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含りん銅の英語
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英訳・英語 high phosphorous copper
「含りん銅」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 402件
リンを含む耐食性青銅例文帳に追加
a corrosion-resistant bronze containing phosphorus発音を聞く - 日本語WordNet
銅含浸鉄−燐粉末金属例文帳に追加
電気メッキ用含燐銅陽極例文帳に追加
PHOSPHOROUS COPPER ANODE FOR ELECTROPLATING - 特許庁
電気銅めっき用含リン銅アノードおよびそれを用いた電解銅めっき方法例文帳に追加
PHOSPHORUS-CONTAINING COPPER ANODE FOR ELECTROLYTIC COPPER PLATING AND ELECTROLYTIC COPPER PLATING METHOD USING THE SAME - 特許庁
半導体ウエハへの電気銅めっきに使用する銅アノード又は含燐銅アノードを提供する。例文帳に追加
To provide a copper anode or a phosphorus-containing copper anode for use in electrolytic copper plating on a semiconductor wafer. - 特許庁
電気銅めっき用含リン銅アノードおよびそれを用いた電気銅めっき方法例文帳に追加
PHOSPHORUS-CONTAINING COPPER ANODE FOR ELECTRIC COPPER PLATING AND ELECTRIC COPPER PLATING METHOD USING THE SAME - 特許庁
銅メッキ用含リン銅母材の製造方法及びその製造装置例文帳に追加
METHOD FOR PRODUCING PHOSPHORUS-CONTAINED COPPER BASE MATERIAL FOR COPPER PLATING AND ITS PRODUCING APPARATUS - 特許庁
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Weblio例文辞書での「含りん銅」に類似した例文 |
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含りん銅
「含りん銅」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 402件
電気銅めっき用含リン銅アノード及びその製造方法例文帳に追加
PHOSPHOROUS-CONTAINING COPPER ANODE FOR ELECTRIC COPPER PLATING, AND ITS PRODUCTION METHOD - 特許庁
銅クロロフィリン塩含有液剤組成物例文帳に追加
LIQUID MEDICINE COMPOSITION INCLUDING SALT OF COPPER CHLOROPHYLLIN - 特許庁
銅アノード又は含燐銅アノード、半導体ウエハへの電気銅めっき方法及びパーティクル付着の少ない半導体ウエハ例文帳に追加
COPPER ANODE OR PHOSPHORUS-CONTAINING COPPER ANODE, METHOD FOR ELECTROPLATING COPPER ON SEMICONDUCTOR WAFER, AND SEMICONDUCTOR WAFER WITH PARTICLE NOT SIGNIFICANTLY DEPOSITED THEREON - 特許庁
電気銅めっき方法、電気銅めっき用含リン銅アノード及びこれらを用いてめっきされたパーティクル付着の少ない半導体ウエハ例文帳に追加
COPPER ELECTROPLATING METHOD, PHOSPHORUS-CONTAINING COPPER ANODE FOR COPPER ELECTROPLATING, AND SEMICONDUCTOR WAFER WITH MINIMAL PARTICLE ADHESION PLATED BY USING THEM - 特許庁
アノードスライムの発生およびメッキ欠陥の発生を抑えた半導体ウエハ等の電気銅メッキ用の含リン銅アノード電極、該含リン銅アノード電極の製造方法およびこの含リン銅アノード電極を用いた電気銅メッキ方法を提供する。例文帳に追加
To provide a phosphorus-containing copper anode electrode for copper electroplating of semiconductor wafer or the like wherein the production of anode slime and the occurrence of plating defect are suppressed, to provide a method of producing the phosphorus-containing copper anode electrode, and to provide a copper electroplating method using the phosphorus-containing copper anode electrode. - 特許庁
銅アノード又は燐を除く含燐銅アノードの純度が９９．９９ｗｔ％以上であり、不純物であるシリコンの含有量が１０ｗｔｐｐｍ以下である半導体ウエハへの電気銅めっきに使用する銅アノード又は含燐銅アノード。例文帳に追加
There is provided the copper anode or the phosphorus-containing copper anode for use in electrolytic copper plating on the semiconductor wafer, in which the purity of the copper anode or the phosphorus-containing copper anode excluding phosphorus is not less than 99.99% by weight, and the content of silicon as an impurity is not more than 10 ppm by weight. - 特許庁
含リン銅アノードを用いる電気銅めっき方法において、１５００μｍ（超）〜２００００μｍの結晶粒径を有する含リン銅アノードを用いることを特徴とする電気銅めっき方法。例文帳に追加
In the copper electroplating method using a phosphorus- containing copper anode, the phosphorus-containing copper anode having >1,500 to 20,000 μm grain size is used. - 特許庁
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