AMINE N-OXIDE BASE SURFACTANT例文帳に追加

アミンＮ−オキシド系界面活性剤 - 特許庁

The adhesion interfacial layer is formed from a Ge-N or Ge-O-N substance.例文帳に追加

前記粘着界面層は、Ｇｅ−ＮまたはＧｅ−Ｏ−Ｎ物質から形成される。 - 特許庁

An intermediate layer made of Ga(N)AsSb is introduced into an interface between a GaInNAs or GaInAs well layer and an upper barrier layer.例文帳に追加

GaInNAs、或いはGaInAs井戸層と、上側障壁層との界面に、Ga(N)AsSbからなる中間層を導入する。 - 特許庁

When a selection operation from an N rage to a D range is performed at a t1, an electric motor is preliminarily excited by field currents Ifm1.例文帳に追加

t1に、NレンジからDレンジへのセレクト操作があるとき、電動モータを界磁電流Ifm1により予励する。 - 特許庁

An integrated circuit structure includes: an n-type fin field effect transistor (FinFET) and a p-type FinFET.例文帳に追加

集積回路構造は、n型フィン電界効果トランジスタ（fin field effect transistor、FinFET)とp型FinFETからなる。 - 特許庁

An embedded n-type impurity region is provided in the vicinity of a boundary of a channel layer and an n^--type semiconductor layer.例文帳に追加

チャネル層とｎ−型半導体層の境界付近に埋め込みｎ型不純物領域を設ける。 - 特許庁

To prevent the diffusion of N into the vicinity of an interface while improving the interface between an Si substrate and a gate insulating film.例文帳に追加

Ｓｉ基板と、ゲート絶縁膜との界面を改善しつつ、界面付近へのＮの拡散を防止する。 - 特許庁

(A) a water-soluble polymer, (B) a surfactant having semi-polarity and (C) an N-alkylamino or N-alkenylamino acid salt.例文帳に追加

（Ａ）水溶性高分子（Ｂ）半極性を有する界面活性剤（Ｃ）N-アルキルもしくはアルケニルアミノ酸塩 - 特許庁

SURFACTANT COMPOSITION CONTAINING N-SUBSTITUTED-BETA- ALANINE OR ITS SALT例文帳に追加

Ｎ置換βアラニン又はその塩を含有する界面活性剤組成物 - 特許庁

N-TYPE CARBON NANOTUBE FIELD EFFECT TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ｎ型炭素ナノチューブ電界効果トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

N-ACYLLATED TAURINE EQUILIBRIUM COMPOSITION HAVING EXCELLENT SURFACTANT ACTIVITY例文帳に追加

界面活性力の優れたＮ−アシル化タウリン平衡組成物 - 特許庁

VARIABLE RESISTANCE RANDOM ACCESS MEMORY ELEMENT EQUIPPED WITH N+ INTERFACE LAYER例文帳に追加

ｎ＋界面層を備えた可変抵抗ランダムアクセスメモリ素子 - 特許庁

To provide an organic electroluminescent element having a longer lifetime than an organic electroluminescent element using N,N-di(m-tolyl)N,N'-diphenylbenzene (TPD).例文帳に追加

Ｎ，Ｎ−ジ（ｍ−トリル）Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（ＴＰＤ）を用いた有機電界発光素子と比べて、長寿命の有機電界発光素子を提供する。 - 特許庁

Here, N=2P×n+P (n is positive integer), where N is the number of slots 30R4 and P is the number of pair of magnetic poles of the field core 30S1, is established, with the number of magnetic poles of the field core 30S1 being at least four.例文帳に追加

ここで、スロット３０Ｒ４の数Ｎと界磁鉄心３０Ｓ１の磁極の極対数Ｐの間に、Ｎ＝２Ｐ・ｎ＋Ｐ（ｎは正の整数）の関係をを有するとともに、界磁鉄心３０Ｓ１の磁極を４極以上としている。 - 特許庁

The voltage-to-current conversion circuit includes a high-voltage manufacturing process N-type MOS field-effect transistor, a low-voltage manufacturing process N-type MOS field-effect transistor, a low-voltage manufacturing process amplifier, and an electric resistance.例文帳に追加

