可逆的な経路の英語

抵抗変化メモリ装置は、電圧又は電流印加により抵抗状態が可逆的に遷移する可変抵抗素子とダイオードを直列接続して構成されるメモリセルＭＣと、前記メモリセルの電流経路に直列に接続されて、前記メモリセルの抵抗状態遷移に伴う動作点移動によりその抵抗状態遷移を安定化させる状態遷移安定化用トランジスタＭＰ，ＭＮとを有する。例文帳に追加

The resistance change memory device includes a memory cell MC configured by serially connecting a variable resistance element whose resistance state is reversibly changed by voltage or current application and a diode, and state transition stabilizing transistors MP and MN serially connected to the current path of the memory cell to stabilize the resistance state transition of the memory cell by an operation point movement due to the resistance state transition. - 特許庁