Even when the writing in the address N does not become possible, the writing is performed in the areas from addresses N+1 to N+6.例文帳に追加

アドレスＮにおける書き込みが可能とならなくても、アドレスＮ＋１からＮ＋６の領域に書き込みを行う。 - 特許庁

whether there are multiple writers to the pipe, and on n ,発音を聞く 例文帳に追加

かどうか、パイプへの書き込みが複数から行われるかどうか、および書き込みを行うバイト数nにより決定される。 - JM

Further, the memory system 10 includes a control unit 12 which performs writing operation of N pages having different writing times, respectively, when writing N bits in each of the memory cells and switches the channels in each writing operation of N pages.例文帳に追加

さらに、メモリシステム１０は、メモリセルにＮビットを書き込む場合に書き込み時間が異なるＮページの書き込み動作を行い、かつＮページの書き込み動作毎にチャネルを切り替える制御部１２を含む。 - 特許庁

To reduce the data writing processing time α of byte units of word data while reducing the call frequency n of a device driver writing function.例文帳に追加

デバイスドライバ書き込み関数のコール回数ｎを減少させつつワードデータのバイト単位のデータ書き込み処理時間αを減少させる。 - 特許庁

After performing initial picture wriring n times, picture quality-held writing is suitably performed at a suitable interval 25 (22).例文帳に追加

最初の画面書き込みをｎ回書き込んだ後、適切な間隔２５で画質保持書き込みを適宜行う（２２）。 - 特許庁

At the time of writing the data, when R wave pulses are generated in the middle of the write of the data for an (n)-th frame, the same frame memory is utilized again and the write of the data for an (n+1)-th frame is performed.例文帳に追加

データの書き込み時に、ｎ番目のフレームについてのデータの書き込み途中でＲ波パルスが発生すると、同じフレームメモリを再度利用してｎ＋１番目のフレームについてのデータの書き込みが行われる。 - 特許庁

Based on the phase differences ΔT_2-ΔT_n, the write start timing of each head element 210 is adjusted.例文帳に追加

位相差ΔＴ_2〜ΔＴ_nを基に、各ヘッド素子２１０の書き込み開始タイミングを調整する。 - 特許庁

In writing operation for writing data in the memory cell, the writing circuit writes an h value (h<n) in the memory cell by threshold voltage lower than the original threshold voltage, writes an (h+1) value and more in the memory cell by next data, and before writing the next data, returns the threshold voltage of the h value to the original threshold voltage.例文帳に追加

書き込み回路は、メモリセルにデータを書き込む書き込み動作時にメモリセルに本来の閾値電圧より低い閾値電圧によりｈ値（ｈ＜ｎ）を書き込み、次のデータによりそのメモリセルに（ｈ＋１）値以上を書き込み、次のデータを書き込む前に前記ｈ値の閾値電圧を本来の閾値電圧にする書き込みを行なう。 - 特許庁

When it is judged that a normal writing can not be perform in an address N and it is impossible to perform the normal writing even when retry operations of prescribed times are performed, the new writing is performed from the address N+7 where 7 is added to the address N.例文帳に追加

アドレスＮにおいて、正常な書き込みが出来ないと判定され、所定回数のリトライ動作を行っても正常な書き込みを行うことが出来ない場合には、アドレスＮに７を加えたアドレスＮ＋７から新たな書き込みを行う。 - 特許庁

To provide a servo pattern stable for a long period of time, easy to be written and excellent in S/N ratio.例文帳に追加

長期間にわたり安定で、書き込みやすく、Ｓ／Ｎの優れるサーボパターンを提供する。 - 特許庁

To provide a servo pattern stable over a long period of time, easy to be written, and excellent in S/N ratio.例文帳に追加

長期間にわたり安定で、書き込みやすく、Ｓ／Ｎの優れるサーボパターンを提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory capable of writing by N times, and a piezoelectric oscillator having the nonvolatile memory loaded thereon.例文帳に追加

Ｎ回書き込み可能な不揮発性メモリ、及びこれを搭載した圧電発振器を提供する。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device is equipped with: a memory cell array including a plurality of memory cells to store N value data (N being an integer equal to or larger than 3); and a writing circuit configured to repeatedly execute a writing cycle on a plurality of memory cells until data writing is finished.例文帳に追加

