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英和・和英辞典で「対称 n」に一致する見出し語は見つかりませんでしたが、
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「対称 n」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 73



例文

In the shower plate 30, a plurality of gas introduction holes 31 are arranged so that they have n-times rotary symmetry (n is the natural number of two or above) with a prescribed symmetric axis As vertical to the substrate W as a center.例文帳に追加

シャワープレート30には、複数個のガス導入孔31が、基板Wに垂直な所定の対称軸Asを中心としてn回回転対称性(nは2以上の自然数)を有するように配列されている。 - 特許庁

By contrast, the duty D_1(N) and the duty D_3(N) are made asymmetric with respect to a line in a direction orthogonal to the straight line.例文帳に追加

これに対して、前記直線に直交する方向の線に関しては、デューティD_1(N)とデューティD_3(N)は非対称となっている。 - 特許庁

Source 60 and drain 70 of LDD structure have an asymmetric structure and impurity concentration of an N^- layer 63 is set higher than that of an N^-- layer 73.例文帳に追加

LDD構造のソース60及びドレイン70を非対称構造にし、N^-層63の不純物濃度をN^--層73よりも高くする。 - 特許庁

The asymmetric factor g and the mean number of scattering times in transfer <n> are set so that the product g of the asymmetric factor g of the light-scattering particle 6 times the mean number of scattering times in transfer <n> in the light scattering area 5×<n> satisfies the condition: 2≤g×<n>≤40.例文帳に追加

上記光散乱粒子6の非対称性因子gと光散乱領域5の輸送平均散乱回数〈n〉との積g・〈n〉が、 2≦ g・〈n〉 ≦40の条件を満足するように、非対称性因子gと輸送平均散乱回数〈n〉を設定する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FORMING ASYMMETRIC P/N JUNCTION FOR FET DEVICE, AND METHOD OF FORMING FET DEVICE (ASYMMETRIC SOURCE/DRAIN JUNCTION FOR LOW-POWER SILICON-ON-INSULATOR DEVICE)例文帳に追加

半導体デバイス、FETデバイスに非対称的なp/n接合を形成する方法及びFETデバイスを形成する方法(低電力消費のシリコン・オン・インシュレータ・デバイスのための非対称的なソース/ドレイン接合) - 特許庁

In this embodiment, a weight 24 is formed in an almost symmetrical shape as viewed from the rotating shaft direction, and is made from a permanent magnet magnetized so as to constitute an N pole and an S pole according to the almost symmetrical shape.例文帳に追加

分銅24は、本実施の形態では、回転軸方向からみて略対称形状を有し、この略対称形状の通りにN極及びS極を構成するよう着磁された永久磁石からなる。 - 特許庁

This system is so constituted that a change in liquid pressure inside the chamber (5) may become a change in non-rotation symmetry imaging characteristics of an optical element (1) having n-fold symmetry.例文帳に追加

室(5)の内側の流体圧力における変化が、n重対称性を有する光学要素(1)の非回転対称性イメージング特性の変化となるように構成されている。 - 特許庁

The structure 7 on the side of the array substrate 2 and the structure 24 on the side of the counter substrate 21 are made into a shape of isosceles triangle which has mirror-surface symmetry and an axisymmetric cross section, based on a direction (n) normal to substrate.例文帳に追加

アレイ基板2側の構造体7と対向基板21側の構造体24とを、鏡面対称性を有し基板法線方向nを基準とした線対称な横断面二等辺三角形状とする。 - 特許庁

An n electrode 10 and a p electrode 11 are disposed on a symmetrical axis L1 in a long side direction of the rectangular.例文帳に追加

n電極10、p電極11は、長方形の長辺方向の対称軸L1上に配置されている。 - 特許庁

Similarly, with respect to the gear 2, the pressure introduction groove N is formed on the side plate 5 symmetrically.例文帳に追加

他方、この圧力導入溝Nは歯車2に対しても同様に側板5に形成されており対称的に形成されている。 - 特許庁

Thus, the penetrated part 70 made by the laser beam welding has a symmetrical form with respect to the normal line N and the deformation is prevented.例文帳に追加

そのため、レーザ溶接による溶け込み部70は法線Nに対し対称な形状となり、歪みが防止される。 - 特許庁

The cross-sections of the small blades 21 are formed in an asymmetric bell mouth shape by allowing the hollowing depths M, N of the right and left curved surfaces 33, 34 to be different.例文帳に追加

左右の湾曲面33・34の抉り深さM・Nを異ならせて、小刃21の断面を左右で非対称のベルマウス状に形成する。 - 特許庁

To provide a path switching apparatus capable of reducing occurrence of momentary interruption of a main signal due to path switching in 1 to n two-way asymmetrical paths, and a path switching method.例文帳に追加

