METHOD OF MEASURING RESISTIVITY OF N TYPE SEMICONDUCTOR WAFER例文帳に追加

Ｎ型半導体ウェハの抵抗率測定方法 - 特許庁

LOW RESISTANCE n-TYPE SEMICONDUCTOR DIAMOND例文帳に追加

低抵抗ｎ型半導体ダイヤモンド - 特許庁

CIRCUIT WITH N-TYPE NEGATIVE RESISTIVE ELEMENT例文帳に追加

Ｎ型負性抵抗素子を有する回路 - 特許庁

A lower-part n- layer 12 of high specific resistance, intermediate n-layer 13 of low specific resistance, and upper-part n- layer 14 of high specific resistance are formed on an n+ cathode layer 11 of low specific resistance.例文帳に追加

低比抵抗のｎ^+ カソード層１１の上に、高比抵抗の下部ｎ^- 層１２、低比抵抗の中間ｎ層１３、高比抵抗の上部ｎ^- 層１４が形成されている。 - 特許庁

SYNTHESIZING METHOD OF LOW RESISTANCE n-TYPE DIAMOND例文帳に追加

低抵抗ｎ型ダイヤモンドの合成法 - 特許庁

A low resistance p-type emitter layer 2 is formed on the rear of a high resistance n-type base layer 1.例文帳に追加

高抵抗のｎ型ベース層１の裏面に低抵抗のｐ型エミッタ層２が形成される。 - 特許庁

An adjustment resistor array 211 comprises the arrangement of n resistors Ra to Rn.例文帳に追加

調整用抵抗アレイ２１１は、ｎ個の抵抗Ｒａ〜Ｒｎを配列したものである。 - 特許庁

N-well layers 25, 26 for reducing on-resistance are formed on a drift region 12 to reduce the on-resistance.例文帳に追加

ドリフト領域１２にオン抵抗低減用のＮウェル層２５，２６を形成し、オン抵抗を下げる。 - 特許庁

METHOD FOR SYNTHESIZING LOW RESISTANCE N-TYPE AND LOW RESISTANCE P-TYPE SINGLE CRYSTAL AlN THIN FILMS例文帳に追加

低抵抗ｎ型および低抵抗ｐ型単結晶ＡｌＮ薄膜の合成法 - 特許庁

Based on the measured leakage resistance and the variation characteristics thereof, leakage resistance of each capacitor cell at n hours later is estimated (S3).例文帳に追加

測定した漏れ抵抗と漏れ抵抗の変化特性を基に各キャパシタセルのｎ時間後の漏れ抵抗を推定する（Ｓ３）。 - 特許庁

Series resistors of a resistor string 10 for the D/A converter are divided into n units of series resistor groups (10L, 10H).例文帳に追加

Ｄ／Ａコンバータの抵抗ストリング１０の直列抵抗をｎ個の直列抵抗群（１０Ｌ，１０Ｈ）に分ける。 - 特許庁

When a resistance value of a resistor 28 is defined as Re, a resistance value of resistors 29 and 30 is defined as 2R and emitter voltage of a transistor 23 is defined as Vo', the voltage Vo' is expressed as an equation:Vo'=2 Vbe 1+2(R/Re).1n(n).Vt.例文帳に追加

抵抗２８の抵抗値をＲｅとし、抵抗２９と抵抗３０の抵抗値を２Ｒとし、トランジスタ２３のエミッタ電圧をＶｏ’とすると、この電圧Ｖｏ’は、下記式のように表される。 - 特許庁

In the reverse type amplifier employing an operational amplifier 1, the resistance ratio between a reverse input side resistance and negative feedback resistance is controlled by a digital signal of N bits (N≥2, N is an integer), using an R-2R resistor circuit.例文帳に追加

演算増幅器１を用いた反転型増幅器において、Ｒ−２Ｒ抵抗回路を用いて、反転入力側抵抗と負帰還抵抗の抵抗比をＮビット（Ｎ≧２：整数）のデジタル信号により制御する。 - 特許庁

