抵抗できるの英語

固定抵抗器２５や０オーム抵抗器２７を取り外すことで抵抗調整回路２１全体としての抵抗値を調整することができる。例文帳に追加

By removing the fixed resistors 25 and the zero-ohm resistors 27, the resistance value of the overall resistance adjusting circuit 21 as a can be adjusted. - 特許庁

必要以上に大きな抵抗値を持つ回生抵抗を用いることなく、回生抵抗の焼損を防止できる回生抵抗保護機構を提供する。例文帳に追加

To provide a regenerative resistor protecting mechanism, capable of preventing burnout in a regenerative resistor, without using a regenerative resistor having a higher resistance value than is necessary. - 特許庁

高抵抗率の抵抗層６６Ｃと、それよりも抵抗率の低い抵抗層６６Ａ及び６６Ｂを同一の膜４２から形成できる。例文帳に追加

A high-resistivity resistance layer 66C and resistance layers 66A and 66B of lower resistivity can be formed from the same film 42. - 特許庁

薄膜抵抗と配線部との接触抵抗が高抵抗化することを抑制できる薄膜抵抗を備えた半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device with thin-film resistance that suppresses higher contact resistance between a thin-film resistance and a wiring part. - 特許庁

高周波帯域における抵抗皮膜の抵抗特性を適切に把握できる抵抗皮膜の抵抗測定方法を提供する。例文帳に追加

To acquire properly the resistance characteristic of a resistance film in a high frequency band. - 特許庁

このため、厚膜抵抗器の高抵抗化が比較的容易に出来る。例文帳に追加

Therefore, the resistance of a thick-film resistor can be increased relatively easily. - 特許庁

加工部周辺へのデブリの付着による抵抗体の抵抗値の変動及び抵抗体溶融物の発生による抵抗体の抵抗値の変動を抑えて、抵抗体の抵抗値を安定して調整できるとともに、被膜の除去が簡単な抵抗体のトリミング方法を提供する。例文帳に追加

To provide a trimming method of a resistor, which allows stable adjustment of resistance value of the resistor by suppressing variations of resistance value of the resistor due to adhesion of debris to the circumference of a processing part and variations of resistance value of the resistor due to generation of resistor melt, and also facilitates removal of a film. - 特許庁

高抵抗素子と低抵抗素子のそれぞれの抵抗値は、薄膜抵抗層の比抵抗と、高抵抗素子の場合は薄膜抵抗層の長さと幅とを調整することにより、低抵抗素子の場合は実効的な平面積を調整することにより、所望の値に設定することができる。例文帳に追加

The resistance value of each of the high resistance element and the low resistance element can be set to a desired value by adjusting the resistivity of the thin film resistance layer, and the length and the width of the thin film resistance layer in the case of a high resistance element, and an effective plane area in the case of a low resistance element. - 特許庁