成長温度の英語

工程Ｓ１０８では、障壁層を成長する前に成長温度Ｔ_Ｗから成長温度Ｔ_Ｂに成長炉１０の温度を変更する。例文帳に追加

In a process S108, the temperature of the growth furnace 10 is changed to a growth temperature T_B from the growth temperature T_W before the barrier layer is grown. - 特許庁

好ましくはブロッキング層の成長開始時における成長温度が活性領域成長温度に１００℃を加えた温度以下である。例文帳に追加

Preferably, a growth temperature during a growth start of the blocking layer may be below a temperature obtained by adding 100°C to an active region growth temperature. - 特許庁

成長温度を６２０℃〜５５０℃の比較的低い温度で成長させるようにしてもよい。例文帳に追加

A growth temperature may be set at a relatively low temperature from 620 to 550°C to grow the layers. - 特許庁

成長温度を６２０℃以下の比較的低い温度で成長させるようにしてもよい。例文帳に追加

A growth temperature may be grown at a comparatively low temperature of 620°C or lower. - 特許庁

気相成長装置および気相成長装置の温度検出方法ならびに温度制御方法例文帳に追加

VAPOR GROWTH DEVICE, METHOD FOR DETECTING TEMPERATURE OF VAPOR GROWTH DEVICE, AND METHOD FOR CONTROLLING TEMPERATURE OF VAPOR GROWTH DEVICE - 特許庁

結晶成長時の成長界面の面内温度分布における最大温度差が２℃以下とする。例文帳に追加

Where the maximum temperature difference in temperature distribution within the face of a growth interface when growing the crystal, is at most 2°C. - 特許庁

基体上に活性層を第１の成長温度（Ｔ３）で気相成長し、その気相成長後に積層される全ての窒化物半導体層の成長温度（Ｔ４）を第１の成長温度（Ｔ３）から２５０℃高い温度以下とする。例文帳に追加

The active layer is vapor phase grown on a substrate at a first growth temperature (T3) and all of the nitride semiconductor layers which are laminated upon another after the active layer is grown are grown at another growth temperature (T4) which is higher than the first temperature (T3) by ≤250°C. - 特許庁