電圧電流転換回路は高電圧製造工程N型MOS電界効果トランジスター、低電圧製造工程N型MOS電界効果トランジスター、低電圧製造工程増幅器、電気抵抗を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic-field measuring device with an N-turn-coil magnetic-field probe in which error voltage is reduced and accuracy in magnetic- field detection is improved.例文帳に追加

誤差電圧を低減し、磁界検出精度を向上させたＮターンコイルの磁界プローブを有する磁界測定装置を提供する。 - 特許庁

The relative density of the superconductor is not less than 95%, when a current is carried to it without applying an external magnetic field in a refrigerant, a characteristic of current density J and an electric field E in a current region close to a critical current becomes E∝J^n; and an n-value in the formula is 20 or more.例文帳に追加

超電導体の相対密度が95％以上であり、冷媒中で外部磁界を加えずに電流を通電したとき、臨界電流近傍の電流域における電流密度Jと電界Eとの特性がE∝J^nとなり、その式中のn値が20以上である。 - 特許庁

Vertical lines at left and right ends of a rectangular region including an n-th region detected by a face region detector 304 are defined as tile boundary candidate vertical lines Lh(n) and Lm(n), and horizontal lines at upper and lower ends of the rectangular region of interest are defined as tile boundary candidate horizontal lines Lu(n) and Ls(n).例文帳に追加

顔領域検出部３０４が検出した第ｎ番目の領域を包含する矩形領域の左端と右端の垂直線分をタイル境界候補の垂直線分Ｌｈ（ｎ），Ｌｍ（ｎ）、前記着目矩形領域の上端と下端の水平線分をタイル境界候補の水平線分Ｌｕ（ｎ），Ｌｓ（ｎ）と定義する。 - 特許庁

Two boundary lines between the n-type polycrystalline Si 5a and p-type polycrystalline Si 5b are on the n-type CCD channel area 3 adjacent to the boundary between the n-type CCD channel area 3 and p+-type channel stop area 4.例文帳に追加

ｎ型多結晶Ｓｉ５ａとｐ型多結晶Ｓｉ５ｂとの境界線は２個所ともｎＣＣＤチャネル領域３とｐ^+型チャネル阻止領域４との境界近傍のｎ型ＣＣＤチャネル領域３上にある。 - 特許庁

An area boundary correction unit 33 corrects an area boundary based on general motion characteristics, and an N value calculation unit 34 determines the maximum MB size (N×N) for each area based on encoding results in nearby screens.例文帳に追加

エリア境界補正部３３は、大局的な動き特性によりエリア境界の補正を行い、Ｎ値算出部３４は近傍画面の符号化結果に基づいてエリア毎の最大ＭＢサイズ（Ｎ×Ｎ）を決定する。 - 特許庁

Therefore, magnetic flux by the counter magnetic poles of the member 14 and the sleeve 9 is formed to follow N-S forward magnetic field and N-N repulsive magnetic field is never formed.例文帳に追加

従って、磁気シール部材１４と現像スリーブ９との対向磁極による磁力線は、Ｎ−Ｓ順磁界に従って形成され、Ｎ−Ｎ反発磁界が形成されることない。 - 特許庁

As a result, the range of the external magnetic fields where the regenerative signal of a carrier to noise ratio (C/N) of maximum C/N (db)-1 (dB) can be obtained in the C/N of the regenerative signals with respect to the external magnetic fields can be made to ≥150 (Oe).例文帳に追加

これにより、外部磁界に対する再生信号のＣ／Ｎにおいて最大Ｃ／Ｎ（ｄＢ）−１（ｄＢ）以上のＣ／Ｎの再生信号が得られる外部磁界の範囲を１５０（Ｏｅ）以上にすることができる。 - 特許庁

At less than the measured critical current Ic_all, a constant-magnitude DC I_n is decided, the DC I_n is made to flow into the superconducting cable 1 for a certain period of time, and a temperature distribution T_n in a longitudinal direction of the current-conducting cable 1 is measured by the optical fiber 3o.例文帳に追加

