光学フォノンの英語

これらのフォノンを防止する１つの方法は、上部レベルのエネルギー間隔を、活性領域内の光学フォノンのエネルギーより小さくすることである。例文帳に追加

An energy interval of the central wave length is larger than a larger line spreading energy of the first and the second and a means of preventing of a buffering of electrons from the fourth level to the third level. - 特許庁

超高圧を用いずに気相より得られ、ラマンスペクトルにおいて1305cm^-1近傍に光学的縦波モードのフォノンによる特性散乱または1056cm^-1近傍に光学的横波モードのフォノンによる特性散乱のいずれか、あるいは両方の特性散乱を明瞭に示す立方晶窒化ホウ素膜。例文帳に追加

The cubic boron nitride film is obtained by a gas phase without using ultrahigh pressure and clearly exhibits, in the Raman spectrum, either the characteristic scattering by a phonon of a longitudinal optical mode in the vicinity of 1,305 cm^-1 or the characteristic scattering by a phonon of a transverse optical mode in the vicinity of 1,056 cm^-1 or both the characteristic scattering. - 特許庁

超高圧を用いずに気相より得られ、ラマンスペクトルにおいて1305cm^-1近傍に光学的縦波モードのフォノンによる特性散乱または1056cm^-1近傍に光学的横波モードのフォノンによる特性散乱のいずれか、あるいは両方の特性散乱を明瞭に示す立方晶窒化ホウ素。例文帳に追加

This cubic system boron nitride is obtained from a vapor phase without using a superhigh pressure and clearly shows either characteristic scattering by a phonon of an optical longitudinal wave mode in the vicinity of 1,305-1 in a Raman spectrum or a characteristic scattering by a phonon of an optical transverse wave mode in the vicinity of 1,056-1 or both the characteristic scatterings. - 特許庁

該圧縮応力は、ナノ結晶格子の振動モードを変化させ、分光学的手段により読み取り可能である、対応するラマンフォノンバンドのエネルギー位置を上下にシフトさせる。例文帳に追加

The compressive stress varies a vibration mode of a nano crystal lattice to shift the energy position of a corresponding raman phonon band higher or lower, which can be read by a spectroscopic means. - 特許庁

この超短パルス照射と同期して電圧パルス印加回路（１０）から、量子井戸の励起子振動のエネルギ差ΔＥが、コヒーレント縦光学フォノンの振動エネルギ（ＥＬＯ）と等しくなるように、サブバンドの正孔エネルギ準位（ＨＨ１，ＨＨ２）を調整する。例文帳に追加

Positive hole energy levels (HH1, HH2) of the subbands are adjusted by a voltage pulse applying circuit (10) synchronizing with the ultra short pulse irradiation, so that a difference (ΔE) of exciton oscillation energy of the multiple quantum well is equal to an oscillation energy (ELO) of coherent longitudinal optical phenons. - 特許庁

また、ドーパント元素ドープＧｅのラマン散乱分光測定で観測される前記ドーパント元素の局在振動ピークの強度を、２９０〜３０１ｃｍ^−１に観測されるＧｅの光学フォノンピーク強度を基準として規格化することによって求め、予め作成されている前記ドーパント元素の濃度と局在振動ピーク強度の比較データ（検量線）から、Ｇｅ中にドープされたドーパント元素の濃度を測定する。例文帳に追加

The strength of the localized oscillating peak of the dopant element observed by the Raman scattering spectrometry of a dopant atom dope Ge is determined by standardizing based on the optical phonon peak strength of Ge observed at 290-301 cm^-1, and the concentration of a dopant element doped in Ge is measured from the comparison data (calibration curve) between the concentration of the dopant element and the localized oscillating peak strength that are previously prepared. - 特許庁