活性ストライプの英語

リッジストライプ１３に対応する部分の活性層１２ｂのＩｎ組成よりもリッジストライプ１３の両脇の部分の活性層１２ｂのＩｎ組成が高く、あるいは、リッジストライプ１３に対応する部分の活性層１２ｂの厚さよりもリッジストライプ１３の両脇の部分の活性層１２ｂの厚さが大きい。例文帳に追加

The In composition of an active layer 12b in both the side parts of the ridge stripe 13 is higher than that of the active layer 12b in a part corresponding to the ridge stripe 13, or the thickness of the active layer 12b in the both side parts of the ridge stripe 13 is larger than that of the active layer 12b in the part corresponding to the ridge stripe 13. - 特許庁

コンタクト層６だけをストライプとして形成し、ストライプ幅Ｌ_１、長さＬ_２、コンタクト層と上部クラッド層５界面から活性層４までの厚さＬ_３、活性層の幅Ｌ_４を規定している。例文帳に追加

In a super-luminescent diode, only a contact layer 6 is formed in a stripe-like state and the width L1 and length L2 of the strip, the thickness L3 from the interface between the contact layer 6 and an upper clad layer 5 to an active layer 4, and the width L4 of the active layer 4 are specified. - 特許庁

共振器長方向に直交する方向の断面を見ると、キャップ層１６上で、光ガイド層１８、活性層２０及び光ガイド層２２が、レーザストライプ部にのみ存在し、レーザストライプ部の両側には存在しない。例文帳に追加

In the cross- section perpendicular to the longitudinal direction of the resonator, the optical guide layer 18, the active layer 20 and the optical guide layer 22 are present only at the laser stripe above the cap layer 16 and not present on both sides of the laser stripe part. - 特許庁

活性層を含むメサストライプ部１８の両側に成長させる半絶縁半導体の埋め込み層１０を、メサストライプ部１８と同じ高さまでの第１の層と、第１の層の表面にメサストライプ部１８上に沿って形成した、メサストライプより幅広のマスクの両側に成長させる第２の層とで構成する。例文帳に追加

An embedding layer 10 for semi-insulation semiconductor to be grown on both sides of a mesa stripe portion 18 including the active layer is formed from a first layer having the identical height to the mesa stripe portion 18, and a second layer, formed on the surface of the first layer along the mesa stripe portion 18, for growing it as far as both sides of a mask wider than the mesa stripe. - 特許庁

GaInNAs量子井戸層4を活性層とするリッジ型レーザにおいてメサストライプ６の脇の10の領域にAlをイオン注入する。例文帳に追加

Al ions are implanted into an area 10 aside a mesa stripe 6 in a ridged laser wherein a GaInNAs quantum well layer 4 is an active layer. - 特許庁

スペーサ層、活性層及びバッファ層の上部は、メサストライプ状に加工され、その両側はｐ／ｎ−ＩｎＰ層８／９で埋め込まれている。例文帳に追加

The upper part of the spacer layer, active layer, and buffer layer is worked into a mesa- stripe, with its both sides embedded with p/n-InP layers 8/9. - 特許庁

ベリードヘテロストラクチャー（埋込）型半導体レーザにおいて、埋込層の成長後に、活性層ストライプの位置を精度よく特定する。例文帳に追加

To specify with precision the position of an active layer stripe after a buried layer is grown, related to a buried hetero structure type semiconductor laser. - 特許庁

ＬＤチップ３０は、ＬＤ電極３１と、ＬＤ電極３１に近接する内部に形成されたストライプ状の活性層３２とを有する。例文帳に追加

The LD chip 30 has an LD electrode 31 and a stripe-shaped active layer 32 formed in the inside thereof adjacent to the LD electrode 31. - 特許庁