All resistors (including resistors in a Zener zapping circuit), except resistors included in an analog integrated circuit in a semiconductor integrated circuit device, are each equipped with a P-type resistive layer 6 which functions as a resistor, an N--type resistive island layer 4N which completely surrounds the resistive layer 6, and an N+-type ring-shaped collector wall layer 7.例文帳に追加

ＩＣ化された半導体集積装置内のアナログ集積回路を除く全ての抵抗（ツェナーザッピング回路内の抵抗をも含む）の各々は、同抵抗として機能するｐ型抵抗層６と、抵抗層６を完全に取り囲むｎ^-型の抵抗島層４Ｎと、抵抗島層４Ｎの全側面を完全に取り囲むｎ^+型のリング状のコレクターウォール層７とを有する。 - 特許庁

The lower resistor RL is divided into N (N is an integer of 2 or above) subresistors RS connected in series.例文帳に追加

下側抵抗ＲＬは、直列に接続されたＮ（Ｎは２以上の整数）個のサブ抵抗ＲＳに分割されている。 - 特許庁

A vehicle speed conversion part 31 computes running resistance N to a vehicle speed V converted from a current rotational speed Rv on the basis of a resistance map 32.例文帳に追加

車速変換部３１が現在の回転速度Rvを変換した車速Vに対する走行抵抗Nを抵抗マップ３２から算出する。 - 特許庁

The midpoint of the resistor R4 and the resistor R5 and the midpoint of the resistor R2A and the resistor R2B are connected to each other via an N-side voltage comparison circuit V2.例文帳に追加

第２補助分圧抵抗Ｒ４と第３補助分圧抵抗Ｒ５の中点と、Ｎ側第１分圧抵抗Ｒ２ＡとＮ側第２分圧抵抗Ｒ２Ｂの中点とが、Ｎ側電圧比較回路Ｖ２を介して互いに連結されている。 - 特許庁

The resistor for switches which is connected n series with the resistance contact or gap and in parallel with the main contact, with a linear resistor 1 and an nonlinear resistor 2 being connected in parallel with each other.例文帳に追加

抵抗接点またはギャップと直列接続され主接点と並列に接続される開閉器用抵抗器において、線形抵抗体１と非線形抵抗体２とが並列に接続されてなる構成とする。 - 特許庁

This power supply consists of an N buffer 22, a P buffer 23, a comparator 24, a variable resistance control circuit 25, voltage-dividing resistors R1 to R4, variable resistors r1 to r3 and a resistor Rr.例文帳に追加

電源装置は、Ｎバッファ２２と、Ｐバッファ２３と、コンパレータ２４と、可変抵抗制御回路２５と、分圧抵抗Ｒ１〜Ｒ４と、可変抵抗ｒ１〜ｒ３と、抵抗Ｒｒと、から構成されている。 - 特許庁

VARIABLE RESISTANCE RANDOM ACCESS MEMORY ELEMENT EQUIPPED WITH N+ INTERFACE LAYER例文帳に追加

ｎ＋界面層を備えた可変抵抗ランダムアクセスメモリ素子 - 特許庁

METHOD OF PRODUCING LOW-RESISTANCE CONTACT ON N-TYPE GERMANIUM例文帳に追加

ｎ型ゲルマニウム上への低抵抗コンタクトの作製方法 - 特許庁

METHOD FOR FORMING ELECTRODE WITH LOW CONTACT RESISTANCE ONTO n-TYPE CONDUCTIVE ZINC OXIDE例文帳に追加

ｎ型伝導性酸化亜鉛上への低接触抵抗電極の形成法 - 特許庁

LOW-RESISTANCE n-TYPE SEMICONDUCTOR DIAMOND AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

