The optical film contains a polyimide polymer represented by general formula (V).例文帳に追加

下記一般式（V）で表されるポリイミド系ポリマーを含む光学フィルム。 - 特許庁

(v) bonds (including those issued by a mutual company; the same shall apply hereinafter);発音を聞く 例文帳に追加

五　社債券（相互会社の社債券を含む。以下同じ。） - 日本法令外国語訳データベースシステム

The titanium alloy may contains V or Nb.例文帳に追加

またさらに、ＶまたはＮｂを含むチタン合金とする。 - 特許庁

This deodorant contains 20 v% or more of ethanol.例文帳に追加

エタノールを２０ｖ％以上含む消臭剤である。 - 特許庁

The piezoelectric ceramic contains ( NI_0.5Bi_0.5){Ti_1-x(In_0.5 MV_0.5)_x/2}O_3.例文帳に追加

（Ｎ^I _0.5 Ｂｉ_0.5 ）｛Ｔｉ_1-x （Ｉｎ_0.5 Ｍ^V _0.5 ）_x/2 ｝Ｏ__3 を含む。 - 特許庁

The V-I converters include a switch element SWO.例文帳に追加

Ｖ・Ｉ変換器は、スイッチ素子ＳＷ0を含む。 - 特許庁

The dyeing composition comprises the components (i), (ii), (iii), (iv) and (v).例文帳に追加

本発明の別の主題は、成分i)からv)を含む多区画デバイス及び成分i)、ii)、iii)、iv)及びv)を含む染色組成物である。 - 特許庁

The dyeing composition comprises the components (i), (ii), (iii), (iv) and (v).例文帳に追加

本発明の別の主題は、成分i)からv)を含む多区画デバイス及び成分i)からv)を含む染色組成物である。 - 特許庁

The composition comprises a chaotropic agent, a buffering substance, and 0.5 to 5%(V/V) of polidocanol or a derivative thereof.例文帳に追加

−カオトロピック剤、−緩衝物質、および−0.5〜5％（V/V）ポリドカノールまたはその誘導体を含む組成物。 - 特許庁

To improve the characteristics of a semiconductor device using III-V compound mixed crystal semiconductor materials containing In and III group elements other than In and N, and V group elements other than N.例文帳に追加

InとIn以外のIII族元素、NとN以外のV族元素を含むIII−V族化合物混晶半導体材料を用いた半導体装置の特性を向上させる。 - 特許庁

The semiconductor laser 1 is also provided with a group III-V compound semiconductor layer 11 provided on the group III-V compound semiconductor layer 9 and containing a phosphorous element, and a group III-V compound semiconductor layer 13 provided on the group III-V compound semiconductor layer 11 and containing an arsenic element.例文帳に追加

また、半導体レーザ１は、III−V族化合物半導体層９上に設けられリン元素を含むIII−V族化合物半導体層１１と、III−V族化合物半導体層１１上に設けられヒ素元素を含むIII−V族化合物半導体層１３とを備える。 - 特許庁

The first transmission medium is disposed at the rear surface of the substrate and comprises a plurality of V-shaped prisms.例文帳に追加

第一伝送媒体は基板背面に設置され、複数のV字型プリズムを含む。 - 特許庁

The ferritic stainless steel also preferably includes one or two elements of Cu and V in a range satisfying a particular correlation expression.例文帳に追加

Cu、Vのいずれか1種または2種を特定の相関式を満たす範囲で含むことが好ましい。 - 特許庁

The semiconductor laser 1 is provided with a group III-V compound semiconductor layer 5, an active layer 7 provided on the group III-V compound semiconductor layer 5, and a group III-V compound semiconductor layer 9 provided on the active layer 7 and containing a phosphorous element.例文帳に追加

半導体レーザ１は、III−V族化合物半導体層５と、III−V族化合物半導体層５上に設けられた活性層７と、活性層７上に設けられリン元素を含むIII−V族化合物半導体層９とを備える。 - 特許庁

The III-V compound semiconductor film contains gallium and indium as group III elements and arsenic, phosphorus, and nitride as group V elements.例文帳に追加

III−Ｖ族化合物半導体膜は、III族元素としてガリウム及びインジウムを含むと共に、Ｖ族元素として砒素、燐及び窒素を含む。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR LASER COMPRISING GROUP III-V SEMICONDUCTOR CONTAINING NITROGEN例文帳に追加

窒素を含むＩＩＩ−Ｖ族半導体を用いた半導体レーザ - 特許庁

The armature winding includes U-phase, V-phase, and W-phase winding.例文帳に追加

電機子巻線はＵ相、Ｖ相及びＷ相巻線を含む。 - 特許庁

At least one layer contains a group III-V porous semiconductor material.例文帳に追加

少なくとも１つの層が多孔性のＩＩＩ−Ｖ族半導体材料を含む。 - 特許庁

The piezoelectric constant is improved by containing (In_0.5MV_0.5).例文帳に追加

（Ｉｎ_0.5 Ｍ^V _0.5 ）を含むことにより圧電定数の向上が図られる。 - 特許庁

(v) "Initiatives" and "Management challenges" including "Indicators" (6 to 10 pages)例文帳に追加