Ｎ（Ｎは、３以上の整数）値のデータを記憶する複数のメモリセルからなるメモリセルアレイと、複数のメモリセルに対して書き込みサイクルをデータ書き込みが終了するまで繰り返し実行する書き込み回路とを備える。 - 特許庁

For example, if repeated writing in N times on the display pixels is required, a circuit 500 for speed-up of a writing period so that the writing period on each display pixel TW1 satisfies the range shown by a formula: TW1×N≤Tmov, relative to a required response limit time Tmov, is installed.例文帳に追加

例えば、表示画素へのＮ回の繰り返し書き込みを必要とする場合、必要とされる応答限度時間Ｔｍｏｖに対して、各表示画素の書き込み周期ＴＷ１がＴＷ１×Ｎ≦Ｔｍｏｖの範囲を満たすように書き込み周期を高速化する回路５００を設ける。 - 特許庁

In writing operation, different resistance values are applied to each of n memory cells MC constituting one unit, and the writing voltage is applied such that the resistance values of the n memory cells in one unit are all different values.例文帳に追加

書き込み動作においては、一単位を構成するｎ個のメモリセルＭＣの各々にそれぞれ異なる抵抗値が与られ、且つ一単位の中のｎ個のメモリセルの抵抗値が全て異なる値となるように書き込み電圧が印加される。 - 特許庁

The memory gates of memory cells of a plurality of memory arrays MA<0>, MA<1>, MA<2>, to, MA<n> in write units WU of a nonvolatile memory module NVMU are connected to a memory gate line MG<0> for writing or erasing.例文帳に追加

不揮発性メモリモジュールＮＶＭＵの書き込み単位WUの複数のメモリアレーMA＜0＞、MA＜1＞、MA＜2＞…MA＜n＞のメモリセルのメモリゲートは、書き込みもしくは消去のためにメモリゲート線MG＜0＞に接続されている。 - 特許庁

The detection circuit 4 activates a detection signal in the case of writing to the storage circuits 2, and 3 or in the case other than the writing to the storage circuits 2, and 3 and the change in the state of a store node N 1 or N 2 of the storage circuit 2 is detected.例文帳に追加

検出回路４は、記憶回路２、３への書き込みの場合、又は、記憶回路２，３への書き込み以外且つ記憶回路２のストアノードＮ１又はＮ２の状態の変化を検出した場合に、検出信号を活性化する。 - 特許庁

When writing onto a disk 10 is performed on the basis of the prepared data, n-fold data are written per unit time on the basis of the absolute time (x) of the ATIP information, and writing density onto the disk 10 is defined as n-fold.例文帳に追加

作成されたデータに基づきディスク１０への書き込みが行われるが、この場合、ＡＴＩＰ情報の絶対時間ｘに基づいた単位時間当たりにｎ倍のデータが書き込まれ、ディスク１０への書き込み密度はｎ倍になる。 - 特許庁

A write control circuit 2 generates a write clock WCK synchronous with horizontal synchronizing signal Hs1 of the signal S1 and a write enable signal WE, used for writing the signal S1 into a frame memory 1 with only a single frame per (n) frames.例文帳に追加

書き込み制御回路２は、映像信号Ｓ１の水平同期信号Ｈs1に同期した書き込みクロックＷＣＫと、ｎフレームに１フレームだけ映像信号Ｓ１をフレームメモリ１に書き込むための書き込みイネーブル信号を生成する。 - 特許庁

The writing order of N G pixels is so determined that the pixels are N+1-th and later among N×3 pixels.例文帳に追加

Ｎ個のＧ画素の書き込み順番は，Ｎ×３個の画素のうちでＮ＋１番目以降であるように定められる。 - 特許庁

The personal computer 5 accesses a webpage for setting the network camera 1-1, and a user writes each setting item in the webpage and specifies the write number of unit n.例文帳に追加

ＰＣ５は、ネットワークカメラ１−１の設定用ホームページにアクセスし、ユーザーはホームページ内の設定項目の各々を書き込み且つ書き込み台数ｎを指定する。 - 特許庁

The method includes determining the size of command window for use in (n) write operations for the non-volatile memory, each write operation has the same time period.例文帳に追加