測定した臨界電流Ic_all以下で、一定の大きさの直流電流I_nを決定し、直流電流I_nを超電導ケーブル1に一定時間流すと共に、この通電中のケーブル1の長手方向の温度分布T_nを光ファイバ3oにより測定する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a group III-V(N) compound semiconductor multilayer object such as GaNAs having strong potential modulation and steep concentration gradient of N atoms even on a heterointerface.例文帳に追加

強いポテンシャル変調を有するとともに、ヘテロ界面においても急峻なN原子の濃度勾配を有する、GaNAs等のIII-V(N)族化合物半導体多層体の製造方法を提供する。 - 特許庁

The limit value of N of the N×N type waveguide grating router(WGR) is decided by diffraction characteristics peculiar to the grating generated when N approaches the order of diffraction m at which the grating is operated.例文帳に追加

Ｎ×Ｎ型導波管格子ルータ（ＷＧＲ）のＮの限界値は、格子が作動する回折次数ｍにＮが近づいたときに発生する格子特有の回折特性によって決まる。 - 特許庁

The physical analysis model includes a step of obtaining a free carrier density n from the effective electric field Eeff, and a step of obtaining the Coulomb scattering center density N (Coulomb) using the correlation characteristic between the Coulomb scattering mobility μ (Coulomb) and the free carrier density n.例文帳に追加

実効電界Ｅeffから自由キャリア密度ｎを求め、クーロン散乱移動度μ(Ｃoulomb)と自由キャリア密度ｎとの相関特性を用いてクーロン散乱中心密度N(Ｃoulomb)を求めることを含む物理解析モデル。 - 特許庁

When n is defined as 1≤n≤2 and a, b, and k are defined as constant numbers, then the distance t is a function of the magnification ratio m: a×(1/m-k)^n+b, and the constant numbers a, b, and k are determined at the limit point of the zoom-in and zoom-out.例文帳に追加

また、１≦ｎ≦２として、ａ、ｂ、ｋを定数として、距離ｔは、ａ×（１／ｍ−ｋ）^n＋ｂとなる倍率ｍの関数とし、ズームイン、ズームアウトの限界点で定数a、ｂ、ｋを決める。 - 特許庁

This hair-treating agent is characterized by comprising (A) an N-acylglutamic acid-based anionic surfactant, (B) an N-acylaspartic acid-based anionic acid surfactant, and (C) a sugar-based nonionic surfactant.例文帳に追加

本発明の毛髪用処理剤は、（Ａ）Ｎ−アシルグルタミン酸系アニオン性界面活性剤、（Ｂ）Ｎ−アシルアスパラギン酸系アニオン性界面活性剤、及び（Ｃ）糖系非イオン性界面活性剤を含有する。 - 特許庁

Consequently, congestion of an electric field which is nearby the border between an n-type active layer 12 and the p-type base layer 21 and in a high-electric-field area facing the n-type collector layer 24 is reduced to enable application of a higher voltage than usual.例文帳に追加

これにより、ｎ型活性層１２とｐ型ベース層２１との境界付近であってｎ型コレクタ層２４と対向した高電界領域における電界の集中が緩和され、従来より高い電圧の印加が可能となる。 - 特許庁

The N,N-dialkyl polyhydroxyalkyl amine can be widely used as a surfactant in various applications.例文帳に追加

Ｎ，Ｎ−ジアルキルポリヒドロキシアルキルアミンは、広く様々な用途において界面活性剤として用いられ得る。 - 特許庁

The imidazoline type surfactant is preferably an acyl-N-carboxymethyl-N-hydroxyethylethylenediamine salt.例文帳に追加

イミダゾリン型界面活性剤は、Ｎ−ヤシ油脂肪酸アシル−Ｎ−カルボキシメチル−Ｎ−ヒドロキシエチルエチレンジアミン塩が好ましい。 - 特許庁

PRODUCTION OF N-SUBSTITUTED BETA-ALANINE OR ITS SALT AND SURFACTANT COMPOSITION CONTAINING N-SUBSTITUTED BETA- ALANINE OR ITS SALT例文帳に追加

