Another preferred chemical precursor is a mixture of an N-containing chemical precursor with an Si-containing chemical precursor that contain 9.5 wt.% or lower hydrogen.例文帳に追加

他の好適な化学前駆体が，9.5重量％以下の水素を含むSiを含む化学前駆体と，Nを含む化学前駆体との混合物である。 - 特許庁

The nitramine compound contains a structural element of the general chemical structure formula R-N-NO_2, where R is a residual group.例文帳に追加

ニトラミン化合物は一般的な化学構造式：R-N-NO_2（式中、Rは残基である）の構造要素を含む。 - 特許庁

Chemical precursors of the formula (F3C)4-m-nMXmRn are preferred, wherein M is Si or Ge, X is halogen, R is H or D, m is 0, 1, 2 or 3, and n is 0, 1, 2 or 3, with the provision that (m+n)≤3.例文帳に追加

化学式(F_3C)_4-m-nMX_mR_nの化学前駆体が好適であり、ここでMはSi若しくはGeであり、Xはハロゲンであり、RはH若しくはDであり、mは0、1、2若しくは3であり、nは0、1、2若しくは3であり、条件(m+n)≦3を有する。 - 特許庁

A nonaqueous electrolyte secondary cell contains an electrolyte salt represented by a formula: ABF_4-n(C_mF_2m+1)_n (wherein, n=1 to 4; m=1 to 3; A is an alkaline metal).例文帳に追加

化学式ＡBF_4-n(C_mF_2m+1)_n (n=1〜４、ｍ＝１〜３、Ａはアルカリ金属)で示される電解質塩を非水電解質二次電池に含有させる。 - 特許庁

The objective 1,2-dithiophen-yl-ethylene derivative has a chemical structure expressed by the following chemical formula (1) (X and Y are each C or N; and R and R' are each H, an alkyl, an alkoxy, a trisalkylsiloxy or a trisalkylsiloxymethyl group).例文帳に追加

下記化学式（１）に記載の化学構造を有することを特徴とする１，２−ジチオフェン−イル−エチレン誘導体。 - 特許庁

The method for producing the B,B',B"-trialkyl-N,N',N"-trialkylborazine comprises reaction between a trialkylborane of chemical formula 1 and an alkylamine of chemical formula 2 under pressure.例文帳に追加

下記化学式１で表されるトリアルキルボランと、下記化学式２で表されるアルキルアミンとを、加圧下で反応させる、Ｂ，Ｂ’，Ｂ”−トリアルキル−Ｎ，Ｎ’，Ｎ”−トリアルキルボラジンの製造方法。 - 特許庁

The L-n-butylphthalide is obtained by first chemically synthesizing a racemic body of n-butylphthalide and chemically dividing the racemic body into two structural components in order to produce a levorotatory isomer of the n-butylphthalide.例文帳に追加

該Ｌ−ｎ−ブチルフタリドは、まず化学的にｎ−ブチルフタリドのラセミ体を化学的に合成し、ｎ−ブチルフタリドの左旋光性を有する光学的な異性体を生成するために該ラセミ体を化学的に２つの構成成分に分割することによって得られる。 - 特許庁

The chemical formula 1 is [N-(R)_4]^+-OH^- wherein R is a 1-5C alkyl group.例文帳に追加

［化学式１］ ［Ｎ−（Ｒ）_４］^＋・ＯＨ^− 前記式で、Ｒは炭素数が１〜５のアルキル基である。 - 特許庁

In the chemical formula 1, n is 0 to 3 and R' and R" are each H or a methyl group.例文帳に追加

この化学式１において、ｎは０〜３、Ｒ′、Ｒ″はＨまたはメチル基である。 - 特許庁

The phenoxy resin composition for a transparent plastic substrate contains a phenoxy resin having a chemical structure of formula (1) wherein n is ≥35 and ≤400.例文帳に追加

本発明に係る透明プラスチック基板用フェノキシ樹脂組成物は、下記に示す化学式１の化学構造を有するフェノキシ樹脂を含み、フェノキシ樹脂を含む化学式１のｎは、３５以上４００以下であることを特徴とする。 - 特許庁

This invention relates to new fluorescent chemical entities, especially fluorescent molecules that comprise biocompatible N, N-disubstituted sulfonamide fluorochromes.例文帳に追加

本発明は、新規の蛍光性化学物質、特に、生体適合性Ｎ，Ｎ−二置換スルホンアミド蛍光色素を含む蛍光分子に関する。 - 特許庁

This ink composition comprises an amine alcohol compound of chemical formula 1 [(n) is an integer of 0≤(n)≤9], a colorant, and a solvent.例文帳に追加

