The n-side electrode 17n is provided on the n-type region.例文帳に追加

ｎ側電極１７ｎは、ｎ型領域の上に設けられている。 - 特許庁

An n-side electrode 12 is arranged on the lower face of the n-type substrate 1.例文帳に追加

ｎ型基板１の下面には、ｎ側電極１２が配置されている。 - 特許庁

An n side electrode 18 is formed on the lower face of the n-type GaN layer 11.例文帳に追加

ｎ型ＧａＮ層１１の下面にｎ側電極１８を形成する。 - 特許庁

The n-side electrode 14 is connected to the n-type surface 20an.例文帳に追加

ｎ側電極１４は、ｎ型表面２０ａｎに接続されている。 - 特許庁

An n-side electrode 7 is formed on the exposed n-type GaN layer 2.例文帳に追加

露出したｎ型GaN層２上にｎ側電極７を形成する。 - 特許庁

The n-side metallic protection film covers a surface and a side surface of the n-side contact electrode.例文帳に追加

ｎ側金属保護膜は、ｎ側コンタクト電極の表面及び側面を覆っている。 - 特許庁

In IGBT having at least a p+n-pn+ structure from a collector side to an emitter side, and an n layer having high concentration compared with an n- layer between the n- layer and a p layer, an n layer having the further high concentration compared with the n layer is formed between the n- layer and the p layer.例文帳に追加

コレクタ側からエミッタ側に向かって少なくともｐ＋ｎ−ｐｎ＋構造と、ｎ−層とｐ層との間にｎ−層よりも高濃度のｎ層と有するIGBTにおいて、ｎ−層とp層との間にn層よりさらに高濃度のn層を形成する。 - 特許庁

Then a nut 23b-(n+1) is clamped onto the bolt 21b-(n+1) from the side of a side surface 25a, and a long nut 19a-(n+1) is clamped onto the bolt 17a-(n+1) from the side of a side surface 25b, to thereby fix the diagonal bolt segment 1-(n+1).例文帳に追加

側面２５ａ側からナット２３ｂ−（ｎ＋１）をボルト２１ｂ−（ｎ＋１）に締め付け、側面２５ｂ側から長ナット１９ａ−（ｎ＋１）をボルト１７ａ−（ｎ＋１）に締め付けて、斜ボルトセグメント１−（ｎ＋１）を固定する。 - 特許庁

The n-side wiring layer is provided on the insulating film, and is connected to the n-side electrode via the n-side contact.例文帳に追加

ｎ側配線層は、絶縁膜上に設けられ、ｎ側コンタクト部を介してｎ側電極と接続されている。 - 特許庁

The n-side metal pillar has an n-side external terminal that is exposed from the insulating material on a surface different from the surface onto which the n-side electrode is connected.例文帳に追加

ｎ側金属ピラーは、ｎ側電極と接続された面とは異なる面で絶縁材から露出されたｎ側外部端子を有する。 - 特許庁

The n-side wiring layer is prepared in the insulating film, and connected to the n-side electrode through the n-side contact part.例文帳に追加

ｎ側配線層は、絶縁膜内に設けられ、ｎ側コンタクト部を介してｎ側電極と接続されている。 - 特許庁

Then P-type semiconductors 26 and N-type semiconductors 27 are arranged alternately, and electrodes 23 are formed on both sides of the P-type semiconductors and N-type semiconductors.例文帳に追加

P型半導体２６とN型半導体２７とが交互に配置され、電極２３がP型半導体およびN型半導体の両側に配置される。 - 特許庁

Then, with the X_n/Y_n antenna as the center, a plurality of antennas positioned on both sides are scanned.例文帳に追加

次は、Ｘ_n／Ｙ_nアンテナを中心として、両側に位置されている複数のアンテナがスキャンされる。 - 特許庁

An n-side electrode comprises an n-side wire bonding electrode 3, and an auxiliary electrode 4.例文帳に追加

ｎ側電極は、ｎ側ワイヤボンディング用電極３と補助電極４とで構成されている。 - 特許庁

A side of the n-side electrode in contact with the n-type layer is composed of an Al layer 11a.例文帳に追加

このｎ側電極のｎ形層との接触面側が、Ａｌ層１１ａにより形成されている。 - 特許庁

The n-side electrode contacts a part of the n-type semiconductor layer on the opposite side to the light-emitting layer of the n-type semiconductor layer.例文帳に追加

