A metal electrode 6, which is electrically connected to a back electrode 5 and has resistance lower than that of the N+ type drain layer 7, is formed in the ditch-like opening 4.例文帳に追加

そして、堀状の開口部４の中には裏面電極５と電気的に接続された、Ｎ＋型ドレイン層７に比べて抵抗の低い、金属電極６が形成されている。 - 特許庁

A region on a P-type substrate 3, corresponding to a lateral PNP transistor 1b, is etched to form a trench part 20 and the N+ type embedded diffusion layer 12 of the lateral PNP transistor 1b is formed at a position deeper than the N+ type embedded diffusion layer 4 of a lateral PNP transistor 1a.例文帳に追加

Ｐ型基板３上の縦型ＰＮＰトランジスタ１ｂに対応する領域をエッチングして堀り込み部２０を設け、縦型ＰＮＰトランジスタ１ｂのＮ＋型埋め込み拡散層１２を縦型ＮＰＮトランジスタ１ａのＮ＋型埋め込み拡散層４より深い位置に形成する。 - 特許庁

A support means 2 for lifting the Dioscorea batatas N dug up with a digging portion 1 from the approximate level of the ground to a height making it possible a worker to take up the Dioscorea batatas without changing his posture without damaging the Dioscorea batatas is disposed on the down stream of the digging portion 1.例文帳に追加

掘取部１の下流に、当該堀取部１で掘り上げられた長芋Ｎを、傷付けることなく、かつグランドレベル付近から作業者が姿勢を変えることなく長芋Ｎを取上げ可能な高さに持ち上げる支持手段２を備える。 - 特許庁

In the semiconductor device, two MOS structures which share a drain are formed in the front surface side of the semiconductor substrate, and a plurality of ditch-like opening parts 4 are formed to extend from the drain region of one MOS structure to the drain region of the other MOS structure in the interior of an N+ type drain layer 7 in the back surface side of the semiconductor substrate.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、半導体基板の表面側にドレインを共有するＭＯＳ構造が２つ形成され、かつ、半導体基板の裏面側のＮ＋型ドレイン層７の内部に、一方のＭＯＳ構造のドレイン領域から他方のＭＯＳ構造のドレイン領域まで、延在して形成された複数の堀状の開口部４を有する。 - 特許庁