この方法は、不揮発性メモリのｎ個の書き込みオペレーションに使用するためのコマンドウインドウのサイズを決定することを含み、各書き込みオペレーションは、同じ期間を有する。 - 特許庁

A memory cell driving circuit repeats a data verify write operation in units of memory cells corresponding to N bits until all the cells pass verification.例文帳に追加

メモリセルの駆動回路は、Ｎビットに対応するメモリセルを一つの書き込みセル単位としてデータのベリファイ書き込み動作のサイクルを、全セルが検証パスとなるまで繰り返す。 - 特許庁

Meanwhile, the switch 19 between bit lines short-circuits the bit lines of all memory cells 13 and 14 already used for writing in the m-th (2≤m≤n) writing after the second writing.例文帳に追加

その一方で、ビット線間スイッチ１９は、２回目以降のｍ回目（２≦ｍ≦ｎ）の書き込みでは、既に書き込みに使用された全てのメモリセル１３，１４のビット線間を短絡する。 - 特許庁

The data d3 of a frame length (N+1) in which the bite data of the head of each frame are inserted as a dummy bite are written on a memory 101 in accordance with writing address WAD2 from a writing address generation device 201.例文帳に追加

そして各フレームの先頭のバイトデータがダミーバイトとして挿入されたフレーム長（Ｎ＋１）のデータｄ３を書き込みアドレス発生器２０１からの書き込みアドレスＷＡＤ２に従ってメモリ１０１に書き込む。 - 特許庁

The memory system comprises a nonvolatile semiconductor memory including first and second original blocks OBM1 and OBM2 consisting of n-pieces of writing unit areas and first and second sub-blocks SB1 and SB2 consisting of a plurality of writing unit areas.例文帳に追加

メモリシステムは、ｎ個の書き込み単位領域からなる第１、第２オリジナルブロック（OBM1, OBM2）、複数の書き込み単位領域からなる第１、第２サブブロック（SB1, SB2）を含む不揮発性半導体メモリを含む。 - 特許庁

On the other hand, since the drain line is charged by writing of the (n) line in the (n+1) line, the waveform blunting does not occur (t8-t9).例文帳に追加

一方、ｎ＋１ラインではｎラインの書き込みでドレインラインが充電されるため波形鈍りは生じない（ｔ８〜ｔ９）。 - 特許庁

VI(N) is written in the write address of the memory 101, and contents in the read address of the memory 101 are outputted to VOD(N).例文帳に追加

書き込みアドレスにＶＩ（Ｎ）がメモリ１０１に書き込まれ、読み出しアドレスのメモリ１０１の内容がＶＯＤ（Ｎ）に出力される。 - 特許庁

When the M-bit data is written, a program operation is performed in units of n-bit (M>n) data.例文帳に追加

また、Ｍビットのデータの書き込みを行う際には、ｎビット（Ｍ＞ｎ）のデータの単位でプログラム動作を行う。 - 特許庁

A storage device is provided with (n+1) physical storage areas, in which m data storage areas are included in each physical storage area and the writing, reading, erasing, etc. of data can be collectively performed, rearranges a series of data inputted from a master host as writing data, separates and stores these series of data in n pysical storage areas.例文帳に追加

m個のデータ記憶エリアを有し、データの書き込み、読み出し、消去等が一括して行われる物理記憶領域をn+1個具備し、上位ホストから書き込みデータとして入力される一連のデータを並び替えて、それら一連のデータをn個の物理記憶領域に分離して格納する。 - 特許庁

Besides, the shared memory modules SSM#0 and SSM#1 transfer write data from the processor modules PM#0-#n through a transfer means 3 to the slave system.例文帳に追加

また、共有メモリモジュールＳＳＭ＃０，ＳＳＭ＃１は、プロセッサモジュールＰＭ＃０〜ＰＭ＃ｎからの書き込みデータを転送手段３により従系へ転送する。 - 特許庁

A decoder 11 outputs hold authorization signals PEk (k=0-3) successively according to the write request signal WR_n.例文帳に追加

