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急速アニーリングの英語
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英訳・英語 rapid annealing
「急速アニーリング」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 10件
１回目と２回目のアニールでは急速加熱アニーリングを行う。例文帳に追加
In the first and second annealing, rapid thermal annealing is performed. - 特許庁
Ａｒ／ＮＨ_３急速熱的アニーリング工程を含むシリコンウェーハの製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method of producing a silicon wafer including Ar/NH_3 rapid thermal annealing step. - 特許庁
非晶質ＩＴＯ電極を複数の多結晶ＩＴＯ電極に変換するため、急速熱アニーリングプロセスを実施する。例文帳に追加
The rapid thermal annealing process is carried out, to convert the amorphous ITO electrodes into a plurality of polycrystalline ITO electrodes. - 特許庁
導電性の接続線がＢＰＳＧ層に形成された後、ドーパント領域の再活性化のため急速な温度アニーリングが使用される。例文帳に追加
After forming a conductive connection line on the BPSG layer, rapid temperature annealing is performed to reactivate the dopant area. - 特許庁
次に、非晶質ＩＴＯ薄膜を多結晶ＩＴＯ薄膜に変換するため、急速熱アニーリングプロセスを実施する。例文帳に追加
Next, a rapid thermal annealing process is carried out to convert the amorphous ITO thin membrane into a polycrystalline ITO thin membrane. - 特許庁
Ａｒ／ＮＨ３急速熱的アニーリング工程を含むシリコンウェーハの製造方法、これにより製造されたシリコンウェーハ及び単結晶シリコンインゴットの製造のためのチョクラルスキープーラ例文帳に追加
METHOD OF MANUFACTURING SILICON WAFER INCLUDING Ar/NH3 RAPID THERMAL ANNEALING PROCESS, SILICON WAFER MANUFACTURED THEREBY, CZOCHRALSKI PULLER FOR MANUFACTURING MONOCRYSTALLINE SILICON INGOT - 特許庁
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「急速アニーリング」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 10件
このような酸素析出物濃度プロファイルのために、ウェーハはＮＨ_3及びＡｒを含むガス混合物雰囲気で約１２００℃以下の温度で急速熱的アニーリング工程に提供される。例文帳に追加
For such as oxygen precipitate concentration profile, the wafer is exposed to rapid heat annealing in a gas mixture atmosphere comprising NH_3 and Ar at about 1200°C or below. - 特許庁
このような酸素析出物濃度プロファイルのために、ウェーハはＮＨ_３及びＡｒを含むガス混合物雰囲気で約１２００℃以下の温度で急速熱的アニーリング工程に提供される。例文帳に追加
With such an oxygen precipitate concentration profile, the wafer is provided to a rapid thermal annealing step of about 1200°C or below in a gas mixture atmosphere containing NH_3 and Ar. - 特許庁
結晶性シリコン基板の精製方法は、外部ゲッタリングにより不純物を抽出するステップを含み、外部ゲッタリングにより不純物を抽出する前記ステップの前に、少なくとも１回の、７５０℃から１０００℃までの間の温度で、１秒から１０分までの間の時間、基板を急速にアニーリングするステップを含む方式。例文帳に追加
The method for purifying the crystalline silicon substrate includes a step of extracting impurities by external gettering and, before the step of extracting impurities by external gettering, at least one step of rapidly annealing the substrate at a temperature ranging from 750 to 1,000°C for a time ranging from 1 sec to 10 min. - 特許庁
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