A top-side N-type layer substrate becomes the N+ layer only where the support substrate layer is etched.例文帳に追加

表面側のＮ型層基板は、支持用基板層がエッチングされた箇所だけＮ＋層となる。 - 特許庁

The apparatus body 1 is suspendedly supported by using a suspension bolt B fixed to a ceiling surface and suspended from the ceiling surface, a support nut N threaded with the suspension bolt B, and a support washer W in which the suspension bolt B is inserted and which is supported by the support nut N.例文帳に追加

器具本体１は、天井面に対して固定され天井面より垂下された吊下げボルトＢと、吊下げボルトＢに螺合する支持ナットＮと、吊下げボルトＢが挿通されるとともに支持ナットＮによって支持された支持ワッシャＷとを用いて吊下げ支持される。 - 特許庁

The fixture body 1 has a bolt insertion hole 10a vertically bored, and is supported by the support washer W and a support nut N attached to a support bolt B suspended from the ceiling face and inserted through the bolt insertion hole 10a.例文帳に追加

器具本体１は上下に貫設されたボルト挿通穴１０ａを有し、天井面から垂下されてボルト挿通穴１０ａに挿通された支持ボルトＢに取り付けられた支持ワッシャＷと支持ナットＮとによって支持される。 - 特許庁

The semiconductor wafer W supported by the supporting means 12 is floated, and then the semiconductor wafer W and the supporting means 12 are relatively displaced, thereby resolving the overlapping of the V-notch N and the supporting means 12 and the like.例文帳に追加

支持手段１２に支持された半導体ウエハＷを浮上させてから半導体ウエハＷと支持手段１２とを相対変位させることで、ＶノッチＮと支持手段１２等との重なりを解消することができる。 - 特許庁

The film 10 for a semiconductor has an adhesive layer 3 and a support film 4 laminated, and the average thickness of the support film 4 is ≤100 μm, and the rigidity thereof is ≥40 N and ≤1,000 N.例文帳に追加

半導体用フィルム１０は、接着層３と支持フィルム４とが積層されてなり、支持フィルム４の平均厚さが１００μｍ以下であり、かつ、支持フィルム４の剛性が４０Ｎ以上１，０００Ｎ以下である。 - 特許庁

The plurality of cables 26, 26 are supported in lines of 3 to 4 and rows of (n) (=5) by a cable supporter 17.例文帳に追加

ケーブル支持具１７により上記複数本のケーブル２６、２６を、３〜４の行数でｎ（＝５）列支持する。 - 特許庁

A coat layer on a temporary support is transferred onto a support by using a transfer material having a matting agent-containing layer on the side opposite to the coat layer of the temporary support while keeping a tension value exerted to the temporary support during transfer in a range from 60 N/m to 200 N/m.例文帳に追加

仮支持体の塗工層が設けられた側と反対側にマット剤含有層を有する転写材料を用いて、前記仮支持体上の前記塗工層を、前記転写時に前記仮支持体にかかるテンションの値を６０Ｎ／ｍ〜２００Ｎ／ｍの範囲にして、支持体上に転写する。 - 特許庁

An n-type semiconductor layer 21 and a p-type semiconductor layer 23 are laminated on one surface of a support layer 1.例文帳に追加

ｎ型半導体層２１及びｐ型半導体層２３は、支持層１の一面上で積層されている。 - 特許庁

An AlN epitaxial layer 15 is provided on the n surface area of the AlN support body 13.例文帳に追加

ＡｌＮエピタキシャル層１５は、ＡｌＮ支持基体１３のＮ面エリア上に設けられている。 - 特許庁

In the p support substrate 1 located below the PFET6, an n well diffusion region 9 is formed.例文帳に追加

PFET６の下方に位置するｐ支持基板１内には、ｎウェル拡散領域９が形成されている。 - 特許庁

On the reverse surface side of the n^- support substrate 1, an FS region 8 and a p collector region 9 are provided.例文帳に追加

ｎ^-支持基板１の裏面側には、ＦＳ領域８およびｐコレクタ領域９が設けられている。 - 特許庁

An n-type drift layer 3 is formed through an insulating film 2 on a support substrate 1.例文帳に追加

支持基板１上に絶縁膜２を介してｎ型ドリフト層３が設けられている。 - 特許庁

An n-type GaN-based semiconductor layer 15 is disposed on the principal plane 13a of the support 13.例文帳に追加

ｎ型ＧａＮ系半導体層１５は支持体１３の主面１３ａ上に設けられる。 - 特許庁

The method also includes using the base plate having a surface tension of 0.5 N/m or below.例文帳に追加

