To obtain a high S/N by reducing parasitic capacitance and increasing an essentially required capacitance thereby enhancing sensitivity.例文帳に追加

寄生容量を低減し、本来必要な静電容量を増大させて感度を向上し高Ｓ／Ｎを得る。 - 特許庁

To increase magnetic recording density of a perpendicular magnetic recording medium and improve an S/N ratio.例文帳に追加

垂直磁気記録媒体の磁気記録密度を増大させ、かつ、ＳＮ比を向上させる。 - 特許庁

To improve an S/N characteristic by increasing the quantity of accumulated charge in a pixel, without imposing a load on an insulating film.例文帳に追加

絶縁膜に負担をかけず、画素の蓄積電荷量を増大し、Ｓ／Ｎ特性を改善する。 - 特許庁

To increase an amount of accumulated charges in a pixel and improve the S/N characteristic without putting any burden on an insulation film.例文帳に追加

絶縁膜に負担をかけず、画素の蓄積電荷量を増大し、Ｓ／Ｎ特性を改善する。 - 特許庁

On the basis of the relation of the parts where the generated voltage Vm linearly increases with respect to an increase in the ideal impact energy Ec on both logarithmic coordinates, the values of the constant A and constant (n) of regression equation: Vm=A.(Ec)n are calculated.例文帳に追加

両対数座標上で、理想的衝突エネルギーＥｃの増大に対して発生電圧Ｖｍが直線的に増大する部分の関係に基づいて、次の回帰式中の定数Ａ及び定数ｎの値を求める。 - 特許庁

To provide a large scale N×N cross connect switch the number of components of which is minimized without substantial increase in loss and crosstalk.例文帳に追加

損失およびクロストークの実質的増大なしに、素子数を最小化した大規模なＮ×Ｎクロスコネクトスイッチを実現する。 - 特許庁

This increases the amount of light passing directly through the oxide films, prevents detection light intensity from decaying, and makes possible high S/N ratio detection.例文帳に追加

これにより直接金属酸化膜を通過する光量を増大させ、検知光強度の減衰を抑制、S/N比の高い検知が可能となる。 - 特許庁

To provide a method and a device for n-ary operation with which the expansion of constitutive circuit scale is suppressed and an n-ary adding processing speed is accelerated.例文帳に追加

構成する回路規模の増大を抑え、かつ、ｎ値の加算処理スピードを高速にするようにしたｎ値積算方法及び装置を提供する。 - 特許庁

Since both N_s,source and V_thermal can be increased in the formula (1) while the increase of a backscattering coefficient r (0≤r≤1) is suppressed, the normal saturation drain current I_d,sat/W per unit channel W can be increased.例文帳に追加

式（１）において、backscattering係数ｒ（０≦ｒ≦１）の増大を抑えつつ、Ｎ_s,sourceとＶ_thermalの両方を増大させることができるので、単位チャネルＷあたりの定常飽和ドレイン電流Ｉ_d,sat／Ｗを大きくすることができる。 - 特許庁

When applying only a conventional sentence structure analysis rule, calculation quantity is increased because a noun (N) can be any of S, NP, and ADV.例文帳に追加

従来の構文解析ルールのみを適用した場合、名詞（Ｎ）はＳ、ＮＰ、ＡＤＶのいずれにも成り得るため、計算量が増大してしまう。 - 特許庁

A poly(N-methacryloyllysine) is incorporated in a cosmetic as an active component of a corneocyte area increasing agent.例文帳に追加

ポリ（Ｎ−メタクリロイルリジン）を角質細胞面積増大剤の有効成分として、化粧料に含有させる。 - 特許庁

When the duration exceeds the given time, the engine speed is gradually increased to a high-speed traveling engine speed N_max.例文帳に追加

一方、前記持続時間が所定時間以上になったときには、エンジン回転数を高速走行時のエンジン回転数Ｎmax まで漸次増大させる。 - 特許庁

To improve an S/N of an AM signal while suppressing expansion in circuit scale of an A/D conversion circuit in a diversity reception circuit.例文帳に追加

ダイバーシティ受信回路において、Ａ／Ｄ変換回路の回路規模の増大を抑えつつＡＭ信号のＳ／Ｎを向上させる。 - 特許庁

The addition of n-ZnO to Ru/AC resulted in a pronounced increase in the degree of dispersion of Ru and in the acidic/basic sites concentration ratio.例文帳に追加

