表面領域内で仕事関数が表面領域９と接触可能な目標ガスの濃度に依存している。例文帳に追加

This gas sensor 1 has a gas-sensitive layer 7 having a surface domain 9, and a work function depends on the concentration of the target gas contactable with the surface domain 9 in the surface domain. - 特許庁

上記方法は、さらに、誘電性層とゲート電極との間で第１領域上にキャッピング層を設けることで第１領域上のゲート電極の仕事関数を変更し、及び第２領域における誘電性層とゲート電極との間の界面でスピーシーズを導入するようにスピーシーズを埋め込むことにより第２領域上のゲート電極の仕事関数を変更することを備える。例文帳に追加

The method further includes providing a capping layer on the first region between the dielectric layer and the gate electrode to change the work function of the gate electrode on the first region, and embedding species so as to introduce the species at an interface between the dielectric layer and the gate electrode in the second region to change the work function of the gate electrode on the second region. - 特許庁

高仕事関数領域１４Ｂは、その結晶粒が先端部中央の結晶粒に比較して大きくなっている。例文帳に追加

The high work function region 14B consists of larger crystal grains than crystal grains in the middle of the tip part. - 特許庁

対向面Ｒ内における低仕事関数領域１１ａの形成位置は、予備電離用の紫外光が最もとどきにくい中央部である。例文帳に追加

The location where the low job function region 11a is formed at the opposing surface R is provided at the center where the least ultraviolet ray for auxiliary electrolytic dissociation reaches. - 特許庁

ＮＭＯＳ仕事関数制御メタル層７をスパッタ法により形成され、ディボット部２ｄが設けられるエッジ近傍領域である領域ｂにおける膜厚は、他の領域である領域ａにおける膜厚より薄く形成される。例文帳に追加

The NMOS work function control metal layer 7 is formed by the sputtering method, and the film thickness in the region b which is a region in the vicinity of the edge in which a divot part 2d is provided is formed more thinly than the film thickness in the region a which is another region. - 特許庁

素子形成領域３では、Ｎ−ＨＫ膜７と、仕事関数制御用の金属膜９が形成されている。例文帳に追加

In an element forming region 3, an N-HK film 7 and a metal film 9 for work function control are formed. - 特許庁

素子形成領域２では、Ｐ−ＨＫ膜６と、仕事関数制御用の金属膜８が形成されている。例文帳に追加

In an element forming region 2, a P-HK film 6 and a metal film 8 for work function control are formed. - 特許庁

浮遊ゲートとして半導体膜より仕事関数が高い材料で設ける場合には、チャネル形成領域にｎ型の不純物元素を導入する。例文帳に追加

When providing the floating gate by the material whose work function is higher than the semiconductor film, n-type impurity elements are introduced to the channel forming region. - 特許庁