壁厚減少の英語

本発明による高温超伝導体（１）は、予め定めた弱い箇所を形成するために、表面に少なくとも一つの減少した壁厚を有する領域を備え、前記減少した壁厚を有する領域に電気的分路（６）を備えたことを特徴とする。例文帳に追加

A high-temperature superconductor (1) of the present invention comprises: at least one portion of its surface, which has a reduced wall thickness, to form a predetermined weak point; and an electrical shunt (6) on the portion having the reduced wall thickness. - 特許庁

デジタル的勾配半導体層は、交互するＧａＮ量子井戸及びＡｌＧａＮ障壁層の超格子を有し、ＡｌＧａＮ障壁の厚さが増加するにつれて、ＧａＮ量子井戸の厚さが減少する。例文帳に追加

A digital graded semiconductor layer will have a super lattice of alternating GaN quantum wells and AlGaN barrier layers, with the GaN quantum wells decreasing in thickness as the AlGaN barriers increase in thickness. - 特許庁

壁断熱厚みが２００ｍｍ以上高断熱住宅建築において、壁厚み増加による屋内側面積減少をせずに完結できる工法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for completing the construction of a super-insulated house with its wall insulation thickness of 200 mm or larger without causing reduction in an indoor residential floor space caused by an increase in wall thickness. - 特許庁

スポーク間部位８からスポーク取付け部位９へと壁厚が増加する部分と、スポーク取付け部位９からスポーク間部位８へと壁厚が減少する部分とに、壁厚が急激に変化する鋭い隅部１４、１１；２４、３４；６４を形成し重量軽減をはかる。例文帳に追加

Sharp corner parts 14, 11; 24, 24; 64 and 64 suddenly changing in wall thickness are formed in a portion where a wall thickness increases from the spoke intermediate portions 8 to the spoke mounting portions 9 and a portion where a wall thickness decreases from the spoke mounting portions 9 to the spoke intermediate portions 8 to reduce the weight of the rim. - 特許庁

そして、立上り壁４の外観側とは反対側の内面41には、ゲート部５を挟んで両側部に、立上り壁４の肉厚を立上り壁４の上端面へ向かって徐々に減少させる絞り面51、51が形成されている。例文帳に追加

Furthermore, on an inner surface 41 of the erected wall 4 which is opposite from an externally-appearing side thereof at opposite portions beside the gate 5, there are formed reduction surfaces 51, 51 which gradually reduce the erected wall 4 in wall thickness toward the upper end surface of the erected wall 4. - 特許庁

中間部３３の壁厚は、一定であるが、近傍部３１の内壁３１１および近傍部３２の内壁３２１には、図３に示すように、それぞれ境界Ｂ１から開口端Ｃ１に、および境界Ｂ２から開口端Ｃ１に向かって壁厚が漸次減少するように勾配が設けられている。例文帳に追加

The wall thickness of the middle part 33 is fixed but a gradient is so formed that the wall thickness may be gradually decreased respectively towards the an opening end C1 from the boundary B1 and towards the opening end C1 from the boundary B2 at the inner wall 311 of the neighborhood part 31 and at the inner wall 321 of the neighborhood part 32 (Fig. 3, not shown). - 特許庁

従前の掘削機を使用し、１工程方式にて地中連続壁の断面剛性を上げることにより、内部掘削時に支保工や切梁を必要とせず、または低減を、或いは壁厚の減少によるコスト削減を可能とする。例文帳に追加

To eliminate or reduce a support or a brace upon excavating an inner part and to reduce the cost by reducing a thickness of the wall, by improving sectional rigidity of an underground continuous wall by a one-process system using a conventional excavator. - 特許庁

ＰＭＯＳトランジスタのソース、ドレイン注入後、ＰＭＯＳゲート構造がマスキングされて、ＮＭＯＳ側壁構造（１０２）がエッチングされて厚みが減少する一方、ＰＭＯＳ側壁構造（１０１）は変化しないまま残る。例文帳に追加

After ions are implanted into the source and drain of the PMOS transistor, the PMOS gate structure is masked to etch the NMOS sidewall structure 102 into a reduced thickness, while leaving the PMOS sidewall structure 101 unchanged. - 特許庁