1対nの双方向非対称パスにおいてパスの切替による主信号の瞬断の発生を低減する。 - 特許庁

It is formed such that n projections 32 are formed to project toward the first center O of the ejection opening which is the central axis of axial symmetry.例文帳に追加

そして、軸対称の中心軸である吐出口の第一の中心Oに向かって突出するn個の突出部32が形成されるようにする。 - 特許庁

Regions ranging from the second region 22 to the N-th region are a pair of regions symmetrical to the equatorial plane of the tire.例文帳に追加

この第二領域22から第N領域まではタイヤの赤道面に対して対称な一対の領域である。 - 特許庁

The cross-sectional shapes of adjacent birefringent medium region 32 become 180° rotationally symmetric with the substrate normal direction (n) as the center.例文帳に追加

隣り合う複屈折媒体領域32の横断面形状が基板法線方向nを中心とした180度回転対称となる。 - 特許庁

This projection lens for a lamp is characterized in that a rotationally asymmetric and elliptic collimating lens has a 2α-degree central angle (α=180/N and N is an integer not less than 3), and is formed in such a shape that N pieces of bilaterally symmetrical fan-shaped lens portions are arranged in the circumferential direction.例文帳に追加

非回転対称かつ楕円形状のコリメートレンズのうち中心角が2α度(α=180/N、Nは3以上の整数)、かつ、左右対称の扇形レンズ部分を、周方向にN個配置した形状に形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

Impressions in at least one of the first bonding part and the second bonding part are arranged in the number of N (N is an integer more than 1) and the impressions in each array of the N-arrangement are asymmetrically arranged.例文帳に追加

第1のボンディング部及び第2のボンディング部のうちの少なくとも一方における圧痕は、N(Nは2以上の整数)個の配列をなしており、且つ、N個の配列の各配列内における圧痕は、非対称な配列である。 - 特許庁

The gate wiring 105 has a dummy contact 105b, having a symmetrical shape to the contact 105a as holding the p-type impurity diffusion region 101, while having the dummy contact 105c, having the symmetrical shape to the contact 105a as holding the n-type impurity diffusion region 102.例文帳に追加

また、ゲート配線105は、P型不純物拡散領域101を挟んでコンタクト部105aと対称な形状を有するダミーコンタクト部105bを有すると共に、N型不純物拡散領域102を挟んでコンタクト部105aと対称な形状を有するダミーコンタクト部105cを有する。 - 特許庁

On the L2-L2 line on the surface of an N type semiconductor layer 12 grown epitaxially on a P type semiconductor substrate 11, a set of electrodes 15a, 15b and a set of electrodes 15c, 15d are arranged alternately and symmetrically with respect to the L1-L1 line.例文帳に追加

P型の半導体基板11の上にエピタキシャル成長されたN型の半導体層12表面のL2−L2線上に、電極15aおよび15bの電極の組と電極15cおよび15dの電極の組とをL1−L1線を対称軸として線対称の関係を有する態様で交互に配設する。 - 特許庁

A first N-type conductive region 2 and a second N-type conductive region 3 are formed on a P-type semiconductor substrate 1; and first P-type conductive regions 4, 5 and 6 inside the first N-type conductive region 2 and second P-type conductive regions 7, 8 and 9 inside the second N-type conductive region 3 are formed in point symmetry.例文帳に追加

P型の半導体基板1に第1N型導電領域2、第2N型導電領域3を形成し、第1N型導電領域2内に第1P型導電領域4,5,6、前記第2N型導電領域3内に第2P型導電領域7,8,9を点対称に形成する。 - 特許庁

The torque acceptance face of each bolt head is defined by the vertices of the crossing of the polygon torque acceptance surfaces of n pieces (the number of n is odd) which are arranged asymmetrically.例文帳に追加

各ボルト頭部のトルク受容面は、n個(nは奇数である)の非対称に配置された多角形のトルク受容面の交差点の頂点によって画定される。 - 特許庁

On the occasion of formation of the triac, the n-layers 41 to 43 are arranged in such a manner as not generating overlapped area and the n-layers 41 and 42 are formed in the symmetrical shape at the respective plane regions.例文帳に追加

その際、n層41〜43は、互いに重複しないように配置され、かつ、n層41及び42は、その平面領域がそれぞれ対称形となるように形成される。 - 特許庁

In the 1st N-type conductive region 2, four 1st P-type conductive regions 4, 8, 9, and 10 are formed; and in the 2nd N-type conductive region 3, four 2nd P-type conductive regions 5, 11, 12 and 13 are formed symmetrically with respect to points.例文帳に追加

また、第1N型導電領域2内に4つの第1P型導電領域4,8,9,10、第2N型導電領域3内にP型の4つの第2P型導電領域5,11,12,13を点対称に形成する。 - 特許庁

