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英和・和英辞典で「流れ n」に一致する見出し語は見つかりませんでしたが、
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「流れ n」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 237



例文

To house N+M (N, M>0) multiplexed transmission lines and to prevent the degradation of packet abandonment characteristics even when the flow of packet traffic is biased.例文帳に追加

N+M(N,M>0)重化された伝送路を収容し、かつパケットトラヒックの流れが偏ってもパケット廃棄特性が劣化しないようにする。 - 特許庁

The current in the thyristor flows a path: a n+ type floating emitter layer 24-channel region-n+ type cathode layers 28, 30, and 32.例文帳に追加

サイリスタを流れた電流は、n^+型フローティングエミッタ層24−チャネル領域−n^+型カソード層28、30、32の経路を流れる。 - 特許庁

When an object before deformation in a frame n is deformed to an object after deformation in a frame (n+m), flow field information HFI_n to HFI_n+m equivalent to a continuous (m+1) frame is used.例文帳に追加

フレームnにおける変形前のオブジェクトが、フレーム(n+m)における変形後のオブジェクトに変形する場合、連続する(m+1)フレーム分の流れ場情報HFI_n〜HFI_n+mを用いる。 - 特許庁

A formula is operated based on the measuring values, to acquire a propagation time difference of ultrasonic waves.例文帳に追加

流体の流れに対して順方向の受信波の第n半波および第(n+1)波の到達時間^n_ t^ _1、^n_ ^+_ ^1_ t^ _1と、流体の流れに対して逆方向の受信波の第n半波及び第(n+1)波の到達時間^n_ t^ _2、^n_ ^+_^1_ t^ _2とを測定する。 - 特許庁

The semiconductor apparatus comprises an N-type material 102 which cools a silicon semiconductor 101 using the current flowing through the silicon semiconductor 101.例文帳に追加

シリコン半導101に流れる電流を用いてシリコン半導体101を冷却するN型材料102を備える。 - 特許庁

When an electric current flows to the P-N junction, infrared rays are emitted by recoupled minority carriers.例文帳に追加

このPN接合部は、電流が流れると、少数キャリアの再結合で赤外線を発光する。 - 特許庁

The N-type drain layer 11a is turned to a current route where an on-state current of the bidirectional switch flows.例文帳に追加

該N型ドレイン層11aを双方向スイッチのオン電流の流れる電流経路とする。 - 特許庁

At this time, an induced electromotive force is generated in the nugget N at the time when the current starts to flow.例文帳に追加

このとき、ナゲットNには、電流が流れ始める瞬間において誘導起電力が発生する。 - 特許庁

One portion of the gas which flows through the gas discharging route N flows through the returning route R to return into the gas supplying route M.例文帳に追加

ガス排出経路Nを流れるガスは、その一部が戻し経路Rを流れて、ガス供給経路Mに戻される。 - 特許庁

A history decrease current hys_pn at a positive side has a current value according to current Ib_n (=current Ib flowing in a negative direction) flowing in a negative direction.例文帳に追加

正側の履歴減少電流hys_pnは、負方向に流れる電流Ib_n(=負方向に流れる電流Ib)に応じた電流値を有する。 - 特許庁

The parameter includes at least one of an engine parameter group including high pressure and low pressure turbine nozzle flow areas 42 and 52, fan and core flow areas 62 and 72, and a rotor speed N.例文帳に追加

パラメータは、高圧及び低圧タービンノズル流れ面積(42,52)、ファン及びコア流れ面積(62,72)並びにロータ速度(N)を含むエンジンパラメータの群のうちの1以上を含む。 - 特許庁

A carrier flowing through an n type base area 15 from a p^+ type emitter 16 provided with the PNP transistor flows in the n type base area 15 in the vertical direction of the substrate.例文帳に追加

そして、PNPトランジスタに備えられたp^+型エミッタ領域16からn型ベース領域15を通じて流れるキャリアが、n型ベース領域15を基板垂直方向に流れるようにする。 - 特許庁

For an mth slave phase (m=2 to n), a timing delayed by "T1(m-1)/n" from a timing when a current flowing through the master-phase coil becomes zero is determined as a target timing TM at which a current flowing through a coil becomes zero.例文帳に追加

第m(m=2〜n)のスレーブ相については、マスタ相のコイルを流れる電流がゼロとなるタイミングから、「T1(m−1)/n」だけ遅延したタイミングをコイルを流れる電流がゼロとなる目標タイミングTMに設定する。 - 特許庁

A current flowing in a (p)-type MOS transistor P2 and (n)-type MOS transistor N3, constituting a secondary side of the current mirror, is fixed according to a current flowing in this (n)-type MOS transistor N1.例文帳に追加

このn型MOSトランジスタN1を流れる電流に応じて、カレントミラーの二次側を構成するp型MOSトランジスタP2およびn型MOSトランジスタN3を流れる電流が定まる。 - 特許庁