下記化学式１のアミンアルコール化合物、着色剤及び溶媒を含むインク組成物（下記式で、ｎは、０≦ｎ≦９の整数である）。 - 特許庁

And, in the third example, the copolymerization is carried out in the presence of N,N'- alkylenebisamide or an amide expressed by chemical formula R1-NH-CO-R2.例文帳に追加

好ましい第３実施例ではＮ，Ｎ'−アルキレンビスアミドまたは化学式Ｒ１−ＮＨ−ＣＯ−Ｒ２のアミドの存在下で共重合を行う。 - 特許庁

In this case, as the heteropolyacid hydrate, 12-molybdophosphoric acid n hydrate (chemical formula: H_3PMo_12O_40nH_2O) or 12-tungstophosphoric acid n hydrate (chemical formula: H_3PW_12O_40nH_2O) is preferably used.例文帳に追加

この際、ヘテロポリ酸水和物として、１２−モリブドリン酸ｎ水和物（化学式：Ｈ_3ＰＭｏ_12Ｏ_40・ｎＨ_2Ｏ）又は１２−タングストリン酸ｎ水和物（化学式：Ｈ_3ＰＷ_12Ｏ_40・ｎＨ_2Ｏ）を用いるのが好ましい。 - 特許庁

Peroxidase activity is determined in high sensitivity in the presence of a hydrogen acceptor in a chemiluminescent system using a chemiluminescent reagent containing a chemiluminescent substance produced by adding an amino-alcohol compound such as monoethanolamine during and/or after the photochemical reaction of an N,N'-disubstituted-9,9'-bisacridinium salt in the presence of an N,N-disubstituted-carboxylic acid amide compound under light irradiation.例文帳に追加

Ｎ，Ｎ’−ジ置換−９，９’−ビスアクリジニウム塩類をＮ，Ｎ−ジ置換カルボン酸アミド化合物の存在下において光照射により反応させる際に、その反応時及び／又は反応後にアミノアルコール化合物を添加することにより得られる化学発光性物質を含有する化学発光試薬を用いる化学発光系により、水素受容体の存在下にペルオキシダーゼ活性を高感度で測定する方法。 - 特許庁

To provide a reactor and a reaction process, in each of which a toxic chemical substance containing one or more of N,N-dimethylformamide, acrylonitrile and acetonitrile can surely be decomposed economically.例文帳に追加

N,N-ジメチルホルムアミド、アクリロニトリル、アセトニトリルの１種以上を含む有害化学物質の分解反応について、確実かつ経済的な反応器と反応プロセスを提供する。 - 特許庁

A peroxidase enzyme is used as the luminescence reaction inducer, a chemical luminescence reagent containing a charge movement complex of N,N'-di-substitution-9,9' bisacridinium saline is allowed to operate on the enzyme under the existence of a hydrogen acceptor for emitting light.例文帳に追加

発光反応誘導性物質としてペルオキシダーゼ酵素を用い、酵素に水素受容体の存在下にN,N'−ジ置換−9,9'−ビスアクリジニウム塩類の電荷移動錯体を含む化学発光試薬を作用させて発光させる。 - 特許庁

To provide a method for purifying S, S-ethylenediamine-N,N'-disuccinic acid or its salt, by which impurities contained in the S, S-ethylenediamine-N,N'-disuccinic acid or its salt can efficiently be removed to improve the chemical purity of the product and ensure the stability of the quality and performance.例文帳に追加

ＳＳ−エチレンジアミン−Ｎ，Ｎ’−ジコハク酸およびその塩に含まれるフマル酸等の不純物を効率的に除去し、製品の化学純度を向上させると共に、品質および性能の安定性を確保する。 - 特許庁

In the chemical Formula (1), R is an (N,N-disubstituted)arylamine group; Q contains an aromatic hydrazone linking group; Y contains a bridging group between R-Q- groups; and n is an integer between 2 and 6.例文帳に追加

この化学式（Ｉ）で，Ｒは（Ｎ，Ｎ−二置換された）アリールアミン基であり，Ｑは芳香族ヒドラゾン連結基を含み，ＹはＲ−Ｑ−基間に架橋基を含み，また，ｎは２〜６の整数である。 - 特許庁

In one version, the protected anti-neoplastic agent has the chemical formula Hyp-L-N or Hyp-N, where Hyp is a hypoxic activator, L is a linking group, and N is an anti-neoplastic agent.例文帳に追加

一例において、保護抗新生物剤は、化学式Ｈｙｐ−Ｌ−Ｎ又はＨｙｐ−Ｎを有し、式中、Ｈｙｐは低酸素活性剤であり；Ｌは連結基であり；並びにＮは抗新生物剤である。 - 特許庁

The ratio of the ingredients A and B is 5-80 wt.% of A and 95-20 wt.% of B respectively based on the sum amount of the ingredients A and B.例文帳に追加