When a sound pressure vector (x) is obtained from the simultaneous equation represented as Ax=b by using a symmetrical plus direction column A includingn of prime numbers and complex numbers, the complex number vector (b) of length (n) and the sound pressure vector (x), an MICCG method used when the simultaneous equation of a real number is solved is applied.例文帳に追加

n×nの疎かつ複素数を含む対称正方行列A、長さnの複素数ベクトルbおよび音圧ベクトルxを用いてAx=bで表記される連立方程式から音圧ベクトルxを求める場合に、実数の連立方程式を解くときに用いるMICCG法を応用する。 - 特許庁

This asymmetrical FET contains a structure integrated with a p-type gate portion and an n-type gate portion provided on the main body of a vertical semiconductor and the interconnection between the gate portions and a flattened structure on the interconnection.例文帳に追加

非対称FETが、垂直半導体本体上のp型ゲート部分およびn型ゲート部分、p型ゲート部分とn型ゲート部分の間の相互接続、および相互接続の上の平坦化構造と一体化された構造を含む。 - 特許庁

When gang-operating n pieces of control rods 22 disposed at core-symmetrical positions, the output of neutron flux is detected by two to (n-1) pieces of LPRM strings 24 adjacent to control rod cells 23.例文帳に追加

炉心対称位置に配置されたn本の制御棒22をギャング操作する場合、制御棒セル23に隣接する2ないしn−1本のLPRMストリング24により中性子束の出力を検出する。 - 特許庁

The photochemical cell includes: a photoelectric conversion element containing an unsymmetrical two nucleus metal complex shown by a formula (L^1)_2M^1(BL)M^2(L^2)_2(X)_n; and an electrolyte containing pyridine and/or a pyridine delivertive.例文帳に追加

一般式:(L^1)_2M^1(BL)M^2(L^2)_2(X)_nで示される非対称な二核金属錯体を有する光電変換素子とピリジン及びまたはピリジン誘導体を含有する電解質から構成された光化学電池に関する。 - 特許庁

For the coefficient n, the one preliminarily optimized so as to put the asymmetrical fluctuation of the reproduced waveform small for every kind of the optical disk or optical disk drive, is used.例文帳に追加

係数nは、光ディスクや光ディスク装置の種類毎に、再生波形の非対称性の変動が小さくなるように予め最適化したものを用いる。 - 特許庁

This LDMOS transistor also includes a field oxide layer surrounding an active region of the transistor, and a thin dielectric layer isolating the asymmetric conductive spacer from the n-type epitaxial layer.例文帳に追加

本発明のLDMOSトランジスタはまた、当該トランジスタの活性領域を囲むフィールド酸化物層と、非対称導体スペーサをn型エピタキシャル層から絶縁する薄い誘電体層とを備える。 - 特許庁

The LDMOS transistor includes an n-type epitaxial layer formed on a p-type substrate and an asymmetric conductive spacer which acts as its gate.例文帳に追加

LDMOSトランジスタはp型基板上に形成されたn型エピタキシャル層と、LDMOSトランジスタのゲートとして機能する非対称導体スペーサとを備える。 - 特許庁

To provide a TFT and an LCD having low off current Ioff and a low S value and a good symmetry of Vths of a p-type TFT and an n-type TFT.例文帳に追加

オフ電流IoffおよびS値がともに低く、p型TFTとn型TFTのVthの対称性が良好なTFT、LCDおよびそれらの製造方法を提供する。 - 特許庁

A dummy interconnection 52, which is formed in the same manufacturing process as the electrode interconnection 49, is provided at a position as an axis of a center C of the n^+-type region 42 so as to maintain a 180° revolution symmetry with the electrode interconnection 49.例文帳に追加

また、n^+型領域42の中心Cを軸として電極配線49と180°の回転対称となる位置に、電極配線49と同一製造工程によって形成されたダミー配線52が設けられている。 - 特許庁

The luminous flux limiting member 12 is formed to such a shape that is asymmetric to a second plane including the center axis and orthogonal to a first plane including the center axis and the normal line (n) of the light separation surface.例文帳に追加

光束制限部材は、該中心軸を含み、該中心軸と光分離面の法線nとを含む第1の面に直交する第2の面に対して非対称な形状を有する。 - 特許庁

At the head portion of a liquid ejection head, an opening is formed in axial symmetry by the open edge 29 of the ejection opening 21 to coincide when it is rotated by 2π/n for an integer n of 3 or above.例文帳に追加

液体吐出ヘッドのヘッド部において、吐出口21の開口された縁部29によって形成される開口形状を、3以上の整数nに対して2π/n回転させた結果一致する軸対称であるように形成する。 - 特許庁

