抵抗の法則の英語

オームの法則に従わない電気抵抗例文帳に追加

{non-ohmic} resistance発音を聞く  - EDR日英対訳辞書

オームの法則という,ある抵抗における電圧の低下は,それを流れる電流と直接的に比例することを示す法則例文帳に追加

in electronics, Ohm's law which shows that the voltage drop across a resistance is directly proportional to the current flowing through it発音を聞く  - EDR日英対訳辞書

本発明によれば、オームの法則に基づいて抵抗値を測定するのではなく、時定数に基づいて抵抗値を算出していることから、１０^５〜１０^１２Ω程度の直流抵抗を有するデシペイティブ材料の抵抗値を正しく計測することが可能となる。例文帳に追加

Since the resistance value is calculated based not on Ohm's law but on a time constant in this method, the resistance value of the dissipative member having a dc resistance in an extent of 10^5 to 10^12 Ω can be measured correctly. - 特許庁

流量計算にオームの法則を、適用して得られる最大のメリットは、流体回路に、流体抵抗値という考え方を持ち込むとで、巨大な流れの流体回路から、微弱な流れの流体回路まで、オームの法則を適用することで、簡単な計算により、流体回路の概数計算ができ、速やかな、流体回路を設計することが出来ることです。例文帳に追加

The greatest merit for applying the ohm' s law to the calculation of flow rate is to approximately calculate the fluid circuit for designing the fast fluid circuit with simple calculation by bringing the idea of fluid resistance value into the fluid circuit and hence applying the ohm's law to the fluid cirucit of gigantic flow as well as that of weak flow. - 特許庁

被測定接地極３と第二補助接地極８との間の電位差Ｖを測定し、測定された電位差Ｖと交流電流測定処理部６の示す電流値Ｉに基づき、オームの法則からＲ＝Ｖ／Ｉの式を用いて演算処理して接地抵抗Ｒを求める。例文帳に追加

A potential difference V, between the measured grounding electrode 3 and the second auxiliary grounding electrode 8, is measured and the ground resistance R is calculated, from the Ohm's law, by arithmetic operation using the equation R=V/I based on the measured potential difference V and a current value I indicated by the AC current measurement processing part 6. - 特許庁

本発明によるプラズマ表示装置及びその電源装置は、電源装置に使用される電源の個数を減らすために、一部の電源を備えなくても電圧分配法則により、可変抵抗を利用して、備えられない電源に該当する電圧を生成する。例文帳に追加

The plasma display device and a power supply device thereof generate voltage corresponding to a power source which is not provided using a variable resistor based on principles of voltage distribution even without providing a part of the power source, for reducing the number of power sources used for the power supply device. - 特許庁

プラズマＣＶＤ法により不純物元素を有する非晶質半導体を形成する方法において、パッシェンの法則で最小放電開始電圧を満たす圧力及び電極間隔において、パルス変調した放電開始電圧を電極に印加することより、抵抗率の低い不純物元素を有する非晶質半導体を形成する。例文帳に追加

Thus, an amorphous semiconductor including an impurity element with low resistivity is formed. - 特許庁