化学式 ； HO−(XO)_m −ZO−(YO)_n −OH （１） （式中、Ｚはダイマージオール残基で、ＸおよびＹは同一または異なる炭素数２〜４のアルキレン基で、またm およびn は、それぞれ０以上の同一または異なる整数であり、かつ２≦m ＋n ≦４０である。） - 特許庁

Titanium oxide is most preferable as the n-type semiconductor because it is stable chemically and photochemically and fine grains of various grain sizes can be produced by a variety of production processes.例文帳に追加

ｎ型半導体として酸化チタンが化学的にも光化学的にも安定であり製造方法も多様であって、各種粒経の微粒子を製造できるので最も好ましい。 - 特許庁

Since the nitride is formed at a stoichiometric ratio of 1:1 of Nb:N in the NbN base layer 14, the formed metal nitride and nitride semiconductors display the same stoichiometric ratio.例文帳に追加

さらに、ＮbＮベース層１４におけるＮbはＮと１：１の化学量論比で窒化物を形成するために、形成され金属窒化物と窒化物半導体とは同一の化学量論比を呈する。 - 特許庁

In the process related to a plasma-enhanced chemical vapor-phase deposition (PECVD) for depositing a nitrogen-doped silicon carbide (Si-C-N) material, a nitrogen gas (N_2) aids chemical precursors for silicon and carbon.例文帳に追加

炭素窒化物シリコン（Ｓｉ−Ｃ−Ｎ）材料を蒸着するための処理はプラズマ強化化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）に関し、そこではシリコン及び炭素用の化学前駆物質が窒素ガス（Ｎ２）によって補助される。 - 特許庁

An electrode for electrochemical elements is configured to include at least a titanate nanosheet represented by a chemical formula H_2Ti_8O_17-nH_2O(n=0 to 2.0), and a carbon material for imparting an electrical conductivity.例文帳に追加

化学式がＨ_2 Ｔｉ_8 Ｏ_17・ｎＨ_2 Ｏ（ｎ＝０〜２．０）で表される８チタン酸ナノシートと導電性を付与するための炭素材料とを少なくとも含ませて電気化学素子用電極を構成する。 - 特許庁

A developing processing sheet 24 and a fixing processing sheet 34 are successively overlapped on/peeled from the film N in accordance with a chemical reaction stage, so that the multistage chemical reaction is executed.例文帳に追加

このフィルムＮには、化学反応工程に応じて現像処理シート２４、定着処理シート３４が順次重ね合わされては剥離され、多段階の化学反応が行われる。 - 特許庁

Alternatively, the electrode for electrochemical elements is configured to include a complex consisting of 8 titanate nanosheet represented by a chemical formula H_2Ti_8O_17-nH_2O(n=0 to 2.0) and a carbon material as an active substance.例文帳に追加

また、化学式がＨ_2 Ｔｉ_8 Ｏ_17・ｎＨ_2 Ｏ（ｎ＝０〜２．０）で表される８チタン酸ナノシートと炭素材料との複合体を活物質として電気化学素子用電極を構成する。 - 特許庁

Where, SD is a sensitizing dye residue, X is a substituent group which changes to an absorptive group in a chemical reaction caused by a physical or chemical means, and n is an integer more than or equal to 1.例文帳に追加

（ＳＤは増感色素残基を示し、Ｘは物理的または化学的手段により化学反応を起こして吸着性基に変化する置換基を示す。ｎは１以上の整数である。） - 特許庁

This amphiphilic compound is expressed by chemical formula I [wherein, (m) is 3-16; and (n) is 1-6] or the compound obtained by replacing -NH- in chemical formula I with -O-.例文帳に追加

両親媒性化合物は、下記化学式Ｉ（式中、ｍは３〜１６、ｎは１〜６である）または、化学式Ｉの−ＮＨ−を−Ｏ−に置き換えた化合物である。 - 特許庁

The imidazopyridine-based compound has chemical formula 1 (wherein R_1 to R_12, L_1, L_2, Ar_1, Ar_2, p, q, m and n are described in the detailed description of the present invention).例文帳に追加

下記化学式１を有するイミダゾピリジン系化合物： 前記化学式１中、Ｒ_１ないしＲ_１２、Ｌ_１、Ｌ_２、Ａｒ_１、Ａｒ_２、ｐ、ｑ、ｍ及びｎは、発明の詳細な説明を参照する。 - 特許庁

But, Ar1, Ar2 denote arylene group, R1R2R3R4 denote substituents, and n denotes a copolymer ratio.例文帳に追加

但し、化学式（１）において、Ａｒ^1 、Ａｒ^2 はアリーレン基、Ｒ^1 、Ｒ^2 、Ｒ^3 、Ｒ^4 は置換基を示し、ｎは共重合比を示す。 - 特許庁

Aluminum hydroxide expressed by the chemical formula of Al_2O_3-nH_2O with n ranging from 1.8 to 2.7 is used.例文帳に追加