A gas introduction shower head 32 as a gas supply member is provided with an inclined face 201 having n-time rotational symmetry (n: natural number not smaller than two) against the central axis of a gas hole 35, in the outer periphery on the opposite side of the chamber of the gas hole 35.例文帳に追加

ガス供給部材であるガス導入シャワーヘッド32は、ガス穴35のチャンバ対向部側の外縁部に、ガス穴35の中心軸に関してn回回転対称性(nは2以上の自然数)を有する斜面201を有する。 - 特許庁

Each of first p type conductive areas 8, 9, 10 in the first n type conductive area 2 and each of second p type conductive areas 5, 11, 12 in the second n type conductive areas 3 are located alternately to be formed in point symmetry when seeing the semiconductor substrate 100 in plane view.例文帳に追加

また、第1N型導電領域2内にそれぞれ第1P型導電領域8,9,10と、前記第2N型導電領域3内にそれぞれ第2P型導電領域5,11,12を、半導体基板100を平面的に見たときに、互い違いになるように配置して点対称に形成する。 - 特許庁

A plurality of p- and n-side electrode pads 33, 43 are symmetrically and alternately arranged with respect to a boundary at the lengthwise center of a cell 100 so that p-side wirings 32 and n-side wirings 42 in blocks 10 at the right side of the cell 100 center may not overlap near the p-side electrode pads 33 and n-side electrode pads 43.例文帳に追加

セル100の長手方向における中央を境界に複数のp側電極パッド33およびn側電極パッド43を対称かつ交互に配置し、セル100の中央から右側における各ブロック10のp側配線32およびn側配線42がp側電極パッド33およびn側電極パッド43の近傍で重ならないように形成する。 - 特許庁

The silver halide photographic sensitive material contains an asymmetric cyanine dye having a specified thiadiazole or thiazole nucleus or the like and a specified benzazole nucleus or the like on which both two substituents at the N-positions are not sulfoalkyl groups.例文帳に追加

特定の、チアジアゾール核またはチアゾール核など及びベンゾアゾール核などを持ち、核上のN位の置換基が二つともスルホアルキル基となることはない非対称のシアニン色素を含有することを特徴とするハロゲン化銀写真感光材料。 - 特許庁

The asymmetrical FET contains the n-type gate portion and p-type gate portion on the main body of the vertical semiconductor and the interconnection between the gate portions and the flattened structure on the interconnection.例文帳に追加

垂直半導体本体上のp型ゲート部分およびn型ゲート部分と、前記p型ゲート部分と前記n型ゲート部分の間の相互接続と、前記相互接続の上の平坦化構造とを含む非対称電界効果トランジスタ(FET)の製造方法に関する。 - 特許庁

To provide a method for efficiently producing a high-purity metal salt of an asymmetric anion such as a metal salt of 2, 2, 2-trifluoro-N-(trifluoromethanesulfonyl)acetamide to be a raw material for an onium salt useful as an ionic liquid.例文帳に追加

イオン性液体として有用なオニウム塩の原料となる2,2,2−トリフルオロ−N−(トリフルオロメタンスルフォニル)アセタミド金属塩等の非対称アニオンの金属塩を高純度で効率よく製造する方法を提供する。 - 特許庁

The method for producing a desired asymmetric monoazamethine cyanine by one-pot reaction comprises reacting two types of 2-aminoheterocycles in the presence of an alkylating agent in a solvent without isolating an N-alkylated onium salt of an azole derivative of the precursor in the conventional cyanine dye synthesis.例文帳に追加

二種の2−アミノ複素環類を、アルキル化剤の存在下溶媒中で反応させることにより、公知のシアニン色素合成における前駆体であるアゾール誘導体のN−アルキル化オニウム塩を単離することなく、ワンポット反応で所望の非対称モノアザメチンシアニンを得る製造方法。 - 特許庁

The permanent magnet unit 40 comprises a plurality of compound permanent magnets 42 having an N-pole and an S-pole with a space along an axial direction of the detection coil, and the respective compound permanent magnets are positioned symmetrically with respect to an axis of the detection coil 21.例文帳に追加

永久磁石ユニット40は、検出用コイルの軸方向に間隔を隔てたN極とS極を有する複数の複合永久磁石42からなり、各複合永久磁石は、検出用コイル21の軸線に対して対称に位置する。 - 特許庁

例文

This tape cassette 1, which is composed of two upper and lower cases 2 and 3 different in height from each other, is provided with a common part 52 with a height T, which is formed in such a manner as to be vertically symmetrical with respect to a height-direction center line N of the tape cassette 1.例文帳に追加

テープカセット1は相互に高さの異なる2つの上ケース2と上ケース3とから構成されるが、テープカセット1には、テープカセット1の高さ方向における中心線Nに関して、上下方向に対称に形成され高さTを有する共通部52が設けられている。 - 特許庁

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