前書きの英語

こうして、１回の消去動作時に行われる消去前書き込みの領域を従来の１/４にして、消去前書き込みパルス印加時間および書き込みベリファイ時間を短縮し、低電圧化に伴う消去前書き込み時間の増加を低減する。例文帳に追加

Thereby, a write-in before erasure region performed at the time of erasure operation of one time is made 1/4 of conventional one, an applying time of a write-in pulse before erasure and a write-in-verify time are shortened, and increasing the write-in time before erasure accompanying the lowering of voltage is reduced. - 特許庁

発句が中心となって文章はその前書き、詞書としての性格が強い。例文帳に追加

The main component of the book is haikai poetry, and prose is used for the foreword and captions for the poetry.発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

その前書きによると初出版以来8年間で合計約70万冊が売れたとの事である。例文帳に追加

According to the preamble, 700,000 copies were sold during the eight years since the first was published.発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

書き込み制御回路(3〜8)は、第１、第２のメモリセルに同時に、これらの書き込み状態に依らず、第１の事前書き込みパルスを印加し、印加後、第１、第２のメモリセルに同時に、これらの書き込み状態に依らず、第１の事前書き込みパルスより第１の電位差だけ高い第２の事前書き込みパルスを印加する。例文帳に追加

The write control circuits (3 to 8) simultaneously apply the first prior pulse to the first and second memory cells independently of the write state of them, and then simultaneously apply the second prior write pulse higher than the first write pulse by a first voltage independently of the write state of them. - 特許庁

中心となっているのは index.html という名前のファイルで、目次や前書き、文書の他の部分へのリンクが含まれています。例文帳に追加

The main one is called index.html, which will contain the table of contents, introductory material, and links to the other parts of the document.発音を聞く  - FreeBSD

各メモリセルに対して、消去前書き込みを行うステップ（Ｓ２１，Ｓ２２）と、消去を行うステップ（Ｓ２３，Ｓ２４）とを有する。例文帳に追加

The method has steps (S21, S22) performing write before erasing for each memory cell and steps (S23, S24) performing erasing. - 特許庁

事前書き込み期間と書き込み期間とがトータルされた書き込み時間を短縮することが可能な不揮発性半導体記憶装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a nonvolatile semiconductor storage device capable of reducing total write time, a sum of prior write time and write time. - 特許庁

消去前書き込みを行うときの電圧印加条件を通常の書き込みを行うときの電圧印加条件よりも緩和して、上記消去前書き込み後のメモリセルのしきい値電圧分布を、通常の書き込み後のメモリセルのしきい値電圧分布とは実質的に異ならせる。例文帳に追加

Threshold voltage distribution of a memory cell after write before erasing is made to differ substantially from threshold voltage of the memory cell after normal write by relaxing a voltage applying condition at the time of write before erasing compared with voltage applying condition at normal write. - 特許庁