化学式が、Ａｌ_2Ｏ_3・ｎＨ_2Ｏで示され、ｎが、１．８〜２．７の範囲内である水酸化アルミニウムを用いる。 - 特許庁

An i-type amorphous silicon film 2 is then formed on the major surface of the n-type single crystal silicon substrate 1 by plasma CVD (chemical vapor deposition).例文帳に追加

次に、プラズマＣＶＤ（化学蒸着）法によりｎ型単結晶シリコン基板１の主面上にｉ型非晶質シリコン膜２を形成する。 - 特許庁

In chemical formula (II), A is an aliphatic hydrocarbon group; E is O; and n is ≥1 but ≤5 integer.例文帳に追加

また、化学式（II）中のＡは脂肪族炭化水素基であり、ＥはＯであり、ｎは１以上５以下の整数である。 - 特許庁

To provide a method for producing an optically active N-alkyl-3- hydroxypyrrolidine having a high chemical purity and a high optical purity at a low cost in a high yield.例文帳に追加

高化学純度で高光学純度の光学活性Ｎ−アルキル−３−ヒドロキシピロリジンを安価且つ高収率で製造する方法の提供。 - 特許庁

The microorganisms decompose dichloro-dibenzo-p-dioxin in the dioxins represented by general formula (1), (in the formula m, n are each an integer of 0-4).例文帳に追加

この微生物を用いることにより、下記化学構造で表されるダイオキシン類のうち、二塩素化ジベンゾ−ｐ−ジオキシンの分解が可能となる。 - 特許庁

To form a chemically and mechanically stable protective film without reducing electromagnetic characteristics, especially the S/N ratio of a perpendicular magnetic recording medium.例文帳に追加

垂直磁気記録媒体において、媒体の電磁気特性、特にＳ／Ｎ比を低下させることなく、化学的および機械的に安定は保護膜を形成する。 - 特許庁

The abrasive-resistant coating coated tool is also constituted by alternately performing the coating of at least one layer of chemical composition generally expressed by (TiAl)N with each other.例文帳に追加

また一般的（ＴｉＡｌ）Ｎで示される化学組成からなる層を交互に夫々１層以上被覆して構成する。 - 特許庁

The polymer acquired in such a way is utilized as molded material, such as a fiber and a film, or this polymer is reduced with a reducing agent or by an electrochemical doping and is utilized as an N-type semiconductor material.例文帳に追加

この重合体を、還元剤又は電気化学的ドーピングにより還元してｎ型半導体として利用することができる。 - 特許庁

Further, the material is controlled to be n-type, so that the total number of the valence electrons is >24 and ≤24.5.例文帳に追加

また、化学式当たりの総価電子数が２４を超え、２４．５以下になるようにしてｎ型に制御されている。 - 特許庁

The ionic polymer having repeating units represented by the general formula (I) [(n) is an integer of 3 to 9; M_1^+ is an alkali metal ion], an electrolyte using the same, and an electrochemical device using the same.例文帳に追加

一般式（Ｉ）で表わされる繰り返し単位構造を有するイオン性ポリマー、並びに、これを用いた電解質及び電気化学デバイス。 - 特許庁

Thus, it is possible to make the composition ratio of Ga and N on the surface of the GaN system semiconductor layer close to a stoichiometric composition ratio.例文帳に追加

本発明によれば、ＧａＮ系半導体層の表面のＧａとＮの組成比を化学量論的組成比に近づけることができる。 - 特許庁

In the chemical formula 1, M1 and M2 can be selected from metals or metal oxides, R represents a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, an amino group, a hydroxysulfonyl group, an aminosulfonyl group, an alkyl group, an alkyl group having a 1-20C substituent, and n is a constant of 0-3.例文帳に追加

<化学式1>前記化学式1でM1とM2はそれぞれ金属または金属酸化物から選択することができるし、Rは水素原子、ハロゲン原子、水酸基、アミノ基、ヒドロキシサルフォニル基、アミノサルフォニル基、アルキルグループ、炭素数 1~20の置換基を持つアルキルグループであり、nは 0〜3の定数である。 - 特許庁

Assuming that an optional atom in the molecule is α, and that n is a number used as the number of all electrons existing in the molecule in quantum chemical calculation, and that n_α is the number of electrons belonging to the atom α, the magnitude of the value of the difference δn_α/δn is used as an index of the degree of chemical activity of the atom α.例文帳に追加

分子内の任意の原子をαとし、ｎを量子化学計算において前記分子内に有る全電子の個数として用いる数とし、ｎ_αを原子αに属する電子の個数とするとき、差分、δｎ_α／δｎ、の値大きさを、原子αの化学的活性度の高さの指標として用いる。 - 特許庁