To provide a differential absorbing rider device capable of measuring the gas concentration at a high receiving S/N ratio and a high accuracy.例文帳に追加

高い受信Ｓ／Ｎ比、かつ高い精度で気体濃度を計測できる差分吸収ライダ装置を得る。 - 特許庁

To provide a new azacalix[n]arene which can adsorb gas molecules more preferably than known azacalix[n]arenes.例文帳に追加

公知のアザカリックス［ｎ］アレーンよりも気体分子を好ましく吸着できる新規アザカリックス［ｎ］アレーンを提供すること。 - 特許庁

The nitride film is formed on the surface of the through hole by touching mixture gas of a compound containing N and Si or Al, or a compound containing N and a compound containing Si or Al to a heated catalyst and touching chemical species produced through catalytic cracking reaction to the through hole.例文帳に追加

この窒化膜は、NとＳｉ又はＡｌを含む化合物、又はNを含む化合物及びＳｉ又はＡｌを含む化合物の混合気体を加熱された触媒体に接触させ、接触分解反応により生じた化学種を、前記貫通孔に触れさせ、該貫通孔表面上に形成される。 - 特許庁

n=(P2.V2-P1.V1)/RT...(1) In the expression, R is a gas constant, and T is an absolute temperature in the vacuum container.例文帳に追加

ｎ＝（Ｐ２・Ｖ２−Ｐ１・Ｖ１）／ＲＴ…（１） 式中、Ｒは気体定数であり、Ｔは真空容器内の絶対温度である。 - 特許庁

Then gas (air) is supplied from a positive-pressure pump P+ according as the mask holding part MH is moved, and discharged through a nozzle hole NA of a nozzle N.例文帳に追加

そこで、マスク保持部ＭＨの移動に応じて正圧ポンプＰ＋から気体（空気）を供給し、ノズルＮのノズル孔ＮＡを介して吐出させる。 - 特許庁

Function values 13 are allocated in a table 11 according to the rotational frequency N of a variable displacement gas compressor 1 and vehicle speed V.例文帳に追加

テーブル１１には、可変容量型気体圧縮機１の回転速度Ｎと車速Ｖに応じて関数値１３が割り付けられている。 - 特許庁

When an N-type semiconductor layer is epitaxilally grown, a second gas flow F2 flowing from a second gas flow port 12 via the sequential containers 1, and zinc crucible 3 to the first gas flow port 11 is generated.例文帳に追加

Ｎ型半導体層をエピタキシャル成長させるときには、第２気体流通口１２から、処理容器１群および亜鉛壺３を順に通って第１気体流通口１１に至る第２気流Ｆ２が形成される。 - 特許庁

Next, the molded body 3 is released by interposing a gas penetrated into the molded body 3 between the outer surface of the molded body 3 and the inner surface of the mold 10 by making the gas flow in the internal space N after being molded.例文帳に追加

次に、成形後の内部空間Ｎに気体を流入させることにより、成形体３の外面と金型１０の内面との間に、成形体３を透過させた気体が介在して、成形体３を離型させる。 - 特許庁

The light transmitting portion T and the light shielding portion N are arranged such that a light shielding portion N surrounded by the light transmitting portion T is provided so that a portion not irradiated with light in the irradiation process and not generating gas is left.例文帳に追加

透光部Ｔと遮光部Ｎの配置を、透光部Ｔによって周囲を閉囲された遮光部Ｎを設けるようにして、光照射工程において光が照射されず気体が発生しない部分を残す。 - 特許庁

An operation time M for the control of the maintenance implementation time of the gas compressor aggregate system in which the plurality of gas compressors are incorporated is obtained by using the following equation, the value of M is compared with a predetermined time N required for the maintenance, and maintenance is performed when the value of M gets larger than the value of N or substantially equal to the value of N.例文帳に追加

複数の気体圧縮機を組込んだ気体圧縮機集合システムのメンテナンス実施時期管理上の運転時間Ｍを下記式で求め、このＭの値を、予め定めたメンテナンスを必要とする時間Ｎと比較して、Ｍの値が、Ｎの値よりも大きいか、または実質的にＮの値と等しくなったときに、メンテナンスを実施する。 - 特許庁

The device has a semiconductor 1 having a refraction index n and generating a terahertz electromagnetic wave 7 irradiated with an excitation pulse beam 5, and a convex electromagnetic wave member 3 having a refraction index of 0.7n to 1.3n, contacting and covering the semiconductor, facing the air with its surface, having convex shape facing the air side, and comprising an insulator.例文帳に追加