⑤「具体的行動計画」及び「指標」を含む「経営課題」（6～10ページ） - 経済産業省

A new atorvastatin calcium Form V, a method for producing the new Form-V compound, and further a pharmaceutical composition including the new Form-V compound and a dosage form are provided.例文帳に追加

アトルバスタチンカルシウムの新規Ｖ型、当該新規Ｖ型の製造方法、並びに当該新規Ｖ型を含む医薬組成物及び剤形。 - 特許庁

This method for manufacturing the carrier for ligand binding, which includes gelatine and gum arabic, is characterized by comprising a process for preparing the carrier for ligand binding by mixing the gelatine and gum arabic in a water solution containing water-soluble organic solvent at a concentration of 20 to 40 (v/v)%.例文帳に追加

ゼラチンおよびアラビアゴムを含むリガンド結合用担体の製造方法であって、水溶性有機溶媒を２０〜４０（v/v）％の濃度で含む水溶液中でゼラチンおよびアラビアゴムを混合し、リガンド結合用担体を調製する工程を含むことを特徴とする方法。 - 特許庁

The V-Ni alloy plate is provided with front and rear surfaces covered with an alloy containing Pd or an alloy containing Pd, and the V-Ni alloy plate containing nitrogen of 5-30 atom.% and having a thickness of 0.1 mm-0.001 mm is mounted as a partition film by which hydrogen is purified.例文帳に追加

表裏両面がPd又はPdを含む合金で被覆され、５〜30原子%のNiを含む厚さ0.1 mm〜0.001mmのV-Ni合金が、隔膜として装着され、この隔膜により水素を純化する。 - 特許庁

Since water vapor V is mixed with the fluorine compound-containing exhaust gas G1 and obtained mixture is subjected to pyrolysis, treated gas G2 containing acidic gases GA such as hydrogen fluoride and a large quantity of water vapor V is produced after pyrolysis.例文帳に追加

フッ素化合物を含有する排ガスG1に水蒸気Vを混合して加熱分解しているので、加熱分解後にはフッ化水素などの酸性ガスGAと多量の水蒸気Vとを含む処理済ガスG2が生成される。 - 特許庁

For all k (k=1,2,...,n), data ext_k(v^*) of all or some tuples including coincided data v^* are obtained in a predetermined order and then a set of ext_k(v^*) (k=1,2,...,n) of v_* of the same order is obtained.例文帳に追加

すべてのｋ（ｋ＝１，２，…，ｎ）について、一致データｖ^＊を含むタプルの全部または一部のデータｅｘｔ_ｋ（ｖ^＊）を所定の順序で取得した後に、同一の順序のｖ_＊のｅｘｔ_ｋ（ｖ^＊）（ｋ＝１，２，…，ｎ）の集合を取得する。 - 特許庁

The producing method includes the steps of blending Co-M master alloy powder and Co_u'O_v' powder into a corresponding formula (Co_aM_1-a)_f1'-(Co_u'O_v')_f2' and densifying the blended powders.例文帳に追加

この製造方法は、対応式(Ｃｏ_aＭ_1-a)_f1'−(Ｃｏ_u'Ｏ_v')_f2'になるようにＣｏ−Ｍ母合金粉末とＣｏ_u'Ｏ_v'粉末を混合する工程と、混合された粉末を緻密にする工程とを含む。 - 特許庁

The competitiveness of some industrial products, such as televisions (2.3 V 1.2), computer-related parts (1.8 V 0.8), IC chips (0.7 V 0.4),and communication devices, including cell phones (1.0 V 0.3) declined from 2000 with lower growth of exports than overall figures.例文帳に追加

また工業製品の中でも、テレビ（2.3 → 1.2）、コンピュータ関連部品（1.8 → 0.8）、集積回路（0.7 → 0.4）、携帯電話を含む通信機器（1.0 → 0.3）といった品目については、2000 年より競争力を低下させてきており、輸出額の伸びも全体より低くなっている。 - 経済産業省

Generally portable to/from non-BSD systems supporting clones of the BSD socket layer (including System V variants).発音を聞く 例文帳に追加

BSD ソケット層のクローンをサポートしている非 BSD システム(System V 系も含む) との間でだいたい移植性がある。 - JM

The nitride based III-V compound semiconductor device is manufactured by using a nitride based III-V compound semiconductor containing gadolinium(Gd).例文帳に追加

