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英和・和英辞典で「基 n」に一致する見出し語は見つかりませんでしたが、
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「基 n」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 8086



例文

-[-R-N=C= N-]-n [I] (wherein R is an organic group, and n is an integer from 1 to 10000).例文帳に追加

(式中、Rは有機基、nは1〜10000の整数。) - 特許庁

A binarization circuit 16 compares color component data R(n), G(n) and B(n) which are obtained based on the signal Y0(t) with fixed decision reference value, binarizes them and generates binary data r(n), g(n) and b(n).例文帳に追加

この画像信号Y_0(t)に基づいて得られる色成分データR_(n)、G_(n)、B_(n)を二値化回路16により一定の判定基準値と比較して二値化し、二値データr_(n)、g_(n)、b_(n)を生成する。 - 特許庁

DENTAL MATERIAL BASED ON ALKYLENEDIAMINE -N,N,N',N'-TETRAACETIC ACID-(METH)ACRYLAMIDE例文帳に追加

アルキレンジアミン−N,N,N’,N’−四酢酸−(メタ)アクリルアミドに基づく歯科材料 - 特許庁

This cosmetic is characterized as comprising an N,N'-diacetyl basic amino acid and/or its salt.例文帳に追加

N,N'-ジアセチル塩基性アミノ酸および/またはその塩を含有することを特徴とする化粧料。 - 特許庁

FFT is applied to a reference image m(x, y) to acquire M(h, k), and FFT is applied to an image to be inspected n(x, y) to acquire N(h, k) (S402).例文帳に追加

基準画像m(x, y)にFFTを施してM(h, k)を得、被検査画像n(x, y)にFFTを施してN(h, k)を得る(S402)。 - 特許庁

METHOD FOR PURIFYING HOMOCYSTINE SUBSTITUTED WITH N,N'- DIACYL GROUP例文帳に追加

N,N’−ジアシル基置換ホモシスチンの精製方法 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING N,N'-DIACYL-SUBSTITUTED HOMOCYSTINE例文帳に追加

N,N’−ジアシル基置換ホモシスチンの製造方法 - 特許庁

(In the formula, R denotes an 8-13C alkyl and n is in a range of 0≤n≤6).例文帳に追加

(RはC8〜13のアルキル基を示し、0≦n≦6) - 特許庁

where N is the number of chips on the board.発音を聞く 例文帳に追加

このときNは基板上のチップの数になる。 - Electronic Frontier Foundation『DESのクラック:暗号研究と盗聴政策、チップ設計の秘密』

An adaptive weight updating section 4 then computes adaptive weights W_1(n)-W_m(n), based on the error function e(n).例文帳に追加

適応ウエイト更新部4は、誤差関数e(n) に基づいて次に適応ウエイトW1(n+1)〜Wm(n+1)を算出する。 - 特許庁

PTS(n) of the present frame is determined to be false if (1) CPTS>PTS(n), or if (2) CPTS<PTS(n) and PTS(n) is longer than the time that is attained by adding a reference time, for example, the frame length to B-TS(n)-B-TS(n-1).例文帳に追加

現フレームのPTS(n)が、(1)CPTS>PTS(n)の場合、(2)CPTS<PTS(n)で、B_TS(n)−B_TS(n-1)に基準時間(例えばフレーム長)を加えた時間よりも大きい場合、は誤りと判断する。 - 特許庁

The acoustic processing apparatus generates a correction filter that satisfies L_b(n)>L_N(n) and applies the correction filter to a regenerative signal when the calculated fundamental sound amplitude level L_b(n) is compared with the harmonic wave amplitude level L_N(n) and there is L_N(n) greater than L_b(n).例文帳に追加

算出した基音振幅レベルL_b(n)と高調波振幅レベルL_N(n)とを比較し、L_b(n)より高いL_N(n)があれば、L_b(n)>L_N(n)となるような補正フィルタを生成し、再生信号へ適用する。 - 特許庁

n-TYPE GALLIUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加

n型窒化ガリウム単結晶基板 - 特許庁

The substrate 2 consists of n-type GaAs.例文帳に追加

基板2は、n型GaAsからなる。 - 特許庁

PRODUCTION OF N-PROTECTING GROUP AMINO ACID例文帳に追加

N保護基アミノ酸の製造法 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING N-PROTECTED AMINO ACID例文帳に追加