Ｒｕ／ＡＣにｎ−ＺｎＯを添加した結果、Ｒｕの分散度および酸性／塩基性部位濃度比が顕著に増大した。 - 特許庁

To provide an imaging apparatus in which the number of pixels can be increased while reducing the size of the apparatus without lowering an S/N ratio.例文帳に追加

Ｓ／Ｎ比を劣化させることなく、画素数の増大や装置の小型化を図ることができる撮像装置を提供する。 - 特許庁

To provide an image processing apparatus that can obtain a result of N-value processing with proper correction without increasing a capacity of a memory.例文帳に追加

メモリ容量を増大させずに、適切な補正を施したＮ値化結果を得ることができる画像処理装置を提供すること。 - 特許庁

Therefore, increase in leak between the N-diffusion layer and the P well can be prevented and good junction reverse bias characteristics can be maintained.例文帳に追加

従って、Ｎ−拡散層とＰウェルとの間のリークの増大を防止し、良好な接合逆バイアス特性を維持できる。 - 特許庁

Therefore, light receiving quantity in a photodetector PD is increased, a signal level and a S/N ratio in an output signal of the photodetector is improved.例文帳に追加

そのため、光検出器ＰＤでの受光量が増大し、光検出器の出力信号における信号レベル及びＳ／Ｎ比が向上する。 - 特許庁

In a semiconductor device; p-type impurity is selectively ion-implanted only in the base of the trench, and the low concentration impurity region 12 is formed in an n-type semiconductor layer (drain region) 2 where the base of the trench is positioned.例文帳に追加

しかし、ｎ−型半導体層の不純物濃度の低減は、ドレイン抵抗の増大を招き、問題である。 - 特許庁

The N=3 frequency assignment method can increase the channel capacity by about 38% for the AMPS and about 114% for the TDMA-3.例文帳に追加

Ｎ＝３周波数割り当てはＡＭＰＳにおいて約３８％、ＴＤＭＡ−３において約１１４％チャネル容量を増大できる。 - 特許庁

Since the adhesive is applied through the bottom plate member 7 also at the thinned wall part N portions, an adhesive area is increased to improve fixing strength.例文帳に追加

肉ぬすみ部Ｎの部分においても底板材７によって接着材が塗布されるため、接着面積が増大し、固定の強度が向上する。 - 特許庁

Consequently, a magnetic flux introduced to the free layer is increased, and the reproduction of the high density recording signal with high efficiency and high S/N ratio is attained.例文帳に追加

従って、フリー層への流入磁束は増大し、高効率かつ高Ｓ／Ｎ比な高密度記録信号の再生が可能となる。 - 特許庁

To provide an RF level control circuit which can attain a wide band, a high S/N and a high range without increasing the number of signal lines nor increasing the circuit scale.例文帳に追加

信号線の増加やプレアンプ基板の回路規模の増大をすることなく、広帯域、高Ｓ／Ｎ、高レンジを実現する。 - 特許庁

The counted processing time is analyzed, and when the change quantity of the processing time is increased according to increase of the data volume N, the increase of the data volume N is stopped, and the data volume to be extracted from image data and written to the cache memory is fixed to the data volume before the increase of the change quantity.例文帳に追加

そして、計時された処理時間を解析し、データ量Ｎの増加に応じて処理時間の変化量が増大した場合、データ量Ｎの増加を停止させ、画像データから抽出してキャッシュメモリに書き込むデータ量を変化量が増大する前のデータ量に固定する。 - 特許庁

In particular, the bandwidth of the monitor may be increased N-fold by utilizing a plurality of N gratings (assuming no overlap in wavelength between gratings).例文帳に追加

特に、複数のＮ個のグレーティングを使用することにより、モニタの帯域幅は、（グレーティング間の波長のオーバラップがないと仮定して）増大されたＮフォールド（N-fold）でありうる。 - 特許庁

This procedure avoids increase in leakage current between the source and the drain caused by rediffusion in the n+ diffusion layer.例文帳に追加

さらに、本発明の半導体装置の製造方法は、トレンチ溝を形成し前記トレンチ溝にゲート電極形成後にソースとなるN＋拡散層を形成しているため、N＋拡散層の再拡散によるソース及びドレイン間リーク電流が増大しない。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which can prevent a parasitic capacity increase of a conductive pattern due to a thickness increase of a barrier film by preventing a contact resistance of a portion connected with N-type conductive region from increase in forming the conductive pattern directly connected with the N-type conductive region containing silicon.例文帳に追加