ガドリニウム（Ｇｄ）を含む窒化物系III−Ｖ族化合物半導体を用いて窒化物系III−Ｖ族化合物半導体装置を作製する。 - 特許庁

The first semiconductor layer and the second semiconductor layer are formed from a group III-V chemical compound semiconductor containing nitrogen as group-V elements.例文帳に追加

第１の半導体層及び第２の半導体層が、Ｖ族元素として窒素を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体で形成されている。 - 特許庁

To obtain an etchant for etching a group III-V compound semiconductor containing arsenic as a group V at a stable etching rate.例文帳に追加

Ｖ族として砒素を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を安定したエッチングレートでエッチングすることができるエッチング液を得る。 - 特許庁

The layer 5 is constituted of a III-V compound semiconductor containing an at least nitrogen element as a V group element.例文帳に追加

活性層５は、Ｖ族として少なくとも窒素元素を含むＩＩＩ−Ｖ系化合物半導体から構成されている。 - 特許庁

The well layers 21a and 21b are made of III-V compound semiconductor, containing at least nitrogen and arsenic as a group V element.例文帳に追加

井戸層２１ａ、２１ｂは、Ｖ族元素として窒素および砒素を少なくとも含むIII−Ｖ化合物半導体から成る。 - 特許庁

The active layer 5 is made of a group III-V based compound semiconductor containing at least nitrogen element as a group V.例文帳に追加

活性層５は、Ｖ族として少なくとも窒素元素を含むIII−Ｖ系化合物半導体から構成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which suppresses introduction of oxygen into a group III-V compound semiconductor layer containing Al due to growth interruption.例文帳に追加

成長中断による、Ａｌを含むIII-V族化合物半導体層への酸素の取り込みを抑制した半導体装置を提供すること。 - 特許庁

For a server 10, an A/V stream 11 is encoded and transmitted via a network 20, which contains jitter, to a client 30 as a transmission packet.例文帳に追加

サーバ10でA/Vストリーム11を符号化し、伝送パケットとしてジッタを含むネットワーク20を介してクライアント30に伝送する。 - 特許庁

The group III-V compound semiconductor region 13 of the first conductivity type contains an InP substrate 21 of the first conductivity type.例文帳に追加

第１導電型III−V化合物半導体領域１３は第１導電型のＩｎＰ基板２１を含む。 - 特許庁

The ferritic stainless steel preferably includes one or more elements among Cu, V, Ca, Mg and B in place of a part of Fe.例文帳に追加

Cr＋3Mo＋6Ni≧23 ・・・（A) Al／Nb≧10 ・・・（B) Feの一部にかえてCu、V、Ca、Mg、Bのいずれか1種または２種以上を含むことが望ましい。 - 特許庁

This processor is provided with a fetch part 10; arithmetic units V_A to V_E operable in parallel; and a register file part 100.例文帳に追加

本プロセッサはフェッチ部１０と、並列動作可能な演算ユニットＶ＿Ａ〜Ｖ＿Ｅと、レジスタファイル部１００を含む。 - 特許庁

The production method of compounds (III) or (V) represented by general formulae (III) or (V), respectively, comprises causing a compound represented by general formula (I) to react with compounds (II) or (IV) represented by general formulae (II) or (IV), respectively, under a non-acidic condition.例文帳に追加

化合物（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＶ）とを非酸性条件下で反応させることを含む（ＩＩＩ）、（Ｖ）の製造方法。 - 特許庁

This processor is provided with a fetch part 10, arithmetic units V_A to V_E operable in parallel and a register file part 100.例文帳に追加

本プロセッサはフェッチ部１０と、並列動作可能な演算ユニットＶ＿Ａ〜Ｖ＿Ｅと、レジスタファイル部１００を含む。 - 特許庁

The immunoconjugate including a curative agent or detectable labeled peptide is provided; wherein the curative agent or detectable labeled peptide is bound to a recombinant anti-CD-22 antibody having V_H containing cysteine on amino acid's 44 site and having V_L containing cysteine on amino acid's 100-site.例文帳に追加

アミノ酸44位でシステインを含むV_Hおよびアミノ酸100位でシステインを含むV_Lを有する組換え抗CD22抗体に結合した、治療剤または検出可能な標識ペプチドを含有する、組換え免疫複合体を提供することによって、上記課題は、解決された。 - 特許庁

v. Magnesium alloys comprised of 3 or more types of elements including aluminum and magnesium発音を聞く 例文帳に追加

５　アルミニウム及びマグネシウムを含む三種類以上の元素からなるマグネシウム合金 - 日本法令外国語訳データベースシステム

v) Political organizations: The purpose for political activities (including activities incidental thereto発音を聞く 例文帳に追加

五　政治団体　政治活動（これに付随する活動を含む。）の用に供する目的 - 日本法令外国語訳データベースシステム