N保護基アミノ酸の製造法 - 特許庁

A loss L_1,1,n corresponding to the current value I_1 in the n-th section is calculated based on the current value I_1 and the voltage value_1,1,n.例文帳に追加

電流値I_1と電圧値V_1,1,nとに基づいて、第n区間における電流値I_1に対応する損失L_1,1,nを計算する。 - 特許庁

On the basis of values such as an echo time TE and an echo number n_max, an echo number n=n_center=39 assigned to the origin point C of k-space is determined.例文帳に追加

エコー時間TEおよびエコー数n_maxなどの値に基づいて、k空間の原点Cに割り当てられるエコー番号n=n_center=39を決定する。 - 特許庁

A gravity center calculation section Wr [1:n] correlated with the gravity center calculation section Wt [1:n] is determined based on the tentative Doppler shift amount, and a gravity center frequency fwr [1:n] of the power spectrum Pr [fi] is calculated in each section Wr [1:n].例文帳に追加

重心計算区間Wt[1:n]に対応付けられた重心計算区間Wr[1:n]は仮ドップラーシフト量に基づいて決められ、この区間Wr[1:n]ごとにパワースペクトルPr[fi]の重心周波数fwr[1:n]が算出される。 - 特許庁

A gravity center calculation section Wr[1:n] correlated with the gravity center calculation section Wt[1:n] is determined based on the tentative Doppler shift amount, and a gravity center frequency fwr[1:n] of the power spectrum Pr[fi] is calculated in the every sections Wr[1:n].例文帳に追加

重心計算区間Wt[1:n]に対応付けられた重心計算区間Wr[1:n]は仮ドップラーシフト量に基づいて決められ、この区間Wr[1:n]ごとにパワースペクトルPr[fi]の重心周波数fwr[1:n]が算出される。 - 特許庁

The intermediate value among the values of the calculated data A'(t_n-1), A'(t_n) and A'(t_n+1) is set to A"(t_n) (step S6) and the fraction collector is controlled based on A"(t_n) (step S7).例文帳に追加

更に、算出されたデータA'(t_n-1), A'(t_n), A'(t_n+1)のうちの中間の値のものをA''(t_n)とし(ステップS6)、A''(t_n)に基づいて、フラクションコレクタを制御する(ステップS7)。 - 特許庁

The center angle formed by the reference cutting tooth T_0 and the cutting tooth T_n relative to the rotation center O is made to be Θ_n by making the cutting tooth positioned at the n-th from the reference cutting tooth T_0 to the counterclockwise direction be T_n.例文帳に追加

前記基準切削歯T_0から反回転方向へn番目に位置する切削歯をT_nとして、回転中心Oに対して基準切削歯T_0と切削歯T_nとがなす中心角をΘ_nとする。 - 特許庁

A first control circuit part 50 generates a first control signal y1(n) based on the first reference signal x1(n) and a second reference signal x2(n) which delays the first reference signal x1(n) by a time Z^-n.例文帳に追加

第1制御回路部50は、第1基準信号x1(n)及び該第1基準信号x1(n)を時間Z^-nだけ遅延させた第2基準信号x2(n)に基づいて第1制御信号y1(n)を生成する。 - 特許庁

To assure the reliability of gettering capability in n/n+/n substrates, and improve it.例文帳に追加

n/n+/n基板でのゲッタリング能力の確実性とその向上を図る。 - 特許庁

An embedded n-type layer B-N is disposed as an intermediate layer on a p-type semiconductor substrate P-sub.例文帳に追加

P型の半導体基板P-subに中間層として埋め込みN型層B-Nが配設されている。 - 特許庁

R-O-(C_3H_6O_2)_n-H (I) [wherein, R is a 6-22C hydrocarbon group; and (n) is an integer].例文帳に追加

R−O−(C_3H_6O_2)_n−H (I)(式中、Rは炭素数6〜22の炭化水素基を、nは整数を示す。) - 特許庁

The n- region is formed inside the substrate, and the n+ region is formed inside the n- region.例文帳に追加

n^−領域は、基板の内部に形成され、n^^+領域は、n^−領域の内部に形成される。 - 特許庁

There is provided a recess part 14 on the reverse face of the n+-type GaAs substrate 1 just under the n+-type AlGaAs emitter layer 5.例文帳に追加

n^+型AlGaAsエミッタ層5直下部のn^+型GaAs基板1裏面には凹部14を有している。 - 特許庁

As the positive charge-bearing substituent group, 2-hydroxy-3-N,N,N-trimethylaminopropyl is preferably usable.例文帳に追加