また、支持基板の表面張力が０．５Ｎ／ｍ以下であることも含まれる。 - 特許庁

A diaphragm part 1 in which a detecting element (a p-n junction diode) D_j,_i is arranged is supported in an array isolation region 3 in a hollow state by a first support leg 2a and a second support leg 2b.例文帳に追加

検出素子（ｐｎ接合ダイオード）Ｄ_j,iを配置しているダイアフラム部１が、第１支持脚２ａと第２支持脚２ｂにより中空状態でアレイ分離領域３に支持されている。 - 特許庁

At least one support body 3 of the support group N is provided with an enlargement suppression means to prevent or relax enlargement of deformation of each support body 3 due to fit-in of the wiring and piping material Q.例文帳に追加

支持体群Ｎの少なくとも一つの支持体３は、配線・配管材Ｑの嵌入による各支持体３の変形の拡大を防止あるいは緩和するための、拡大抑制手段を備える。 - 特許庁

The hinge mechanism is provided with a first and a second support part 20, 21 projectingly provided on the lag plate 17 and a link pin 23 having both end parts in a shaft N direction supported by the first and the second support part 20, 21.例文帳に追加

ヒンジ機構１９は、ラグプレート１７に突設された第１及び第２支持部２０，２１と、該第１及び第２支持部２０，２１により軸Ｎ方向の両端部が支持されたリンクピン２３とを備えている。 - 特許庁

A support tool S1 comprises a base part 1, and a support body group N consisting of the base part 1 and a plurality of support bodies 3 erected at the base part 1 in a state to be juxtaposed at intervals of a distance.例文帳に追加

支持具Ｓ１は、基部１と、その基部１に間隔をおいて並ぶようにして立設される複数の支持体３からなる支持体群Ｎとを備える。 - 特許庁

An n-side electrode is a thin-film electrode 3 of the n-type semiconductor layer 21 formed on a surface positioned on the side of the support layer 1.例文帳に追加

ｎ側電極は、ｎ型半導体層２１の、支持層１の側に位置する面に形成された薄膜電極３である。 - 特許庁

To provide a solid phase method for synthesizing an N-substituted oligomer and a method for directly synthesizing a poly(N-substituted amide) on a solid substrate support.例文帳に追加

固体基体支持体上で直接ポリ（Ｎ−置換アミド）を合成する方法を提供し、Ｎ−置換オリゴマーを合成する固相法を提供する。 - 特許庁

The carousel supports n pieces (n is an integer of two or more) of sample containers storing samples circumferentially at even intervals.例文帳に追加

カローセルは、円周方向に沿って等間隔にて試料を収納したｎ個（ｎは２以上の整数）の試料容器を支持するように構成されている。 - 特許庁

A load foundation area A per pile in which a relationship between the long-term allowable bearing unit capacity q_ra and long-term ground contact pressure N satisfies N≤q_ra, and pile ultimate bearing power P_d are determined.例文帳に追加

ｑ_ra＝（１／３）〔ｑ_d −１．６（Ｐ_d ／Ａ）〕 …（１）長期許容支持力度ｑ_raと長期接地圧Ｎとの関係が、Ｎ≦ｑ_ra、を充足する杭１本当たり負担基礎面積Ａ、および杭極限支持力Ｐ_d を定める。 - 特許庁

A ratio L/H of the length L of the cable supporter 17 to the height H of a front end element 19 and middle elements 20, 20 forming the cable supporter 17 is set to n±1 with respect to the relation with the number (n) of rows.例文帳に追加

又、上記ケーブル支持具１７の長さＬとこのケーブル支持具１７を構成する先端側素子１９及び中間素子２０、２０の高さＨとの比Ｌ／Ｈを、上記列数ｎとの関係で、Ｌ／Ｈ＝ｎ±１とする。 - 特許庁

The n-electrode of the light-emitting element and the negative electrode of the supporting substrate are formed facing each other, and the negative electrode of the supporting substrate is almost entirely opposed to the n-electrode of the light-emitting element or displaced toward the outside with respect to the n-electrode.例文帳に追加

発光素子のｎ電極と支持基板の負電極とは対向して形成され、支持基板の負電極は発光素子のｎ電極とほぼ全面的に対向する、または、ｎ電極に対して外側寄りにずれるように配置されている。 - 特許庁

To simplify rise and fall driving means of a plurality of parallel lower side rise and fall vehicle support bases 3A-3C vertically moving between an incoming/outgoing level N and a lower side support level D and make the lower side rise and fall vehicle support base itself compact and reduce a parking equipment cost.例文帳に追加

入出庫レベルＮと下側支持レベルＤとの間で昇降する複数台の並列する下側昇降車両支持台３Ａ〜３Ｃの昇降駆動手段の簡素化と当該下側昇降車両支持台自体のコンパクト化とコストダウンを図る。 - 特許庁