シリコンを含むＮ型の導電領域と直接接続される導電パターンの形成時に、Ｎ型の導電領域と接続される部分のコンタクト抵抗の増大を防止し、バリア膜の厚さ増大に伴う導電パターンの寄生容量の増大を防止できる半導体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

As a result, the VGRS motor 21 can be operated and controlled so that the rotary angular speed dθ/dt of the VGRS motor 21 may be smaller than the operation speed β×N, even if load in relation to the EPS motor 33 is increased and the operation speed β×N becomes small, and the followability of the EPS motor 33 can be secured.例文帳に追加

これにより、ＥＰＳモータ３３に対する負荷が増大してその作動速度β×Nが小さくなっても、ＶＧＲＳモータ２１の回転角速度dθ／dtが作動速度β×Nよりも小さくなるように作動制御することができ、ＥＰＳモータ３３の追従性を確保することができる。 - 特許庁

The solar cell is configured by laminating a p-type semiconductor layer and an n-type semiconductor layer on the surface of a glass substrate; a plurality of concave and convex parts are formed on the surface of the glass substrate to increase a surface area; and the p-type semiconductor layer and the n-type semiconductor layer are laminated on the surface of the glass substrate.例文帳に追加

ガラス基板の表面にP型半導体層およびN型半導体層を積層して構成した太陽電池であって、ガラス基板の表面には複数の凹凸が形成され表面積が増大されており、このガラス基板の表面にP型半導体層およびN型半導体層が積層されている。 - 特許庁

As the compound material of Al and N gives a larger energy gain compared to the self-compensation by Al single doping, the n-dopant is stabilized in the ZnS crystal, inducing an effect of suppressing the self-compensation and an effect of increasing the n-dopant concentration, which results in an increase in the carrier concentration and low resistance of the stable ZnS thin film.例文帳に追加

ＡｌとＮの複合体形成の方が、Ａｌ単独ドーピングに伴う自己補償に比べてエネルギー利得が大きくなるため、ＺｎＳ結晶中でｎ型ドーパントが安定化し、自己補償の抑制効果やｎ型ドーパントの濃度増大効果が生まれ、キャリア濃度増大と共に安定したＺｎＳ薄膜の低抵抗化が可能になる。 - 特許庁

Accordingly, a silicon interface state (Qss) in the vicinity of the channel isolation region 29 on the surface of the n-type silicon substrate increases, and holes or minority carriers in the n-type silicon substrate disappear in the region.例文帳に追加

したがって、上記Ｎ型シリコン基板の表面におけるチャネル分離領域２９近傍のシリコン界面準位(Ｑss)が増大し、Ｎ型シリコン基板内の少数キャリアである正孔が上記領域において消滅する。 - 特許庁

Any one of the clamp current detectors CL_1, CL_2... CL_N detects that the increased ground fault current I_ga flows into any one of the feeder lines F_1, F_2... F_N.例文帳に追加

クランプ電流検出器ＣＬ_１，ＣＬ_２・・・ＣＬ_Ｎのうちのいずれか一つは、増大された地絡電流Ｉ_ｇａがフィーダー線Ｆ_１，Ｆ_２・・・Ｆ_Ｎのいずれか一つに流れていることを検出する。 - 特許庁

Since Al and N are strongly joined with each other after annealing, electric conductivity is lowered, and a band gap is increased because of the crystal mixing effect of guide layers 3 and 5 and the quantum well layer 4 so as to form a current block layer.例文帳に追加

アニール後にAlとNが強く結合するために電気伝導率が低下し、さらにガイド層3,5と量子井戸層4との混晶効果によりバンドギャップが増大し、電流ブロック層となる。 - 特許庁

When a reverse bias voltage is applied, a depletion layer 22 is formed on the n-type clad layer below the n-type contact layer, the depletion layer is expanded as the increase in the reverse bias voltage, and a leakage current is suppressed.例文帳に追加

逆バイアス印加時、ｎ型コンタクト層の下方でｎ型クラッド層に空乏層２２が形成され、逆バイアスの増大と共に空乏層が拡大され、漏洩電流が抑制される。 - 特許庁

Even if an increase in the number of viewpoints decreases the resolution, the font in which the horizontal line width is n_V pixels or greater and the vertical line width is at least n_H pixels or greater is displayed for right and left eyes, so that visual rivalry is prevented from occurring.例文帳に追加

視点数増大によって解像度が低下しても、横線の幅がｎ＿Ｖ画素以上、縦線の幅が少なくともｎ＿Ｈ画素以上のフォントは、左右両方の眼に表示されるので、両眼視野闘争は発生しない。 - 特許庁

