If this step does not work, edit the file /etc/remote again and try using /dev/cuaa N instead of /dev/ttyd N .発音を聞く 例文帳に追加

これがうまくいかなかった場合は、 /etc/remoteを編集して、 /dev/ttydN の代わりに /dev/cuaaNを試してみてください。 - FreeBSD

The N poles and S poles of electromagnets are made arbitrarily changed using a plurality of electromagnets 41 instead of the magnet.例文帳に追加

また、磁石の代わりに複数の電磁石４１を用い、電磁石のN極とS極を任意に切り替えられるようにする。 - 特許庁

but instead should always refer to real-time signals using the notation SIGRTMIN +n,発音を聞く 例文帳に追加

したがって、プログラムでは「ハードコーディングした数字を使ってのリアルタイムシグナルの参照は決してすべきではなく」、代わりにSIGRTMIN +n の形で参照すべきである。 - JM

Moderate amounts of manganese (Mn) and nitrogen (N) are substituted for costly nickel to produce the new chromium-manganese-nitrogen (Cr-Mn-N) steel, whereby reducing the cost of materials while maintaining the original physical and mechanical properties.例文帳に追加

高価なニッケルの代わりに、適量のマンガン（Ｍｎ）と、窒素（Ｎ）とを使用し、クロム−マンガン−窒素（Ｃｒ−Ｍｎ−Ｎ）新鋼種を製造し、材料コストを下げ、本来の物理的性能および機械力学的性能を維持する。 - 特許庁

Thus, when a resident K receives damages from an adjacent resident N inputs a message content via a telephone 5, the unit 1 automatically informs the content to the adjacent resident's N telephone 6 in lieu of the resident K.例文帳に追加

これにより、近隣住民Ｎから被害を受けた住民Ｋが電話機５を介して伝言内容を入力すると、この伝言内容を住民Ｋに代わり通信部１より自動的に近隣住民Ｎの電話機６へ通知する。 - 特許庁

Instead of a drain bias resistor, n (a positive integer) silicon diodes X1-Xn connected in series are inserted in a part between a drain electrode of the FET 6 and a positive voltage supply terminal.例文帳に追加

ドレインバイアス抵抗の代わりに、ＦＥＴ６のドレイン電極と正電圧供給端子１０との間にｎ（ｎは正の整数）個の直列接続されたシリコンダイオードＸ１〜Ｘｎを挿入する。 - 特許庁

The formula (1) is calculated, wherein r_i' is a random number, through a permutation π of a set {1, ..., n} and re-encryption of E to obtain an agitated code text Z' instead of the code text Z as an input to a comparator network (step 1). 2.例文帳に追加

１．集合｛１，・・・，ｎ｝の置換π及びＥの再暗号化により、を計算し（ｒ_i’：乱数）、暗号文Ｚの代わりに攪拌した暗号文Ｚ’を比較器ネットワークの入力とする（ステップ１）。 - 特許庁

To provide a material having excellent ability for proliferating a hematopoietic cell, being an analogue of heparan sulfate hardly providing a risk of pollution by a pathogenic virus or a prion protein, and capable of substituting an N-desulfated N-reacetylated heparin known to have such activities.例文帳に追加

優れた造血幹細胞増殖促進能を有し、かつ、病原性ウィルスやプリオンタンパク質の汚染の心配のないヘパラン硫酸類似物質であって、このような活性を有することが知られているＮ−脱硫酸化Ｎ−再アセチル化ヘパリンに代わり得る物質を提供すること。 - 特許庁

To provide a laser diode of a nitride semiconductor in which a ridge structure is formed by an n-type layer, instead of a ridge structure of a p-type layer which is high in resistance in comparison with the n-type layer, and has a difficulty of ohmmic contact formation, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ｎ-タイプ層に比べて抵抗が大きく、オーミックコンタクト形成の難しさを持っているｐ-タイプ層のリッジ構造の代わりに、ｎ-タイプ層にリッジ構造を製作する窒化物半導体のレーザダイオード及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor which displays light emission properties, Vf properties, etc equal to or above those possessed by a nitride compound semiconductor where Si is used as an n-type dopant even when the compound semiconductor is a nitride compound semiconductor where Ge is used in place of Si as an n-type dopant.例文帳に追加

ｎ型ドーパントとして、Ｓｉの代わりにＧｅを用いた窒化物系化合物半導体であっても、Ｓｉを用いた窒化物系化合物半導体と同等もしくはそれ以上の発光特性、Ｖｆ特性等を示す化合物半導体を提供する。 - 特許庁

Such a liquid crystal material wherein microphase separation is carried out can be also obtained by adding a straight chain n-C_30H_62 or n-C_24H_50 of 40-70 mol%, replacing the polyethylene oxide of 5-30 wt.% to the trimer of the biphenyl derivative oligomer and by heating and cooling it.例文帳に追加

このようなミクロ相分離した液晶材料は、ビフェニル誘導体オリゴマーの３量体に、５〜３０重量％のポリエチレンオキシドの代わりに、４０〜７０ｍｏｌ％の直鎖状ｎ−Ｃ_30Ｈ_62又はｎ−Ｃ_24Ｈ_50を添加して加熱及び冷却を行った場合にも得ることができる。 - 特許庁

A solid N-acyl amino acid alkali salt detergent with excellent detergency is manufactured using as a binder a saturated or unsaturated 10-22C fatty acid alkali salt or a soap substrate solely or as combination of them instead of higher alcohol.例文帳に追加