In the electrophotographic photoreceptor provided with an intermediate layer between a conductive supporting body and a photoreceptive layer, the conductive supporting body is the flexible belt type supporting body, and also, the intermediate layer is an insulating layer containing N type semiconductive particles and binder, and also, provided with Benard cell formed.例文帳に追加

導電性支持体と感光層の間に中間層を有する電子写真感光体において、該導電性支持体が可撓性のベルト支持体であり、且つ中間層がＮ型半導性粒子とバインダーを含有し、且つベナードセルが形成された絶縁層であることを特徴とする電子写真感光体。 - 特許庁

(a) The porous supporting body/hydrogen-permselective membrane substrate is equipped with a porous substrate, a porous supporting body containing the first-nth coating membranes (n≥1) formed on the surface of the porous substrate and a hydrogen-permselective membrane formed on the surface of the porous supporting body.例文帳に追加

（ａ）前記多孔質支持体／水素選択透過膜基板は、多孔質基材と、前記多孔質基材の表面に形成された第１〜第ｎ被覆膜（ｎ≧１）とを含む多孔質支持体と、前記多孔質支持体の表面に形成された水素選択透過膜とを備えている。 - 特許庁

Moreover, the key support part 13 of the black key unit is laid on the key support part 13 of the white key unit, and a screw N is inserted into both of the first screw hole 16 and the second screw hole 21A so as to fix the key support part 13 and the key mounting part 22A.例文帳に追加

さらに白鍵ユニットの鍵支持部１３の上に黒鍵ユニットの鍵支持部１３を重ねて、第１ネジ孔１６及び第２ネジ孔２１Ａの両者にネジＮを挿入して、鍵支持部１３と鍵取付部２２Ａとを固着する。 - 特許庁

To provide a parking device improving a lifting and lowering driving device having lifting and lowering vehicle supporting bases using a hanging rope, in the parking device equipped with a plurality of lifting and lowering vehicle supporting bases 2A to 3C parallel with each other lifting and lowering between an entering and leaving parking device level N and supporting levels U and D.例文帳に追加

入出庫レベルＮと支持レベルＵ，Ｄとの間で昇降する複数台の並列する昇降車両支持台２Ａ〜３Ｃを備えた駐車装置に於いて、吊り索を使用する昇降車両支持台の昇降駆動装置を改善する。 - 特許庁

A p-type and an n-type thermoelectric conversion element 2 (2P, 2N) are respectively fitted to separate through-holes formed in an insulating intermediate supporting board 3 and fixed to the board 3 with respectively protruding on both sides of the board 3.例文帳に追加

Ｐ型とＮ型の各熱電変換素子２（２Ｐ，２Ｎ）を、それぞれ、絶縁性の中間支持基板３に形成された別々の貫通孔に嵌合し中間支持基板３の表裏両面側にそれぞれ突出した形態でもって中間支持基板３に固定する。 - 特許庁

In the pasting material for skin scratching-breaking prevention in which a textile is a base a pressure-sensitive adhesive lamina is formed on one side of the base, the static friction coefficient of the adhesive layer unforming face of the base is 0.5 to 0.8 and the 50% modulus of the pasting material as a whole is 0.2-5.0 N/cm.例文帳に追加

布帛を支持体とし、該支持体の片面上に感圧性接着剤層を形成してなる貼付材であって、支持体の接着剤層非形成面の静摩擦係数が０．５〜０．８、貼付材全体の５０％モジュラスが０．２〜５．０Ｎ／ｃｍであることを特徴とする皮膚掻破防止用貼付材。 - 特許庁

A p-side electrode 4 penetrates the n-type semiconductor layer 21 positioned on the side of the support layer 1 from the side of the support layer 1, and a tip thereof reaches the p-type semiconductor layer 23.例文帳に追加

p側電極４は、支持層１側に位置するｎ型半導体層２１を、支持層１の側から貫通し、先端がｐ型半導体層２３に達している。 - 特許庁

The automatic tool replacing mechanism 4, 5 hold more tools 10, 11 than n, and any tool 10, 11 held by the mechanism can be replaced with those held by the tool supports 6 of the tool holder 2, 3.例文帳に追加

自動工具交換機構４，５は、ｎ個よりも多くのツール１０，１１を保持し、その保持した任意のツール１０，１１を工具支持体２，３のツール支持部６に対して交換可能なものである。 - 特許庁

The magnetic driving device has a first and a second supporting bodies 2 and 11, and these supporting bodies carry respectively many magnets 16 and 17, and these magnets are arranged on a circle by alternating N pole and S pole and while mutually keeping a distance therebetween.例文帳に追加