低抵抗ｎ型半導体ダイヤモンドおよびその製造方法 - 特許庁

An N-type low resistance layer 17 reduces the junction FET effect.例文帳に追加

Ｎ型低抵抗層１７は、ジャンクションＦＥＴ効果を低減する。 - 特許庁

To reduce a contact resistance of a contact formed on an n-type Ge.例文帳に追加

ｎ型Ｇｅ上に形成されるコンタクトの接触抵抗を低減する。 - 特許庁

To solve such a problem that the calorific value of a snubber resistor 18#(#=p,n) is not negligible.例文帳に追加

スナバ抵抗体１８＃（＃＝ｐ，ｎ）の発熱量が無視できないこと。 - 特許庁

Contact resistance of the p^+-region 24 and the n^+-region 25 becomes small.例文帳に追加

ｐ^＋領域24およびｎ^＋領域25のコンタクト抵抗が小さくなる。 - 特許庁

An N- type first high resistance drift layer 22 is arranged on one face of a silicon substrate 21 as an N+ type drain area, and an N- type second high resistance drift layer 23 is arranged on the first high resistance drift layer 22.例文帳に追加

Ｎ＋型ドレイン領域としてのシリコン基板２１の一主面上にＮ型第１高抵抗ドリフト層２２が配置され、第１高抵抗ドリフト層２２上にＮ−型第２高抵抗ドリフト層２３が配置されている。 - 特許庁

The circuit 18 is formed, in such a way that n pieces of resistor elements R_1-R_n are connected in series between an input line 22 and an output line 24 by a metal wiring 20, such as an Al wiring.例文帳に追加

抵抗回路は、Ｒ_1 〜Ｒ_n のｎ個の抵抗素子をＡｌ配線等の金属配線２０で入力線２２及び出力線２４に並列に接続してなる抵抗回路である。 - 特許庁

The resistor is annealed following to film formation in order to sustain a desired high resistivity stably for a long time and when a Ta-Si-O- N-H based five element heating resistor is produced by introducing H as a compositional element, a heating resistor having a high resistively can be produced with high reproducibility.例文帳に追加

この抵抗体は成膜後のアニール処理により、所望の高抵抗率を経時的に安定して保持でき、成分元素としてＨを導入したＴａ-Ｓｉ-Ｏ-Ｎ−Ｈ系の５元素系発熱抵抗体とすることにより、高抵抗率を備えた発熱抵抗体を再現性良く製造可能となる。 - 特許庁

A termination resistor 132 provided in an interface circuit includes first to N-th resistor elements 140-1 to 140-N connected in parallel, and first to n-th cutting elements 142-1 to 142-n connected, respectively, with n (1≤n<N) out of first to N-th resistor elements 140-1 to 140-N.例文帳に追加

インターフェース回路に設けられる終端抵抗１３２は、互いに並列接続された第１〜第Ｎの抵抗素子１４０−１〜１４０−Ｎと、各々が第１〜第Ｎの抵抗素子のうちのｎ（１≦ｎ＜Ｎ）個の各々とそれぞれ直列接続された第１〜第ｎの切断素子１４２−１〜１２−ｎとを含む。 - 特許庁

N higher resistances RH and N lower resistances RL are associated with respective bits of a digital input code D_IN, and respective resistance values are substantially binary-weighted in accordance with the corresponding bits.例文帳に追加

Ｎ個の上側抵抗ＲＨおよびＮ個の下側抵抗ＲＬはそれぞれ、デジタル入力コードＤ_ＩＮの各ビットに対応付けられ、それぞれの抵抗値が対応するビットに応じて実質的にバイナリで重み付けされている。 - 特許庁

The silicide layer 12 is a low-resistance region, the second exposed regions 14R of the N^+-diffusion layer 14 are medium-resistance regions, and the exposed region 13R of the N-well 13 is a high-resistance region.例文帳に追加

シリサイド層１２は低抵抗領域を、Ｎ^＋拡散層１４の第二露出領域１４Ｒは中抵抗領域を、Ｎウェル１３の露出領域１３Ｒは高抵抗領域をそれぞれ形成している。 - 特許庁

Each of the operation start time constant circuits is constituted of a resistor RS-1 and a capacitor CS-1, a resistor RS-2 and a capacitor CS-2, and a resistor RS-N and a capacitor CS-N.例文帳に追加