Ｎ置換βアラニン又はその塩の製造方法及びＮ置換βアラニン又はその塩を含有する界面活性剤組成物 - 特許庁

N-(2-HYDROXYALKYL)-N-ALKYLAMINOCARBOXYLIC ACID COMPOSITION, STIMULUS RELIEVING AGENT FOR SURFACTANT CONTAINING THE SAME AND METHOD FOR PRODUCING THE COMPOSITION例文帳に追加

Ｎ−（２−ヒドロキシアルキル）−Ｎ−アルキルアミノカルボン酸組成物、それを含有する界面活性剤用刺激緩和剤および該組成物の製造方法 - 特許庁

On an n-epitaxial layer 1, p field relaxation layer and p-well layer 2 and 3, and n-well layers 4 and 5 are formed simultaneously.例文帳に追加

ｎエピタキシャル層１にｐ電界緩和層２とｐウェル層３、ｎウェル層４とｎウェル層５をそれぞれ同時に形成する。 - 特許庁

The cleanser composition comprises a thickening agent and an N-acylaspartic acid-based surfactant consisting mainly of an N-acylaspartic acid or its salt.例文帳に追加

Ｎ−アシルアスパラギン酸またはその塩を主成分とするＮ−アシルアスパラギン酸系界面活性剤と増粘剤からなる洗浄剤組成物。 - 特許庁

The junction interface between the n+ type buffer region 13 and the n- type base region 14 is formed to have unevenness.例文帳に追加

ｎ＋型バッファ領域１３とｎ−型ベース領域１４との接合界面は凹凸を有するように形成されている。 - 特許庁

The pitch b between two pole teeth positioned on both sides of the boundary B of two adjacent angle ranges is set in the range of (360°/n)<b<(450°/n).例文帳に追加

隣接する２つの角度範囲の境界Ｂの両側に位置する２つの極歯間のピッチｂを、（３６０°／ｎ）＜ｂ＜（４５０°／ｎ）の範囲内の値とする。 - 特許庁

The p-type layer (4) and the second n-type layer (5) contact with each other so as to form a hetero interface, and a positive electrode (E1) is formed on the second n-type layer (5).例文帳に追加

ｐ型層（４）と第２のｎ型層（５）とはヘテロ界面をなすように接しており、第２のｎ型層（５）には正電極（Ｅ１）が形成されている。 - 特許庁

This cosmetic is composed of an N-acylaspartic acid surfactant consisting essentially of an N-acylaspartic acid or its salt and an anti-inflammatory agent.例文帳に追加

Ｎ−アシルアスパラギン酸またはその塩を主成分とするＮ−アシルアスパラギン酸系界面活性剤と抗炎症剤からなる化粧料。 - 特許庁

Thus, a critical current value I_C and a resistance value R_N of the superconducting quantum interference element can be varied.例文帳に追加

これにより、超伝導量子干渉素子の臨界電流値Ｉ_Cや抵抗値Ｒ_Nを可変することができる。 - 特許庁

At a side of the n-GaN layer 12 on an interface of the AlN film 13 and the n-GaN layer 12, a two-dimensional (2D) electron gas layer 15 is formed.例文帳に追加

ＡｌＮ膜１３とｎ−ＧａＮ層１２との界面のｎ−ＧａＮ層１２側には、２次元電子ガス層１５が形成されている。 - 特許庁

An n^+ embedded impurity region 2 is formed on an interface between an n^- semiconductor layer 3 in a high-potential island region 101 and a p^- semiconductor substrate 1.例文帳に追加

高電位島領域１０１内のｎ^-半導体層３とｐ^-半導体基板１との界面にはｎ^+埋め込み不純物領域２が形成されている。 - 特許庁

To provide a cooperative analytical device that does not require information exchange with other calculation parts when analyzing the time step number (n) (n>1) of an electromagnetic field analysis.例文帳に追加

電磁界解析のタイムステップ数ｎ（ｎ＞１）の解析中に他の計算部との情報交換を必要としない連携解析装置を提供する。 - 特許庁

A control variable (n) is set at 1 (S2) to acquire a magnetic field measured value at the n-th location on the object to be measured (S3).例文帳に追加

制御変数ｎを１に設定し（Ｓ２）、被測定物上の第ｎ位置における磁界測定値を入手する（Ｓ３）。 - 特許庁