前記正電荷を帯びた置換基として2-ヒドロキシ-3-N,N,Nトリメチルアミノプロピル基を好適に用いることができる。 - 特許庁

The pad PC(n) on the first substrate 10 is bump-connected to the pad Pin(n) on the second substrate 20.例文帳に追加

第1の基板10上のパッドP_C(n)と第2の基板20上のパッドP_in(n)とは互いにバンプ接続される。 - 特許庁

-Ar_1-(CR_1=CR_2)n- (1) [Ar_1 is an arylene group or the like.例文帳に追加

−Ar_1−(CR_1=CR_2)_n− (1) 〔Ar_1は、アリーレン基等。 - 特許庁

An n-type cladding layer 103 is formed over an n-type substrate 101.例文帳に追加

n型クラッド層103はn型基板101の上方に形成される。 - 特許庁

An n-side electrode 12 is arranged on the lower face of the n-type substrate 1.例文帳に追加

n型基板1の下面には、n側電極12が配置されている。 - 特許庁

A P-type well region 2 is formed on the surface of an N-type Si substrate 1.例文帳に追加

n型Si基板1の表面に、p型ウェル領域2が形成されている。 - 特許庁

An n-electrode is connected to the undersurface of the n-type semiconductor substrate.例文帳に追加

n型半導体基板の下面にn電極が接続されている。 - 特許庁

As a result, an N-/N+ type laminated substrate is manufactured with a high yield.例文帳に追加

その結果、N^−/N^+型の張り合わせ基板を高歩留まりで作製できる。 - 特許庁

The active roll control based on the reverse efficiency η_N can be simplified.例文帳に追加

逆効率η_Nに基づくアクティブロール制御の簡便化が可能となる。 - 特許庁

PROCESS FOR PRODUCING FREE-STANDING III-N LAYER, AND FREE-STANDING III-N SUBSTRATE例文帳に追加

自立III−N層の製造方法および自立III−N基板 - 特許庁

Here, R^f expresses an (n) valent perfluoro organic group; (n) expresses an integer of L4.例文帳に追加

ただし、R^fはペルフルオロn価有機基、nは1〜4の整数。 - 特許庁

When R3 is -(L)n-(PUG)m, it may be the same as or different from-(L)n-(PUG)m in the formula.例文帳に追加

Gはヒドロキシ基若しくはNHSO_2 R^3 を表し、該R^3は脂肪族基、芳香族基、複素環基又は−(L)_n −(PUG)_m を表す。 - 特許庁

In the formula, R_1 denotes a n-propoxy group, an isopropoxy group, or a n-butoxy group.例文帳に追加

(1)(式中、R1はn−プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基を表す。) - 特許庁

In the controller 202, a second reference signal x'(n) is generated by delaying the first reference signal x(n) by a time Z^-n by a delay filter 54, and a control signal y(n) is generated based on the first reference signal x(n) and the second reference signal x'(n).例文帳に追加

コントローラ202内では、遅延フィルタ54により第1基準信号x(n)を時間Z^-nだけ遅延させて第2基準信号x´(n)を生成し、第1基準信号x(n)と第2基準信号x´(n)とに基づいて制御信号y(n)を生成する。 - 特許庁

In step S_4, positional information is calculated so that an alignment deviation is minimized, on the basis of the measured data A_n of n-th block only, when the layer data imparted in the step S_3 are the same data (X_n=Y_n) for preparing the preceding information A_n.例文帳に追加

S_4 では、ステップS_3 で付与した層データが同じもの(X_n =Y_n )のみ、つまりn個目のブロックの測定データA_n に基づいてアライメントずれ量が最小になるように位置情報の計算を行い先行情報A_n を作成する。 - 特許庁

例文

Linear regression expression of maximum nonmetallic inclusion diameter aj (j=1, n) and a standardized variable yj (j=1, n) a=ty+u...1 wherein n = frequency of inspections, standardized variable yj=-ln[-ln{j/(n+1)}] (j=1, n), t = regression coefficient, and u = constant.例文帳に追加

最大非金属介在物径a_j (j=1,n)と基準化変数y_j (j=1,n)の一次回帰式 a=ty+u ・・・(1)ただし、n=検査回数 基準化変数y_j =−ln[ −ln{j/(n+1)] ](j=1,n)t=回帰係数 u=定数 - 特許庁

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