ｎ側電極は、ｎ型半導体層の発光層とは反対側でｎ型半導体層の一部に接する。 - 特許庁

In order to get a contact with an n-side electrode 29, both sides of the stripe geometry is removed to the middle of the n-GaN buffer layer 13.例文帳に追加

ｎ側電極29とのコンタクトをとるために、ストライプの両側をn-GaNバッファ層13の途中まで除去する。 - 特許庁

The arithmetic operation of noise equivalent NEXD, NEYD and NEZD is performed from tristimulus values B_X, Y and Z of the reflected rays of light of a visible camera 6, tristimulus values X, Y and Z at a signal side and tristimulus values X_N, Y_N and Z_N of a noise.例文帳に追加

可視カメラ６の反射光の三刺激値Ｂ_X 、_Y 、_Z 、信号側の三刺激値Ｘ、Ｙ、Ｚと、ノイズの三刺激値Ｘ_N 、Ｙ_N 、Ｚ_N とからノイズ等価ＮＥＸＤ、ＮＥＹＤ、ＮＥＺＤを演算する。 - 特許庁

Japan stood with the United States at the U. N. Assembly.例文帳に追加

日本は国連総会で米国側に立った。 - Tatoeba例文

Japan stood with the United States at the U. N. Assembly.発音を聞く 例文帳に追加

日本は国連総会で米国側に立った。 - Tanaka Corpus

The n-side electrode includes an n-side bus bar section 21n1 extending along the first direction x, and a plurality of n-side finger sections 21n2 extending from the n-side bus bar section 21n1.例文帳に追加

ｎ側電極は、第１の方向ｘに沿って延びるｎ側バスバー部２１ｎ１と、ｎ側バスバー部２１ｎ１から延びる複数のｎ側フィンガー部２１ｎ２とを有する。 - 特許庁

The exposed part 11a is provided with an n-side electrode 5.例文帳に追加

露出部１１ａにはｎ側電極５が設けられている。 - 特許庁

An n-side electrode 40 is formed on the bottom surface of the recess 12A.例文帳に追加

凹部１２Ａの底面に、ｎ側電極４０を形成する。 - 特許庁

The area of which the n-side metal wiring layer contacts with the n-side metal pillar is larger than that of which the n-side metal wiring layer contacts with the n-side electrode.例文帳に追加

ｎ側金属配線層とｎ側金属ピラーとが接触する面積は、ｎ側金属配線層とｎ側電極とが接触する面積より大である。 - 特許庁

Further, each aperture 62 of the inner liner 32 is disposed on one side of a center line A_n of each fuel injector 73, and each aperture 64 of the outer liner 34 is disposed on the other side of the center line A_n of each fuel injector 73.例文帳に追加

さらに、内側ライナ３２の各孔６２は、各燃料噴射器７３の中心線Ａ_nの一方の側に配置され、外側ライナ３４の各孔６４は、各燃料噴射器７３の中心線Ａ_nのもう一方の側に配置される。 - 特許庁

The main control part carries out normalization computation of dividing a difference (N-F) between N side photoreception luminous energy obtained from the N side photoreception face and F side photoreception luminous energy obtained from the F side photoreception face by the sum (N+F) of the both photoreception luminous energies.例文帳に追加

主制御部は、Ｎ側受光面から得られたＮ側受光量とＦ側受光面から得られたＦ側受光量との差（Ｎ−Ｆ）を両受光量の和（Ｎ＋Ｆ）で割る正規化演算を行う。 - 特許庁

The maximum value Max and the minimum value Min of a region except for both end residues of the Core region are calculated, and if Max-Min is a constant threshold or less, amino acid residue number NN at N end and amino acid residue number NC at C end are calculated.例文帳に追加

次にCore領域の両端残基を除いた領域の [H] の最大値Maxと最小値Minを算出し、Max−Minが一定の閾値以下となる場合に、N端側のアミノ酸残基数N_NとC端側のアミノ酸残基数N_Cを算出する。 - 特許庁

After this, an n-side electrode 19 and a p-side electrode 20 are formed.例文帳に追加

この後、ｎ側電極１９およびｐ側電極２０を形成する。 - 特許庁

A p-type electrode 18 and an n-type electrode 19 are formed.例文帳に追加

この後、ｐ側電極１８およびｎ側電極１９を形成する。 - 特許庁

According to an embodiment, the semiconductor light emitting device has the semiconductor layer, a p-side electrode and an n-side electrode, an insulating film, a p-side contact part, an n-side contact part, a p-side wiring layer, an n-side wiring layer, a p-side metal pillar, and an n-side metal pillar.例文帳に追加

