変化率分析の英語

深さ方向元素濃度分析方法に関し、測定されたイオン注入元素の深さ方向プロファイルを減衰深さとスパッタ収率との関係を利用し、スパッタ収率の変化を分析しようとする。例文帳に追加

To analyze a change in a sputtering yield with respect to the measured depth direction profile of an ion implantation element by utilizing attenuation depth and the sputtering yield in a concentration analyzing method of an element in a depth direction. - 特許庁

経路情報の変化に動的に対応するトラフィック観測を行なうことで、効率的かつ精度の高いトラフィック流量分析を実現する。例文帳に追加

To achieve an efficient and highly precise traffic flow rate analysis by performing traffic observation dynamically corresponding to the change of path information. - 特許庁

経時的変化を調べるガス分析に好適なサンプリングを十分な吸収効率で行うことができるようにする。例文帳に追加

To implement the sampling suitable for the gas analysis to examine the change with the lapse of time with a sufficient efficiency. - 特許庁

熱伝導率の変化に基づいたガス分析が可能な、高応答で高精度の熱式ガスセンサを提供することである。例文帳に追加

To provide a highly responsive and accurate thermal gas sensor for analysis of a gas based on a change in the thermal conductivity. - 特許庁

表面屈折率の変化によって、アロステリック受容体／リガンド結合を検出し、分析する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for detecting and analyzing an allosteric acceptor/a ligand bonding by using a change of a surface refractive index. - 特許庁

事象変化が発生した時間区間を基準に、事前に各標本の時間軸を揃えなおし、同一の時間軸とする分析処理を効率的に行うデータ分析処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a data analysis processing device rearranging time axes of samples in advance on the basis of time zones with event change, and efficiently carrying out analysis processing using the same time axis. - 特許庁

開業率変動の要因を探る上ではマクロ経済要因とともに、人口に関する分析や、人々の動向の背景にある社会的な諸制度や意識の変化に関する分析を欠かす事はできない17。例文帳に追加

In order to explore the factors underlying changes in the entry rate, it is essential to analyze demographic as well as macro-economic factors, and to analyze changes in the social institutions and attitudes that mold trends among people.17) - 経済産業省

二次イオン質量分析法で測定されたイオン注入元素の深さ方向プロファイルを分析する方法であって、イオン注入時に形成されたダメージの度合いにより変化するスパッタ収率の変化を減衰深さから求め、そのスパッタ収率の変化に依って測定プロファイルの深さ軸を補正する。例文帳に追加

In the method for analyzing the depth direction profile of the ion implantation element measured by a secondary ion mass analyzing method, the change of the sputtering yield changed by the degree of damage formed at the time of ion implantation is calculated from the attenuation depth and the depth axis of a measuring profile is corrected on the basis of the change of the sputtering yield. - 特許庁