急速接触装置の英語

液面接触による食品の急速冷凍方法及び装置例文帳に追加

METHOD AND DEVICE FOR RAPIDLY FREEZING FOOD BY LIQUID SURFACE CONTACT - 特許庁

排ガスを予熱することなく接触還元工程で急速に加熱処理する構成を採ることにより装置の小型化と製作コストの低減化を図ることができる排ガス処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide an exhaust gas treatment apparatus capable of being miniaturized and reduced in production cost by employing constitution rapidly heat-treating exhaust gas in a catalytic reducing process without preheating the same. - 特許庁

輻射熱と強制空気とを用い、感光乳剤側が接触しない感光性材料の急速乾燥を可能にする乾燥装置及び乾燥方法を提供する。例文帳に追加

To rapidly dry photosensitive material whose photosensitive emulsion side does not come in contact with by using radiant heat and forced air. - 特許庁

転写補助ローラを離間させて無端ベルトから圧着解除した場合に、無端ベルトが張架ローラ軸方向へ急速に移動することを防止できるようにすると共に、無端ベルトが周辺装置へ接触することを回避できるようにする。例文帳に追加

To prevent an endless belt from suddenly moving in the axial direction of a tension roller when transfer auxiliary rollers are separated and an endless belt is thereby released from firm contact with them, and to avoid contact of the endless belt with a peripheral device. - 特許庁

急速熱処理装置において、短時間に高速に昇降温するスパイクアニール処理を行う場合に、異なる反射率の半導体基板に対しても、半導体基板の基板支持部との接触箇所周辺とそれ以外の箇所の温度差を抑制する。例文帳に追加

To restrain a temperature difference between the periphery of a contact portion to the substrate supporting part of a semiconductor substrate and a portion except it even to the semiconductor substrate of different reflectance when a rapid thermal processing device is subjected to spike anneal treatment for a rapid rising and falling tempearture in a short time. - 特許庁

急速熱処理装置において、異なる反射率の半導体基板をスパイクアニール処理しても、最高到達温度を一定に保ち、半導体基板と基板支持部の温度を等しく保ち、半導体基板の基板支持部との接触箇所周辺とそれ以外の箇所との温度差が最小となるよう抑制することを実現にする。例文帳に追加

To provide a quick heat treating apparatus wherein, even when semiconductor substrates having different reflectivities are subjected to spike anneal processing, maximum arrival temperature can be kept unchanged; temperature of the semiconductor substrate and a substrate support can be kept equal; and a temperature difference between the circumference of the contact of the semiconductor substrate with the semiconductor support and a portion other than the foregoing portion can be suppressed to be minimum. - 特許庁