各々の動作開始時定数回路は、抵抗ＲＳ−1とコンデンサＣＳ−１、抵抗ＲＳ−２とコンデンサＣＳ−２、抵抗ＲＳ−ＮとコンデンサＣＳ−Ｎ、とで構成されている。 - 特許庁

A semiconductor device is composed of a P-type thin-film resistor that is formed by a P-type semiconductor thin film, and an N-type thin-film resistor that is formed by an N-type semiconductor thin film, thus canceling the resistance change when stress has been applied.例文帳に追加

Ｐ型の半導体薄膜で形成されたＰ型薄膜抵抗体と、Ｎ型の半導体薄膜で形成されたＮ型薄膜抵抗体とから構成し、応力がかかった場合の抵抗値変化を相殺した。 - 特許庁

The P^+ polysilicon resistor has a positive temperature coefficient, and the N^+ polysilicon resistor has a negative temperature coefficient.例文帳に追加

このＰ＋ポリシリコン抵抗体は正の温度係数を有し、Ｎ＋ポリシリコン抵抗体は負の温度係数を有する。 - 特許庁

Distance between the fuse element portion n and the membrane resistor r differs from distance between the fuse element portion m and the membrane resistor r.例文帳に追加

ヒューズエレメント部分ｎと膜抵抗ｒとの距離とヒューズエレメント部分ｍと膜抵抗ｒとの距離が異なっている。 - 特許庁

A resistance circuit includes resistive elements R1, TR, and R2 comprising a p-type diffusion layer formed in an n-type layer.例文帳に追加

抵抗回路は、Ｎ型層に形成されたＰ型拡散層からなる抵抗素子Ｒ１，ＴＲ，Ｒ２を含む。 - 特許庁

A ladder resistance circuit includes a plurality of resistance units RA1-RAmn (m, n are integers of ≥2) and a plurality of selection units SLA1-SLAmn.例文帳に追加

ラダー抵抗回路は、複数の抵抗ユニットＲＡ１〜ＲＡｍｎ（ｍ、ｎは２以上の整数）と複数の選択ユニットＳＬＡ１〜ＳＬＡｍｎを含む。 - 特許庁

A first resistance element 20 formed by an n-type semiconductor and a second resistance element 22 formed by a p-type semiconductor are connected in series.例文帳に追加

Ｎ形半導体からなる第１の抵抗素子２０及びＰ形半導体からなる第２の抵抗素子２２は、直列接続されている。 - 特許庁

The tuner circuit is configured to compensate a series resistance component R_0+1 by connecting the negative resistor circuit N in series with a series resonance circuit M.例文帳に追加

直列共振回路Ｍに直列に負性抵抗回路Ｎを接続して直列抵抗成分Ｒ_０＋１を補償するよう構成する。 - 特許庁

The n-type polycrystalline silicon 11 has a positive temperature dependency coefficient of resistivity, while the p-type polycrystalline silicon 12 has a negative one.例文帳に追加

Ｎ型多結晶シリコン１１は、抵抗率の温度依存係数が正であり、Ｐ型多結晶シリコン１２は、抵抗率の温度依存係数が負である。 - 特許庁

A resistor element 12 is provided on the outer region of the N type epitaxial layer 10 and connected with the external connection region 2.例文帳に追加

Ｎ型エピタキシャル層１０の外側領域上に抵抗素子１２を設け、抵抗素子１２を外部接続領域２に接続する。 - 特許庁

Since the N^--type area 5b is interposed in the lower current route, the lower current route is higher in resistance than the upper current route.例文帳に追加

下側の電流経路にはＮ^−型領域５ｂが介在するため、下側の電流経路の抵抗は上側の電流経路の抵抗よりも高い。 - 特許庁