高級アルコール類の代わりに炭素数１０から炭素数２２の飽和，不飽和の脂肪酸アルカリ塩、石けん素地を単独或いは複数の組み合わせで粘結剤として使用し、洗浄力の優れた固形のＮ−アシル−アミノ酸アルカリ塩洗浄剤を製造することを特徴とする。 - 特許庁

By considering the depth information of pixels of N(an integer larger than 2) containing a pixel to be currently processed in the parallax processing, the pixel value of the pixel to be currently processed is replaced by the pixel value of a delay pixel.例文帳に追加

ここで、視差処理において現在処理されるべきピクセルを含むＮ（２より大きい整数）個のピクセルの奥行き情報を考慮することによって、遅延ピクセルのピクセル値が、現在処理されるべきピクセルのピクセル値の代わりに置き換えられる。 - 特許庁

When the address signal ADD_1 is selected instead of the address signal ADD_n which is normally selected, the RAM area on the address map can be effectively utilized and a reading speed can be increased.例文帳に追加

アドレスセレクタ６０において、通常選択されるアドレス信号ＡＤＤ＿ｎの代わりにアドレス信号ＡＤＤ＿１を選択することによって、アドレスマップ上のＲＡＭ領域を有効に活用できるとともに、読出し速度を高速化することができる。 - 特許庁

Purpose of this invention is realized by utilizing an on-chip boosted voltage level which is utilized generally in an integrated circuit storage device supplying voltage to a control signal given to a single N channel transistor pass gate, instead of conventional power source voltage level Vcc.例文帳に追加

従来の電源電圧レベルＶ_ccの代わりに、単一Ｎチャネルトランジスタパスゲートに与えられる制御信号に電圧を供給する、一般的には集積回路記憶装置で利用可能なオンチップ昇圧電圧レベルを利用することにより、この発明の目的が実現される。 - 特許庁

In this manufacturing method, the light-emitting diode layer is formed on a dummy substrate, and the transparent P-type semiconductor bonding substrate is bonded on the dummy substrate, After the dummy substrate is eliminated, the transparent N-type semiconductor bonding substrate is bonded instead of the dummy substrate, and the entirety is worked in a nearly spherical type.例文帳に追加

これを製造する方法として、ダミー基板の上に発光ダイオード層を形成した後、その上に透明なｐ型半導体接着基板を接着し、その後ダミー基板を除去して代わりに透明なｎ型半導体接着基板を接着し、全体をほぼ球状に加工する方法を提供する。 - 特許庁

An input terminal of a selector SA2 is connected to an output terminal of a differential amplifier 33 in the high potential measuring LSI chip 30 so as to receive a differential voltage detected by the differential amplifier 33 in the high potential measuring LSI chip 30 instead of the terminal voltage of the (N+1)th battery cell B6.例文帳に追加

高電位計測ＬＳＩチップ３０の差動増幅器３３により検出された差動電圧を（Ｎ＋１）番目のバッテリセルＢ６の端子電圧の代わりに受けるように、セレクタＳＡ２の入力端子が高電位計測ＬＳＩチップ３０の差動増幅器３３の出力端子に接続される。 - 特許庁

A semiconductor circuit is provided in which two transistors being an n-channel type transistor and a p-channel type transistor are used instead of two clocked inverters occupying eight transistors in a D flip-flop in the conventional manner to reduce the number of transistors.例文帳に追加

本発明においては、従来、Ｄフリップフロップ内でトランジスタ数が８つを占めている２つのクロックドインバータの代わりに、ｎチャネル型トランジスタ及びｐチャネル型トランジスタの２つを用いてトランジスタ数を削減する。 - 特許庁

Polyvinyl acetal having lower viscosity and higher glass transition point than the comparative product which is obtained from n-butyl aldehyde as a base material and has the same chemical composition as the above acetal, is obtained by using, for example, isobutyl aldehyde instead of common n-butyl aldehyde for acetalating polyvinyl alcohol.例文帳に追加

ポリビニルアルコールのアセタール化のために慣用のｎ−ブチルアルデヒドの代わりに、例えばイソブチルアルデヒドを使用することによって、ｎ−ブチルアルデヒドを基礎としている同じ化学組成の比較生成物と比べて、より低い粘度及びより高いガラス転移温度を示すポリビニルアセタールが得られる。 - 特許庁

The control signal C, on the other hand, is nearly equal in amplitude to and opposite in phase from the noise signal N and generated on the basis of a reference signal R extracted from a noise source, and an exciter which vibrates corresponding to the vibration frequency of the control signal C is fitted to the windshield 25 on the side of the driver's seat 24 instead of a speaker.例文帳に追加

一方、制御信号Ｃは、騒音信号Ｎと略々同振幅かつ逆位相の信号であって、騒音源から抽出された参照信号Ｒに基づき作成され、更に、運転席２４のフロントガラス２５には、制御信号Ｃの振動数に応じて振動する加振器がスピーカの代わりに取付けられている。 - 特許庁

In operation, a column select signal YR is controlled and when a column read out amplifier uses an N-channel path transistor, this signal is driven below VSS in the sleep mode; when a P-channel device is used instead, the signal is driven to the source voltage level of VCC.例文帳に追加

動作時に列選択信号ＹＲが制御され、列読出し増幅器でＮチャネルパストランジスタが使用される場合には、スリープモード中にこの信号がＶＳＳ未満で駆動されるようにし、代わりにＰチャネル装置が使用される場合には、この信号がＶＣＣの電源電圧レベルに駆動されるようにする。 - 特許庁