屈折率ｎを有し、励起パルス光５を照射されてテラヘルツ電磁波７を発生する半導体１と、屈折率０．７ｎ〜１．３ｎを有し、上記の半導体に接して覆い、表面において気体に面し、気体側に向って凸状の、絶縁体からなる凸状電磁波部材３とを有する。 - 特許庁

The gas discharged through the nozzle hole NA of the nozzle N is confined by a wall WL nearby a substrate W or the substrate holding part WH and then the gas discharged from the nozzle is prevented from leaking out, so deformation suppression effect on the mask M can be increased.例文帳に追加

又、ノズルＮのノズル孔ＮＡを介して吐出された気体は、基板Ｗ又は基板保持部ＷＨに近接する壁ＷＬによりシールされ、すなわちノズルから吐出した気体が外方に漏れ出ることが抑制されているので、マスクＭの変形抑制効果を高めることができる。 - 特許庁

To provide a soft magnetic material, which does not contain a gas element such as N, O or the like difficult in control in an atmosphere in sputtering and is manufactured easily and in which stable soft magnetic characteristics can be obtained and which has excellent soft magnetic characteristics in a high-frequency range and large saturation magnetization.例文帳に追加

スパッタリング時に雰囲気制御が困難なNやOなどの気体元素を含有せず、製造が容易であり、安定した軟磁気特性を得ることができ、かつ高周波域における軟磁気特性に優れ、飽和磁化の大きな軟磁性材料の提供。 - 特許庁

Azacalix[5]arene thus obtained having a specific structure has carbon dioxide absorption characteristics more excellent than those of known azacalix[n]arenes and is useful as a gas molecule adsorbent.例文帳に追加

このようにして得られる特定構造のアザカリックス［５］アレーンは、公知のアザカリックス［ｎ］アレーンよりも優れた二酸化炭素の吸着特性を有し、気体分子吸着剤として有用である。 - 特許庁

Fast neutrons ares emitted from an accelerator to a raw material target containing a target nuclei of solid or gas, to produce (n, p) reaction to emit one proton by irradiation of one neutron, and a radioisotope is manufactured.例文帳に追加

固体又は気体のターゲット核を含む原料ターゲットに加速器からの高速中性子を照射し、１個の中性子の照射により１個の陽子を放出する（ｎ，ｐ）反応を起させ、放射性同位元素を製造する。 - 特許庁

Therefore, when forming an n-AlGaAs current block layer 43, an air under the canopy part 42 can escape upward as the current block layer 43 grows, and a void 49 produced under the canopy part 42 can be significantly made small.例文帳に追加

したがって、ｎ‐ＡlＧaＡs電流阻止層４３を形成する場合に、電流阻止層４３の成長に連れてひさし部４２の下側の気体が上方に逃げることができ、ひさし部４２の下に形成される空洞４９は格段に小さくなる。 - 特許庁

The tube length l of the closed tube type gas flow path 12 is set to be λ×(2n-1)/4-δ, wherein λ represents a wavelength of resonance oscillation, δ represents an open end correction, and n is an integer of 1 or more.例文帳に追加

そして閉管型気体流路１２の管の長さｌは、共振振動の波長をλ、開口端補正をδとして、「（２ｎ—１）／４—δ」となるように設定される（「ｎ」は１以上の整数）。 - 特許庁

A recording head 62 is provided with N gas jetting holes 624 so as to surround an inkjetting nozzle group 623 just near the inkjetting nozzle group 623.例文帳に追加

記録ヘッド６２は、インク噴射ノズル群６２３の直近に、インク噴射ノズル群６２３を取り囲むように、Ｎ個の気体噴射孔６２４が設けられている。 - 特許庁

To provide a vapor deposition method for forming an atom layer by using a group IV metal precursor which employs N-alkoxy-β-keto iminate for a ligand of a group IV metal and has high reactivity with a reacting gas, along with having thermal-chemical stability in a carrier gas atmosphere, and can be easily removed of the ligand from the metal.例文帳に追加

Ｎ−アルコキシ−β−ケトイミネートをＩＶ族金属の配位子として適用し、移送気体雰囲気中で熱的−化学的安定性を有すると共に反応気体との反応性が大きくて金属からの配位子の除去が容易なＩＶ族金属前駆体を用いた原子層蒸着法を提供する。 - 特許庁

The ignition device includes: a heating element 1 having a heat generating region 1a located at a tip protruded from an installation part 100 and generating heat to exceed an ignition temperature of the air fuel mixture Y; and a surrounding wall 2 surrounding at least the heat generating region 1a, enabling passage of gas and flame and capable of holding the fuel N.例文帳に追加

