正孔のトラップの英語

電子トラップを形成する第１不純物がドーピングされた第１酸化マグネシウム結晶と、正孔トラップを形成する第２不純物がドーピングされた第２酸化マグネシウム結晶とを同一層に含むプラズマディスプレイパネル用の保護膜である。例文帳に追加

The protective film for a plasma display panel includes in an identical layer: a first magnesium oxide crystal in which a first dopant which forms an electron trap is doped; and a second magnesium oxide crystal in which a second dopant which forms a positive hole trap is doped. - 特許庁

駆動用ＴＦＴ２１４のゲート絶縁膜に、前回の表示信号Ｄの書き込みにより、正孔がトラップされていたとすると、正孔はゲート絶縁膜からソースあるいはドレインに引き抜かれる。例文帳に追加

When a hole is trapped to a gate insulating film of the TFT 214 for drive by writing of a display signal D in the previous time, the hole is extracted from the gate insulating film to a source or a drain. - 特許庁

ここで、駆動用ＴＦＴ２１４のゲート絶縁膜に、前回の表示信号Ｄの書き込みにより正孔がトラップされていたとすると、正孔はゲート絶縁膜からソースあるいはドレインに引き抜かれる。例文帳に追加

If a positive hole is trapped to a gate insulating film of the TFT 214 for drive by writing of a display signal D in the previous time, the positive hole is extracted from the gate insulating film to a source or a drain. - 特許庁

ここで、駆動用ＴＦＴ２１４のゲート絶縁膜に、前回の表示信号Ｄの書き込みにより、正孔がトラップされていたとすると、正孔はゲート絶縁膜からソースあるいはドレインに引き抜かれる。例文帳に追加

When it is considered that a hole is trapped by writing of a display signal D in the previous time in a gate insulating film of the TFT 214 for drive here, the hole is extracted from the gate insulating film to a source or a drain. - 特許庁

制御回路が、第１と第２の不純物拡散領域のいずれに印加される電圧よりも高い正の正孔排除電圧をゲート電極に印加し、ゲート電極とチャネル領域との間の各層または相互に隣接する層の界面にトラップされている正孔を放出する。例文帳に追加

A control circuit applies a positive hole removing voltage higher than the voltages being applied to the first and second impurity diffusion regions to the gate electrode, and discharges holes trapped in each layer between the gate electrode and the channel region or on the interface of adjacent layers. - 特許庁

導電性メッシュ８と電場補正用電極７ｂとにより孔５、６付近の双曲面電場の乱れは補正されるが、プリカーサ選別の際にはこの電場の補正を行いながらイオン導入孔５を通して不要イオンをイオントラップ１の外部へ排出することができる。例文帳に追加

Although the disturbance of the hyperboloid electric field in the vicinity of the holes 5, 6 is corrected by the conductive mesh 8 and the field correction electrode 7b, at precursor selection; while carrying out correction of this electric field, unwanted ions can be discharged to the outside of an ion trap 1 through the ion inlet hole 5. - 特許庁

等電子トラップが電子又は正孔を引きつける力は、本質的には内殻電子の軌道の数の差に基くものであるため、その到達距離はボーア半径の程度であり、非常に短い。例文帳に追加

The force of the isoelectron trap attracting an electron or hole is essentially based on the difference in the number of orbits of an inner shell electron, and its affecting range is very short being about the Bohr radius. - 特許庁

この際、発生した正の電荷（正孔）と蓄電層１６に存在する負の電荷とが結合し、また負の電荷（電子）と電荷輸送層１３に存在した正の電荷とが結合することにより、電荷輸送層１３にトラップされている残像電荷が消去される。例文帳に追加

The generated positive charge (a hole) and a negative charge in a charge accumulation layer 16 combine, while the negative charge (an electron) and a positive charge in the charge transport layer 13 combine, thereby erasing the remaining electric charges trapped in the charge transport layer 13. - 特許庁