元素106の英語

非晶質半導体膜１０３内に当該触媒元素を導入し、加熱処理、レーザ照射により結晶化し、結晶性半導体膜１０６を得る。例文帳に追加

A catalysis element is introduced into an amorphous semiconductor film 103, is crystallized through heat treatment and irradiation of a laser beam to obtain a crystallizable semiconductor film 106. - 特許庁

発光層１０６を構成する層のうち少なくとも井戸層は、Ａｓ、ＰおよびＳｂよりなる群から選ばれる一種以上の元素Ｘ、ＮおよびＧａを含む窒化物半導体からなる。例文帳に追加

At least the well layer of the layers constituting the light emitting layer 106 is composed of a nitride semiconductor containing one or more kinds of elements X selected from among a group composed of As, P, and Sb, N, and Ga. - 特許庁

この井戸層１０６には、Ｇａよりも共有結合半径が大きなＩＩＩ族元素であるＩｎが適量混晶化されているので、結晶性に優れたものになって、発振閾値電流が低減し、発光効率が向上する。例文帳に追加

The well layer 106 is mixed with an appropriate quantity of crystallized In as a group III element whose covalent bond radius is larger than Ga, so that the crystallinity of the semiconductor laser device 100 becomes superior, and an oscillation threshold current is reduced, resulting in improving light emission efficiency. - 特許庁

次に単結晶シリコン薄膜１０６をパターニングして島状シリコン層１０８とした後、ハロゲン元素を含む酸化性雰囲気中で熱酸化処理を行うことで、トラップ準位や欠陥の除去された島状シリコン層１０９を得る。例文帳に追加

Then, the single crystal silicon thin film 106 is patterned to form an island-like silicon layer 108, and is subjected to thermal oxidation processing in an oxidation atmosphere containing halogen element, thereby obtaining the island-like silicon layer 109 in which trap level and defect are removed. - 特許庁

基板上に形成されたＭ（ＭはＢａ，Ｓｒ，Ｃａのうち少なくとも一つ以上の元素），銅及び酸素を主成分とし、膜の厚みが３００Å以上９５０Å以下であり、７７Ｋにおける臨界電流密度Ｊｃが６×１０^6Ａ／ｃｍ^2以上である水銀系銅酸化物超電導薄膜である。例文帳に追加

This superconductive thin film contains M (which is at least one element of Ba, Sr and Ca), copper and oxygen formed on a substrate as main components and has ≥300 Angstroms and ≤950 Angstroms thickness and 6×106 A/cm2 or more critical current density Jc at 77°K. - 特許庁

さらに隣接するトレンチ間における不純物領域１０４中に、第２導電型高濃度不純物領域１１１と、高濃度不純物領域１１１を包含すると共に第２導電型不純物の拡散を抑制する拡散抑制元素（例えば炭素）ドープ領域１０６とが形成されている。例文帳に追加

The semiconductor device further comprises: a second-conductivity-type high-concentration impurity region 111 in the impurity region 104 between the adjacent trenches; and a diffusion suppressing element (for example, carbon) doped region 106 that includes the high-concentration impurity region 111 and prevents the diffusion of a second-conductivity-type impurity. - 特許庁

本発明の結晶質半導体膜の製造方法は、（ａ）基板１０１の上に非晶質半導体膜１０４を形成する工程と、（ｂ）非晶質半導体膜１０４に結晶化を促進する触媒元素１０６を付与する工程と、（ｃ）Ａｒガスを含む雰囲気下で加熱することによって非晶質半導体膜１０４を結晶化し、結晶質半導体膜１０４ｂを得る工程とを包含する。例文帳に追加

The method of manufacturing the crystalline semiconductor film includes (a) a step of forming an amorphous semiconductor film 104 on a substrate 101, (b) a step of giving a catalyst element 106 for expediting to crystallize the amorphous semiconductor film 104, and (c) a step of crystallizing the amorphous semiconductor film 104 by heating in an atmosphere containing Ar gas to obtain a crystalline semiconductor film 104b. - 特許庁

バリヤ層の一部を構成するスペーサ層（１０５）およびショットキー接合形成層（１０７）を、Ｐを一成分元素ととして含むアンドープの化合物半導体層（ＩｎＰ、ＧａＰ、ＡｌＰなど）から形成し、スペーサ層（１０５）のショットキー接合形成層（１０７）に接する面に、炭素のプレーナドープ層（１０６）を形成する。例文帳に追加

A spacer layer (105) and a Schottky junction forming layer (107) for forming a portion of a barrier layer are formed of an undoped compound semiconductor layer (InP, GaP, AlP, etc.) including P as a component element, and the carbon planar doped layer (106) is formed in the surface of the spacer layer (105) which has contact with the Schottky junction forming layer (107). - 特許庁