設置部２００から突出した先端に混合気Ｙの着火温度以上の温度に発熱する発熱領域１ａを有する発熱体１と、少なくとも発熱領域１ａを囲うと共に気体及び火炎を通過可能でかつ燃料Ｎを保持可能な囲壁２とを備える。 - 特許庁

When the poultry manure 1 is incinerated, the C, and N contained in the poultry manure 1 is eliminated by combining with O, but the P, K, Ca needed by plants are remaining, the organic fertilizer 2 contains P, K, Ca abundantly and is preferable as a fertilizer for plants.例文帳に追加

鶏糞１を焼却すると、鶏糞１に含まれる炭素や窒素等は酸素と結び付いて気体となってなくなり、植物が必要とするリン、カリウムおよびカルシウム等の成分が残るから、有機肥料２にはリン、カリウムおよびカルシウムが多く含まれており、植物の肥料としては好適である。 - 特許庁

The isotopic enrichment process keeps a stable isotopes of the silicon enriched by performing isotopic exchange between an aqueous solution containing at least two components of H_2O-H_2SiF_6-nSiF_4 (wherein, n≥0) and a gas containing the SiF_4.例文帳に追加

本発明に係る同位体濃縮方法は、Ｈ_２Ｏ−Ｈ_２ＳｉＦ_６・ｎＳｉＦ_４（式中、ｎ≧０である。）の２成分を少なくとも含む水溶液と、前記ＳｉＦ_４を含む気体との間での同位体交換により、前記Ｓｉの安定同位体を濃縮することを特徴とする。 - 特許庁

The objective fuel gas is based on a combustible gas composed of a mixture of (A) 40-70 wt.% dimethyl ether, dinitrogen monoxide and/or nitromethane, (B) 8-20 wt.% propylene, methylacetylene, propane and/or propadiene and (C) 20-45 wt.% isobutane and/or n-butane.例文帳に追加

（Ａ）４０乃至７０重量％のジメチルエーテル、一酸化二窒素及び／又はニトロメタン、（Ｂ）８乃至２０重量％のプロピレン、メチルアセチレン、プロパン及び／又はプロパジエンおよび（Ｃ）２０乃至４５重量％のイソブタン及び／又はｎ−ブタンの混合物からなる可燃性気体を基にした燃料ガス。 - 特許庁

In the apparatus for picking up a chip from a sheet sticking the chip by an adhesive substance generating gas through irradiation with light and mounting the chip on a substrate, a means for irradiating the sheet with light from the lower surface side in order to reduce adhesion holding force is fixed with a planar light shielding member 9 provided with a light transmitting portion T and a light shielding portion N.例文帳に追加

光の照射により気体を発生する粘着性物質によってチップを貼着保持したシートからチップをピックアップして基板に搭載するチップ搭載装置において、粘着保持力を低下させるためにシートに対して下面側から光を照射する光照射手段に、透光部Ｔと遮光部Ｎが設けられた板状の遮光部材９を装着する。 - 特許庁

In the apparatus for picking up a chip from a sheet sticking the chip by an adhesive substance generating gas through irradiation with light and mounting the chip on a substrate, a means for irradiating the sheet with light from the lower surface side in order to reduce adhesion holding force is fixed with a planar light shielding member 9 provided with a light transmitting portion T and a light shielding portion N.例文帳に追加

光の照射により気体を発生する粘着性物質によってチップを貼着保持したシートからチップをピックアップして基板に搭載するチップ搭載装置において、粘着保持力を低下させるためにシートに対して下面側から光を照射する光照射手段に透光部Ｔと遮光部Ｎが設けられた板状の遮光部材９を装着する。 - 特許庁

The method for reclaiming a butadiene production catalyst used in reaction for producing butadiene from n-butene in the presence of a gaseous oxygen in a fluidized bed reaction vessel in which there are the oxygen and the catalyst having a carrier carrying an oxide comprises the step of putting the oxygen concentration of an exit gas at 0.1 vol.% or higher at 280-550°C in reclaiming the catalyst used.例文帳に追加

酸化物を担体に担持した触媒と、酸素とが内部に存在する流動層反応器内で、前記触媒に気体酸素存在下でｎ-ブテンからブタジエンを製造する反応に使用した触媒の再生時、温度２８０℃〜５５０℃の範囲で、出口ガスの酸素濃度が０．１ｖｏｌ％以上とするブタジエン製造触媒の再生方法。 - 特許庁