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島の中心溝の英語
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低誘電率膜537とキャップ膜538の溝中にダマシン法を用いて形成された配線555からなる電極パッド領域10に、電極パッドからの配線引き出し11方向にのびる複数の長方形状の絶縁部13が、電極パッドの中心部分41を除き、上面から見て島状に存在していることを特徴とする半導体装置。例文帳に追加
In the electrode pad region 10 composed a low-permittivity film 537 and wiring 555 formed in the groove of a cap film 538 by using a damascene method, a plurality of rectangular insulating sections 13 extended in the wiring leading-out direction 11 from an electrode pad exists in a island-like state in a top view except the central portion 41 of an electrode pad. - 特許庁
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