抵抗があるの英語

軸依存性である比抵抗を有する抵抗材料が提供される。例文帳に追加

The resistor material having the specific resistance of axis dependence is provided. - 特許庁

また、このときの高抵抗層１９３の比抵抗（ρ_高抵抗）の最適域は、ρ_高抵抗＝１×１０^10〜１×１０^16Ω・ｃｍである。例文帳に追加

An optimum range of the specific resistance (ρ high resistance) of the high-resistance layer 193 is 1×10^10 to 1×10^16 Ω×cm. - 特許庁

各スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２のエミッタ端子には、セラミック抵抗（負帰還抵抗である抵抗器Ｒ４，Ｒ６）が接続され、ベース端子には、セラミック抵抗（ベース抵抗である抵抗器Ｒ３，Ｒ５）が接続されている。例文帳に追加

Ceramic resistances (resistors R4, R6 as negative feedback resistances) are connected to emitter terminals of the switching elements Q1 and Q2, and ceramic resistances (resistors R3, R5 as base resistances) are connected to the base terminals. - 特許庁

1005などのチップ抵抗器においては、抵抗器自体のサイズが小さいことから、抵抗値が高い範囲のチップ抵抗器を製作することは比較的容易であるが、抵抗値が低い範囲の抵抗器を製作することは難しい。例文帳に追加

To provide a chip resistor whose value of resistance is in a low range and its manufacturing method, whereas it is comparatively easy to manufacture a chip resistor such as 1005 whose value of resistance is in a high range as the size of the resistor itself is small. - 特許庁

異方性抵抗層３ｄは、低抵抗方向の表面抵抗率が１ｋΩ以下であり、高抵抗方向の表面抵抗率が１０ｋΩ以上であり、高抵抗の方向が、ＴＥ波の電界と平行な方向である。例文帳に追加

In the anisotropic resistant layer 3d, surface resistivity of a low resistant direction is 1 kΩ or less, surface resistivity of a high resistant direction is 10 kΩ or more, and the high resistant direction is a direction parallel to an electric field of the TE wave. - 特許庁

メモリセルは可変抵抗素子であるデータ記憶抵抗素子を有し、参照抵抗回路は、それぞれがデータ記憶抵抗素子と同じ構造を有する可変抵抗素子である第１の参照抵抗素子Ｒｒ１及び第２の参照抵抗素子Ｒｒ２を有している。例文帳に追加

The memory cells have data storage resistance elements that are variable resistance elements, and the reference resistance circuit has first reference resistance elements Rr1 and second reference resistance elements Rr2 that are variable resistance elements each having the same structure as the data storage resistance elements. - 特許庁

感温抵抗８は、トライアック１が高温になると抵抗値が下がり、トライアック１が低温になると抵抗値が上がるものである。例文帳に追加

The resistance of a temperature sensing resistor 8 decreases when the triac 1 reaches the high temperature and increases when the triac 1 gets the low temperature. - 特許庁

薄膜抵抗の抵抗用薄膜が過熱溶断する恐れを低減した薄膜抵抗の抵抗値調整方法及び薄膜抵抗を用いたレーザダイオードモジュールを提供することにある。例文帳に追加

To provide a thin film resistor resistance adjusting method which hardly fuses the resistance thin film of a thin film resistor by overheating and a laser diode module using the thin film resistor. - 特許庁