実施形態によれば、半導体発光装置は、半導体層と、ｐ側電極及びｎ側電極と、絶縁膜と、ｐ側コンタクト部と、ｎ側コンタクト部と、ｐ側配線層と、ｎ側配線層と、ｐ側金属ピラーと、ｎ側金属ピラーとを備えている。 - 特許庁

According to an embodiment, a semiconductor light-emitting device comprises a semiconductor layer, a p-side electrode, an n-side electrode, an insulating film, a p-side contact, an n-side contact, a p-side wiring layer, and an n-side wiring layer.例文帳に追加

実施形態によれば、半導体発光装置は、半導体層と、ｐ側電極と、ｎ側電極と、絶縁膜と、ｐ側コンタクト部と、ｎ側コンタクト部と、ｐ側配線層と、ｎ側配線層とを備えている。 - 特許庁

An n-side electrode 21 formed of AuGe/Ni/Au is formed on the rear of the n-GaAs substrate 11.例文帳に追加

ｎ−ＧａＡｓ基板１１の裏面にＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕからなるｎ側電極２１を形成する。 - 特許庁

The n-side electrode 17n is formed on the surface of the n-type region 10an.例文帳に追加

ｎ側電極１７ｎは、ｎ型領域１０ａｎの表面の上に形成されている。 - 特許庁

Moreover, an n-side electrode 18 is provided at the rear of an n-type semiconductor substrate 12.例文帳に追加

また、ｎ側電極１８はｎ型半導体基板１２の裏面に設けられている。 - 特許庁

An n-side electrode is formed on the second main surface of the n-type GaN substrate 1 thinned down.例文帳に追加

こうして薄膜化されたｎ型ＧａＮ基板１の第２の主面にｎ側電極を形成する。 - 特許庁

A depletion layer formed between the N--type layer 5 and the body region 9 extends to the N--type layer 5.例文帳に追加

Ｎ^-層５とＰボディ領域９との間に形成される空乏層はＮ^-層５側に延びる。 - 特許庁

An intermediate layer made of Ga(N)AsSb is introduced into an interface between a GaInNAs or GaInAs well layer and an upper barrier layer.例文帳に追加

GaInNAs、或いはGaInAs井戸層と、上側障壁層との界面に、Ga(N)AsSbからなる中間層を導入する。 - 特許庁

N kinds (N≥3) of the short-length ladders in which the side setting angles of a trapezoid are different from each other are used.例文帳に追加

短尺タラップとして、台形の側辺挟み角が互いに異なるＮ種類（Ｎ≧３）のものを用いる。 - 特許庁

A second region 10B includes a partial region of the n-type layer 12 and an n-side electrode 22 is provided.例文帳に追加

第２領域１０Ｂは、ｎ型層１２の一部領域を含み、ｎ側電極２２が設けられている。 - 特許庁

A top-side N-type layer substrate becomes the N+ layer only where the support substrate layer is etched.例文帳に追加

表面側のＮ型層基板は、支持用基板層がエッチングされた箇所だけＮ＋層となる。 - 特許庁

An n-side electrode 26 is connected to the lower surface of the n-type InP substrate 10.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板１０の下面にｎ側電極２６が接続されている。 - 特許庁

Telephone sets 51-5n ((n) is natural number) are connected to the exchange 1 and they are placed near the corresponding persons in charge.例文帳に追加

電話機51〜5n(nは自然数)は交換機1に接続されており、対応した担当者の側に置かれている。 - 特許庁

Consequently, internal pressure of the heat exchanger H_3a on a side close to the regenerator G_n is high, and internal pressure of the heat exchanger H_3b on a side remote from the regenerator G_n is low.例文帳に追加

かかる構成とすることで、再生器Ｇ_nに近い側の熱交換器Ｈ_3aではその内部圧力が高く、近い側の熱交換器Ｈ_3aはその内部圧力が高く、再生器Ｇ_nから遠い側の熱交換器Ｈ_3bはその内部圧力が低くなる。 - 特許庁

On the other hand, a shallow N+ type semiconductor 3 is formed by diffusing high concentration N type impurities from one surface side of the N- type semiconductor substrate.例文帳に追加

また，Ｎ−型半導体基板の上記一方の表面側から高濃度のＮ型不純物を拡散して，浅いＮ＋型半導体を形成する。 - 特許庁