デコーダ１１は、書き込み要求信号ＷＲ＿ｎに応じて、保持許可信号ＰＥｋ（ｋ＝０〜３）を順次出力する。 - 特許庁

The erroneous write-in preventive circuit 10 is constituted of N type Trs of Q13-Q18, a P type Tr of a Q19 and diodes D1-D6.例文帳に追加

誤書き込み防止回路１０は、Ｑ１３〜Ｑ１８のＮ型ＴｒとＱ１９のＰ型Ｔｒ及びダイオードＤ１〜Ｄ６で構成されている。 - 特許庁

When the storage system receives a write request with an object, the object is divided into N sub-objects which each have the same size.例文帳に追加

ストレージシステムがオブジェクトを有する書き込み要求を受信すると、オブジェクトはＮ個の同じサイズのサブオブジェクトに分割される。 - 特許庁

Appropriate combination of p-type and n-type drive transistor and switching transistor provides such pixel configuration as no writing error occurs.例文帳に追加

駆動トランジスタとスイッチングトランジスタのＰ、Ｎ型の適切な組み合わせにより、書き込みエラーの発生しない画素構成とする。 - 特許庁

For example, when a memory 1 is tested by a marching algorithm, the write data WDT of n-bit all "0" is outputted from a CPU 2.例文帳に追加

例えば、メモリ１をマーチング・アルゴリズムで試験する場合、ＣＰＵ２からｎビットのオール“０”の書き込みデータＷＤＴを出力する。 - 特許庁

Each of the write transistor 31 of the N pixel circuits 101 is connected to one scanning line WSL10 for propagating a scanning line signal.例文帳に追加

Ｎ個の画素回路１０１の書き込みトランジスタ３１のそれぞれは、走査線信号を伝搬する１本の走査線ＷＳＬ１０に接続されている。 - 特許庁

The n write/read circuits output a number of rewriting times read-out signal at the time of reading out the number of rewriting times.例文帳に追加

ｎ個の書き込み読み出し回路は、書き換え回数を読み出すときに書き換え回数読み出し信号を出力する。 - 特許庁

Otherwise, the disk speed is made to be N-fold as a write control when recording the unique ID.例文帳に追加

または、ユニークＩＤの記録を行うときの書き込み制御として、ディスクの回転数をＮ倍にするようにする。 - 特許庁

At a data write-in time (S1), information is divided into n pieces of data groups (S2), and at a write-in time, first of all, sector information in the detecting track is read (S3).例文帳に追加

データの書込時（Ｓ１）は、情報をｎ個のデータ群に分割し（Ｓ２）、書き込み時にまず検知用トラック内のセクタ情報を読み取る（Ｓ３）。 - 特許庁

The write transistor 31 of each of N pixels 101 is connected to one scanning line WSL 10 for transmitting a scanning line signal.例文帳に追加

Ｎ個の画素１０１の書き込みトランジスタ３１のそれぞれは、走査線信号を伝搬する１本の走査線ＷＳＬ１０に接続されている。 - 特許庁

When writing data, the parity of an M word is added to the data of an N word, and a first ECC code is obtained.例文帳に追加

データの書き込み時には、Ｎワードのデータに対してＭワードのパリティを付加し、第１のＥＣＣ符号とする。 - 特許庁

A memory cell 11 includes an irreversible storage element 12, of which the write-in voltage is applied to the one end to write data by an insulating film destruction, and write-in gate N type and read-out gate N type transistors 13, 14, of which one end of each is connected to another end of the irreversible storage element.例文帳に追加

メモリセル１１は、一端に書き込み電圧を印加され絶縁膜破壊でデータを書き込む不可逆性記憶素子１２と、一端が前記不可逆性記憶素子の他端に接続される書き込みゲートＮ型及び読み出しゲートＮ型トランジスタ１３、１４とを備える。 - 特許庁

The information storage device stores the unlimited data incapable of limiting the number of writing times in a zone N with an ordinary track pitch, and stores limited data capable of limiting the number of writing times in a zone M with an archive track pitch.例文帳に追加

情報記憶装置は、書き込み回数を制限することができない無制限データを、通常トラックピッチとなるゾーンＮに記憶し、書き込み回数を制限することができる制限データを、アーカイブトラックピッチとなるゾーンＭに記憶する。 - 特許庁