The flow of data table calibration includes first, calculating 2(n-2)*2(n-2)*2(n-2) pieces of difference data from 2n*2n*2n pieces of output data and 2(n-2)*2(n-2)*2(n-2) pieces of newly calculated update data (S401).例文帳に追加

データテーブル校正の流れは、まず、旧データテーブルに格納している2^n*2^n*2^n個の出力データと新たに求めた2^n-2*2^n-2*2^n-2個の更新データとから2^n-2*2^n-2*2^n-2個の差分データを求める(S401)。 - 特許庁

This multiplication processing portion 24 multiplies a voltage value from the voltage control means by the sampling value Vrec(n) of a source voltage and the gain of the multiplication processing portion, to obtain a peak control target value Iref(n) of a current that flows in the switching element and to supply it to a second addition processing portion 25.例文帳に追加

この乗算処理部24は電圧制御手段からの電圧値と電源電圧のサンプリング値Vrec(n)と乗算処理部のゲインを乗算し、スイッチ素子に流れる電流のピーク制御目標値Iref(n)を算出し、第2の加算処理部25に供給する。 - 特許庁

Consequently, electrons can be made to flow, in concentratedly along the surface of the n-layer 4 along the boundary, while dispersing the electrons.例文帳に追加

従って、n−層4の表面部分に集中して流れていた電子を、上記境界に沿って分散させて流すことができる。 - 特許庁

Consequently, current which flows in the diodes can be limited by a resistance due to the n-type high-density embedded region.例文帳に追加

これにより、ダイオードに流れる電流をn形高濃度埋込み領域による抵抗によって制限することができる。 - 特許庁

The pair of the magnet stacked blocks 1 is formed by alternately arranging N-poles and S-poles in the fuel oil flowing direction to stack permanent magnets 4.例文帳に追加

一対の磁石積層ブロック1は、燃料油の流れる方向にN極とS極とを交互に配設して永久磁石4を積層している。 - 特許庁

Subsequently, the number of times the surge current has flowed, namely a surge occurrence number N, and a replacement time judging threshold Nc are compared (step S104).例文帳に追加

次に、サージ電流が流れた回数、すなわちサージ発生回数Nと、交換時期判定閾値Ncとを比較する(ステップS104)。 - 特許庁

A gate charging current IC flows to the N channel transistor M3 and a gate voltage VG is increased.例文帳に追加

NチャネルトランジスタM3には、ゲート充電電流ICが流れゲート電圧VGが上昇する。 - 特許庁

In this case, the electric charges in the capacitor C flows to ground through a resistor R and the first N channel transistor Q10 is turned off in this stage.例文帳に追加

このとき、コンデンサCの電荷は抵抗Rを介しグランドに流れ、その段階で第1NチャネルトランジスタQ10がオフする。 - 特許庁

The magnets 3 are installed so that an N-pole and an S-pole face each other with the passage 2 between in which the gas oil 4 flows.例文帳に追加

軽油4が流れる流路2を挟んでN極とS極とが対向するように磁石3を設ける。 - 特許庁

To N-type transistors N1 and N2 for the signal input, an OFF leakage current flows even at the time of an OFF operation.例文帳に追加

信号入力用のN型トランジスタN1及びN2には、OFF動作時にも、OFFリーク電流が流れる。 - 特許庁

In order to obtain a prescribed luminous brightness, electric current with N times intensity is programmed in the pixel 16 and a period when the electric current flows in the electroluminescence element 15 is set to 1/N.例文帳に追加

そこで所定の発光輝度を得るために、N倍の電流で画素16にプログラムし、EL素子15に流れる時間を1/Nにする。 - 特許庁

Current equivalent to control current I1 of the oscillator OSC1 is caused to flow as drain current I3 of an n type MOS transistor Q2.例文帳に追加

この発振器OSC1の制御電流I1と等しい電流がn型MOSトランジスタQ2のドレイン電流I3として流れる。 - 特許庁

As a result, carriers that flow into the n^+ drain regions 12a and 12b as they are deflected by the magnetic field to be detected can be increased.例文帳に追加

この結果、被検出磁界によって偏向されて対向するn^+ドレイン領域12a,12bに流れ込むキャリアの量を増加することができる。 - 特許庁

A packet capturing section 1 sequentially captures a packet flowing on a network N, and a packet storage section 2 stores the packets in the order of capturing.例文帳に追加

パケット捕捉部1はネットワークNを流れるパケットを順次に捕捉し、パケット記憶部2はパケットを捕捉順に記憶する。 - 特許庁

Since MOS-FET_Q2 and MOS-FET_Q3 are turned off during a negative polarity period of the N period, a secondary current does not flow to the sub-output side.例文帳に追加

N周期の負極性期間ではMOS−FET_Q2,Q3がオフ状態とされるので、従出力側に二次電流が流れない。 - 特許庁

Since the MOS-FET_Q2 and MOS-FET_Q3 are turned off during a negative polarity period of the N+1 period, the secondary current does not flow to the sub-output side.例文帳に追加

