界面平坦性の英語

半導体デバイスなどにおけるＳｉ／金属界面では接合リークを抑制すべく、Ｓｉ基板と、これに隣接して形成される金属層との界面平坦性を確保した半導体積層膜を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor laminated film in which flatness is obtained at an interface between an Si substrate and a metal layer formed adjacent thereto so as to reduce junction leakage at the Si/metal interface in a semiconductor device or the like. - 特許庁

良好な特性を有するＴＦＴを実現するために、製造工程を増加、複雑化させることなく、さらに、結晶性を低下させることなく半導体層を平坦化する方法、また、半導体層表面を平坦化させゲート絶縁膜との界面を安定させる方法を実現することを目的としている。例文帳に追加

To realize a method for flattening a semiconductor layer without increasing or complicating a manufacturing step and further decreasing crystallinity in order to realize TFT having superior characteristicst and a method for flattening a surface of the semiconductor layer to stabilize an interface on a gate insulated film. - 特許庁

リン化硼素系半導体層からなる障壁層とＩＩＩ族窒化物半導体層からなる発光層とを具備したリン化硼素系半導体発光素子において、平坦なｐｎ接合界面を顕現するに充分な表面の平坦性に優れるリン化硼素系半導体層から障壁層を形成する。例文帳に追加

To enable a barrier layer to be formed from a boron phosphide semiconductor layer whose front surface is flat enough for realizing a flat pn junction interface in a boron phosphide semiconductor light emitting device equipped with a barrier layer formed of the boron phosphide semiconductor layer and a light emitting layer formed of a I-II nitride semiconductor layer. - 特許庁

原子レベルでの平坦性を良くし、なおかつ、転位の少ない結晶性の優れた半導体層を提供することで界面の急峻性を向上し、優れた光電特性を有する半導体発光素子を提供する。例文帳に追加

To improve steepness of an interface by upgrading flatness at an atomic level and providing a semiconductor layer having excellent crystallinity with small dislocation and to provide a semiconductor light emitting element having excellent photoelectric characteristics. - 特許庁

有機低誘電率材料の持つ優れた誘電特性、平坦性およびギャップフィル特性を損なうことなく、低誘電率膜と保護膜との界面密着性を改善すること。例文帳に追加

To improve interface adhesion between a low dielectric constant film and a protection film without damaging excellent dielectric properties of an organic low dielectric constant material, flatness and gap filling characteristics. - 特許庁

表面平坦性に優れ、半導体基体との界面における組成の均一性に優れ、ショットキー接合層との十分に高い密着性が得られるオーミック接合層を備える半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device having an ohmic junction layer which has superior surface flatness, superior uniformity of a composition of an interface with a semiconductor base, and sufficiently high adhesiveness with a Schottky junction layer. - 特許庁

キャリアが伝播するチャネルの有機半導体とゲート絶縁体層界面の平坦性を失うことなく、歩留まりを低下させることなく結晶性の高い有機半導体を有する有機トランジスタを形成することを課題とする。例文帳に追加

To form an organic transistor having a semiconductor of high crystallinity without a loss of planarity of the interface of a channel organic semiconductor in which carriers propagate and a gate insulating layer, and without reducing the yield. - 特許庁

ｎ−ＩｎＧａＡｓとｎ−ＧａＡｓ界面でのバンドギャップ差を最小化させることで、ｇｍの平坦性を改善させ、より低歪みな特性を実現させることの出来る電界効果トランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide a field effect transistor for improving the flatness of gm and achieving lower distortion characteristics by minimizing a band gap difference on the interface between n-InGaAs and n-GaAs. - 特許庁