反成長のの英語

半導体ウェハ気相成長用の原料ガス均一輸送反応管例文帳に追加

UNIFORM TRANSPORTATION REACTION TUBE OF RAW MATERIAL GAS FOR SEMICONDUCTOR WAFER VAPOR-PHASE GROWTH - 特許庁

気相軸付成長用反応容器及びその製造方法例文帳に追加

REACTION CHAMBER FOR VAPOR PHASE AXIAL DEPOSITION AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

窒化ガリウムの結晶成長反応は、７００℃以上の反応温度において行うことが好ましい。例文帳に追加

The crystal growth reaction of gallium nitride is preferably carried out at a reaction temperature not lower than 700°C. - 特許庁

その反応が、不均一相の化学反応であったり、結晶成長であることもある。例文帳に追加

The reaction may be a heterogeneous reaction or a crystal growth. - 特許庁

エピタキシャル成長の反応中に、エピタキシャル成長炉内に置かれた成長ウエハのエピタキシャル成長の状況を観察して、その結果を制御系にフィードバックする。例文帳に追加

To observe the epitaxially growing state of a growing wafer place in an epitaxial growth furnace during epitaxially growing reaction and to feed back the observed results to a control system. - 特許庁

横形反応管を用いる気相成長において、大型の基板の気相成長あるいは複数枚の基板の同時気相成長を行なう場合であっても、気相成長温度を高温度に設定して気相成長を行なう場合であっても、基板上に均一で結晶性が良好な半導体膜を効率よく気相成長させることができる気相成長装置あるいは気相成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide vapor growth equipment or a vapor growth method, which enables effectively vapor growth of a uniform semiconductor film excellent in crystallinity on a substrate, when vapor growth of a large substrate or simultaneous vapor growth of a plurality of substrates is performed, and when a vapor growth temperature is set at a high temperature and vapor growth is performed, in vapor growth using a horizontal type reaction tube. - 特許庁

横形反応管を用いる気相成長において、大型の基板の気相成長あるいは複数枚の基板の同時気相成長を行なう場合であっても、気相成長温度を高温度に設定して気相成長を行なう場合であっても、基板上に均一で結晶性が良好な半導体膜を効率よく気相成長させることができる気相成長装置あるいは気相成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus and a method for vapor phase epitaxy, which can effectively grow a uniform semiconductor film having adequate crystallinity on a substrate through vapor phase epitaxy, both when performing vapor phase epitaxy on a large-scale substrate or simultaneously on several substrates, and when performing the vapor phase epitaxy set at high temperature, in a vapor phase epitaxy with the use of a horizontal type reaction tube. - 特許庁

常圧気相成長および減圧気相成長が可能な気相成長装置１０の反応容器１内に配置したシリコン単結晶基板３の主表面上にシリコンエピタキシャル層を減圧気相成長する。例文帳に追加

The substrate 3 is arranged in a reaction vessel 1 of vapor growth equipment 10 capable of ordinary pressure vapor growth and low pressure vapor growth. - 特許庁