Therefore, a silicon interface level (Qss) near the channel separation area 29 on a front surface of the n-type silicon substrate increases, and holes that are a minority carriers inside the n-type silicon substrate are extinguished in the area.例文帳に追加

したがって、上記Ｎ型シリコン基板の表面におけるチャネル分離領域２９近傍のシリコン界面準位(Ｑss)が増大し、Ｎ型シリコン基板内の少数キャリアである正孔が上記領域において消滅する。 - 特許庁

A hysteresis characteristic is applied by increasing the number of revolutions N_F when the intake air temperature T_C is a first threshold or higher, and reducing the number of revolutions N_F when the intake air temperature T_C is lower than a second threshold lower than the first threshold.例文帳に追加

吸気温度Ｔ_Cが第一閾値以上であるときに回転数Ｎ_Fを増大させるとともに、吸気温度Ｔ_Cが該第一閾値よりも小さい第二閾値未満であるときに回転数Ｎ_Fを減少させ、ヒステリシス特性を与える。 - 特許庁

To avoid registration of data with extensive overlaps of features when using 1:N authentication technique, thereby keeping false acceptance rate and false rejection rate from rising when the number of registrants becomes excessive, and preventing security and convenience from deteriorating.例文帳に追加

1:N認証技術において、特徴の重なり合いが大きいデータの登録を回避することで、登録者の数が膨大になったときの他人受入率と本人拒否率の増大を抑え、セキュリティや利便性の低下を防ぐことにある。 - 特許庁

Thus, even if Ne is increased caused by the N range during driving force control for realizing Ts at a minimum fuel cost, by output control for realizing TeH, the unlimited increase of the opening degree of the throttle is prevented.例文帳に追加

よって、Ｔ_S を最低燃費で実現する駆動力制御中にＮレンジに起因してN _e が上昇してもＴ_eHを実現する出力制御によりスロットルがどこまでも開度増大されるのを防止する。 - 特許庁

To build an inexpensive monitor observation system, consisting of an asynchronous camera group by considerably decreasing number of digital memories having been required in proportion to the increase in the number of cameras N, when synchronizing each camera signal of the system.例文帳に追加

非同期カメラ群からなる監視観察システムの各カメラ信号を同期化するにあたり、カメラNが増大するに比例して必要だったデジタルメモリーを大幅に削減し低価格システムを構築する。 - 特許庁

To realize, in hybrid circuit integration using inter-subband transition elements and a silicon wire, improvement of the efficiency of coupling with a silicon wire and an increase in phase modulation effect owing to elongation of the optical path, resulting in achievement of high performance features including an improved S/N ratio of optical gate switches and reduced energy consumption for operation.例文帳に追加

サブバンド間遷移素子とシリコン細線によるハイブリット集積化において、シリコン細線との結合効率の向上、及び光路長増大による位相変調効果の増大を実現させ、光ゲートスイッチのＳＮ比改善と低エネルギー動作化等の高性能化を実現する。 - 特許庁

If engine rotation speed N drops due to increase of engine load during low speed rotation of the engine 7, the output characteristic map is temporally corrected to increase the maximum fuel injection quantity in a low speed rotation zone of the engine 7.例文帳に追加

エンジン７の低速回転中にエンジン負荷の増大にてエンジン回転数Ｎが低下した場合は、エンジン７の低速回転域での最大燃料噴射量が増大するように、出力特性マップを一時的に補正する構成とする。 - 特許庁

To provide a method for generating adjustment data of a temperature characteristic which can reduce the influence of an n-th temperature coefficient and suppress an increase in cost when adjusting the (n-1)-th temperature coefficient of a signal having a temperature characteristic represented by an n(n is an integer ≥1)-th function.例文帳に追加

ｎ（ｎは１以上の整数）次の関数で表現される温度特性を持った信号のｎ−１次の温度係数を調整する際に、ｎ次の温度係数の影響を軽減し、且つコストの増大を抑えることができる、温度特性の調整データを生成する方法を提供する。 - 特許庁

In order to eliminate the above effect, n-type impurities are doped partially additionally into the n-type impurity zone of the vertical charge transfer, to thereby partially increase the additional amount of n-type impurity in the vertical charge transfer and to correct a potential under the transfer.例文帳に追加

そこで、この影響を除去するために、垂直電荷転送部のｎ型不純物領域に部分的な追加のｎ型不純物注入を行うことにより、垂直電荷転送部のｎ型不純物の添加量を部分的に増大させ、転送部下のポテンシャルを矯正したものである。 - 特許庁