成長測定の英語

結晶成長プロセスの制御の必要条件としての結晶成長速度を測定するために相界面の位置の測定を可能にする、結晶成長時、相界面の位置を測定する方法及び装置を提供する．例文帳に追加

To provide a method and a device for measuring an interface position at crystal growth in order to measure a crystal growth rate as a requirement of the crystal growth process control. - 特許庁

すなわち、これら各部において、測定装置から測定対象の最表面までの距離を求め、その差を測定することにより、半導体基板１の表面に成長したｎ型エピ層２の膜厚を測定することが可能となる。例文帳に追加

That is, distances from a measurement device to the foremost surfaces of measurement objects are obtained at the respective parts to measure the differences between them, whereby the thickness of the n-type epitaxial layer 2 grown on the surface of the semiconductor substrate 1 can be measured. - 特許庁

選択成長によるエピタキシャル半導体層の膜厚を測定する膜厚測定パターンを、特段の構成材料要素を要せずに形成する。例文帳に追加

To form a film thickness measuring pattern for measuring the film thickness of an epitaxial semiconductor layer formed by the selective growth, without needing any special constituting material element. - 特許庁

測定環境に塵埃が侵入しても正常に動作することができる真空度測定装置および気相成長装置例文帳に追加

To provide a vacuum measuring device operable normally even if dust enters a measuring environment, and a vapor deposition device. - 特許庁

したがって、成長中のＧａＮ層１６の膜厚をリアルタイムで測定することができる。例文帳に追加

Thus, the film thickness of the GaN layer 16 being growing is measured in real time. - 特許庁

植物成長測定システム及びその制御方法並びに制御プログラム例文帳に追加

SYSTEM FOR MEASURING GROWTH OF PLANT, METHOD FOR CONTROLLING THE SYSTEM, AND PROGRAM FOR CONTROLLING THE SYSTEM - 特許庁

この後、測定された段差部６の高さ分だけ選択成長層５の一部を除去する。例文帳に追加

Part of the selective growth layer 5 is removed by an amount corresponding to the measured height of the step 6. - 特許庁

成長するシリコンインゴットの直径を正確に測定できるシリコンインゴットの成長を制御する方法及び装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and device for controlling the growth of a silicon ingot capable of correctly measuring a diameter of a growing silicon ingot. - 特許庁