N+1周期の負極性期間ではMOS−FET_Q2,Q3がオフ状態とされるので、従出力側に二次電流が流れない。 - 特許庁

The base material sheet 1 for use in skin cares has a bulk softness, which is measured in the flow direction of the base material sheet 1, of 0.6-25 N.例文帳に追加

基材シート1の流れ方向において測定された、スキンケア用シートのバルクソフトネスが0.6〜25Nである。 - 特許庁

In this way, the current flow reaching the light emitting section is controlled in the light emitting device 1 wherein the p-n junction 17 acts as the light emitting section.例文帳に追加

これにより、p−n接合部17を発光部とする発光素子1において、発光部に至る通電電流の流れを制御することができる。 - 特許庁

Since they are magnetized in the same N pole, magnetic flux that the permanent magnet 301 generates is prevented from flowing in the rotor 1A in terms of short circuit.例文帳に追加

これらは同じN極に帯磁しているので、永久磁石301が発生する磁束は回転子1A内で短絡的に流れることが防止される。 - 特許庁

To suppress an S/N by reducing a dark current that is generated on a silicon surface from flowing into a charge accumulation layer of a photoelectric conversion section.例文帳に追加

シリコン表面で発生する暗電流が光電変換部の電荷蓄積層に流れ込むのを低減し、SN比を高める。 - 特許庁

The current detection circuit 6 detects a current flowing through the first N channel FET 2 and outputs a current detection signal Vc.例文帳に追加

電流検出回路6は、第1のNチャネル型FET2に流れる電流を検出して電流検出信号Vcを出力する。 - 特許庁

When the dark current regulation resistor 25 is not fixed, dark currents flowing through respective voltage detection units 10 (units 1, 2,..., n) are varied.例文帳に追加

暗電流調整用抵抗器25を取り付けない場合、各電圧検出ユニット10(ユニット1、2…n)に流れる暗電流はばらつく。 - 特許庁

A value of current I1 flowing through MOS transistors M3, M4 connected in series is controlled by each potential of the node K and a node N.例文帳に追加

また、直列接続されたMOSトランジスタM3,M4を流れる電流I1の値は、ノードK及びノードNの各電位によって制御される。 - 特許庁

The air is mixed with kerosene steam so that the temperature becomes around 30°C, then mixed with a low boiling point component of kerosene to flow into a combustor N.例文帳に追加

この空気は灯油蒸気と混合して、30℃程度の温度となり、灯油の低沸点成分と混合して、燃焼器Nへ流れる。 - 特許庁

The resonance frequency of the resonance circuit, which is generated by the loads 7, is set at the same one as a frequency of a harmonic current flowing through the neutral line N.例文帳に追加

共振回路の共振周波数は、負荷7よって発生し、中性線Nを流れる高調波電流の周波数と同じに設定する。 - 特許庁

To enhance the S/N ratio of an imaging signal by preventing the inflow of a dark current, from a vertical transfer path VCCD to a photodiode PD.例文帳に追加

垂直転送路VCCDからフォトダイオードPDへの暗電流の流れ込みを防止し、撮像信号のS/Nの向上を図る。 - 特許庁

The flow of a high frequency signal between the voltage supply node 112 and an n type well layer is blocked by an inductor 103, and the flow of the high frequency signal in the vertical direction is blocked by a depletion layer spreading between the n type well and a p type substrate area.例文帳に追加

インダクタ103により、電圧供給ノードとn型ウェル層との間の高周波信号の流れを遮断し、n型ウェルとp型基板領域との間に広がる空乏層により縦方向における高周波信号の流れを遮断する。 - 特許庁

The semiconductor device 100 includes the transistor in which a current flows via first/second N-type embedded regions 106, 108 having the same conduction type as that of an N-type collector region 118.例文帳に追加

半導体装置100は、N型コレクタ領域118と同じ導電型の第一のN型埋込領域106および第二のN型埋込領域108を介して電流が流れるトランジスタを含む。 - 特許庁

n-Hexane is supplied to the upper layer 14 cooled to an ambient temperature, and the n-haxane dissolves the PCBs captured by the first column 10 to flow into the second column 20.例文帳に追加

常温へ冷却した上層14へn−ヘキサンを供給すると、このn−ヘキサンは、第一カラム10において捕捉されているPCB類を溶解して第二カラム20へ流れる。 - 特許庁

例文

Further, photocurrent is generated when the interface between the n-type Si substrate 1 and the n-type Mg_XZnO layer 2 has received light, however, the photocurrent flows through the interface between Mg_XZnO and Si as a two-dimensional carrier.例文帳に追加

また、n型Si基板1とn型Mg_XZnO層2との界面で光を受光すると、光電流が発生するが、光電流は、Mg_XZnOとSiの界面を2次元性キャリアとして流れる。 - 特許庁

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