磁気駆動装置が第１及び第２支持体２、１１を有し、これらの支持体がそれぞれ多数の磁石１６、１７を担持しており、これらの磁石が円上に、Ｎ極とＳ極とを交互させて、相互に距離を置いて配置される。 - 特許庁

A p^--type silicon support substrate 2 is provided, a p^+-type silicon layer 3 is provided on the support substrate 2, and n^+-type silicon layers 4 and p^+-silicon layers 12 are alternately formed thereon.例文帳に追加

Ｐ^−型シリコンからなる支持基板２を設け、この支持基板２上にＰ^＋型シリコン層３を設け、その上にＮ^＋型シリコン層４及びＰ^＋型シリコン層１２を相互に同層に設ける。 - 特許庁

The copper foil laminated body with the support has a structure in which a copper foil sheet and the aluminium support are removably adhered via an adhesive having an adhesive strength of 0.05 N/mm or smaller.例文帳に追加

銅箔シートとアルミニウム製支持体とを、接着力０．０５Ｎ／ｍｍ以下の接着剤を介して剥離可能に接着した構造を有する支持体付き銅箔積層体とする。 - 特許庁

The wire net N is placed on the three juxtaposed beam-like supporting members B, and held by the hook-like holding portion B5 and pressing piece B7 of the beam-like supporting member B.例文帳に追加

ワイヤーネットＮは、３本並列した梁状支持部材Ｂ上に載置し、梁状支持部材Ｂのフック状保持部Ｂ５及び押え片Ｂ７により保持される。 - 特許庁

This pulser ring is provided with an annular support member 7 and a magnetized body 8, in which N- and P-poles are alternately formed in regular pitch in a belt-like state and which is stuck to the peripheral surface of the member 7.例文帳に追加

環状の支持部材7と、Ｎ極とＳ極とが交互にかつ等ピッチとなるように帯状に形成されて支持部材7の周面に固着されている着磁体8とを備えている。 - 特許庁

The former support part is arranged at a downstream side from a nip part N in the moving direction of the flexible member and the latter support part is arranged at an upstream side from the nip part in the moving direction of the flexible member.例文帳に追加

前記支持部をニップ部Ｎよりも前記可撓性部材移動方向の下流側に配設し、前記他の支持部を前記ニップ部よりも前記可撓性部材移動方向の上流側に配設する。 - 特許庁

Each of solar cell elements 2 is provided with a bar-like support bar 3, wherein a reflecting electrode 5, a P-type semiconductor layer 7, an I-type semiconductor layer 9, an N-type semiconductor layer 11 and a transparent electrode 13 are stacked sequentially on the external circumferential surface of the support bar 3.例文帳に追加

太陽電池素子２は、棒状の支持棒３を備え、支持棒３の外周面に、反射電極５、Ｐ型半導体層７、Ｉ型半導体層９、Ｎ型半導体層１１及び透明電極１３が順に積層されている。 - 特許庁

This article has a supporting body, one or more corrosion resisting layers 12 deposited on the supporting body 10 and an external layer 18 deposited by PVD and composed of only one among Zr, Hf, C and N or selected from plural.例文帳に追加

この物品は、支持体と、支持体に付着された１つまたは複数の耐食層と、ＰＶＤによって付着されてＺｒ、Ｈｆ、Ｃ、およびＮの１つのみ、または複数から選択された外層を含む。 - 特許庁

There are provided a support substrate 2 composed of a P^--type silicon, a P^+-type silicon layer 3 on the support substrate 2, and thereon, an N^+-type silicon layer 4 and a P^+-type silicon layer 12 mutually as one layer.例文帳に追加

Ｐ^−型シリコンからなる支持基板２を設け、この支持基板２上にＰ^＋型シリコン層３を設け、その上にＮ^＋型シリコン層４及びＰ^＋型シリコン層１２を相互に同層に設ける。 - 特許庁

This pulser ring is provided with a circular support member 7, and a magnetized body 8 comprising N-poles and S-poles arranged alternately and at constant pitch in the form of a band, that are fixed to an inner circumferential surface of a large diameter cylinder 7c of the support member 7.例文帳に追加

環状の支持部材7と、Ｎ極とＳ極とが交互にかつ等ピッチとなるように帯状に形成されて支持部材7の大径円筒7c内周面に固着されている着磁体8とを備えている。 - 特許庁

This gas range is provided with a burner B heating the heating object N mounted on and supported with a mount support part 4, and burner raising/lowering means E raising/lowering the burner B.例文帳に追加

載置支持部４にて載置支持される被加熱物Ｎを加熱するバーナＢが設けられたガスコンロであって、バーナＢを昇降調節するバーナ昇降手段Ｅが設けられている。 - 特許庁