真空準位の英語

真空準位を基準として、（Ｉ）酸化チタン層２１２の接合面近傍領域のフェルミ準位が、酸化チタン層２１２の表面近傍領域のフェルミ準位よりも大きく、かつ、（II）導電体２１１のフェルミ準位が、酸化チタン層２１２の接合面近傍領域のフェルミ準位よりも大きい。例文帳に追加

On the basis of the vacuum level, (I) the Fermi level in the vicinity of the bonded face of the titanium dioxide layer 212 is greater than the Fermi level in the vicinity of the surface of the titanium dioxide layer 212, and (II) the Fermi level of the conductor 211 is greater than the Fermi level in the vicinity of the bonded face of the titanium dioxide layer 212. - 特許庁

電極金属−有機半導体界面における真空準位シフトΔを電極と有機半導体の構成元素の物理定数から一般的に導く手法を導く。例文帳に追加

The technique is introduced for generally obtaining the vacuum level shift Δ in an electrode metal-organic semiconductor interface from physical constants of the constituent elements of electrodes and an organic semiconductor. - 特許庁

これにより、基準となる３点の台座部（支持点）１３Ａ〜１３Ｃに対する台座部（測定点）１３Ｄの相対変位を測定することが可能となるので、真空チャンバ１０内における組み立て後の平面度管理を実現できる。例文帳に追加

Thereby, since the relative displacement of the base part (measurement point) 13D to the base parts (supporting point) 13A to 13C of three points as the standard can be measured, the flatness after the assembly in the vacuum chamber 10 can be controlled. - 特許庁

プラズマ処理方法は、１対の電極間に形成されている真空室内に有機機能層に接すべき電極材料層を置く配置工程と、該真空室内にプラズマプロセスガスを供給する供給工程と、該真空室において基準電圧に重畳された主交流電圧を該電極のうちの一方の電極にコンデンサを介して印加するとともに該電極のうち他方の電極を該基準電位に維持する電界設定工程と、を含む。例文帳に追加

This plasma treatment method comprises an arrangement process placing an electrode material layer to contact with an organic functional layer in a vacuum chamber formed between a pair of electrodes, a supply process supplying plasma process gas into the vacuum chamber, and an electric field setting process applying the main alternating voltage overlapped on the reference voltage to one of the electrodes in the vacuum chamber through a condenser and maintaining the other electrode at a reference potential. - 特許庁

ｎＭＯＳのゲート電極６の仕事関数ΦＭｎを、シリコンの電子親和力χsと、シリコンの真性フェルミ準位εｉとシリコンの真空準位とのエネルギー差Φｉとの間の値にする、すなわち、χs＜ΦＭｎ＜Φｉの関係が成り立つように設定する。例文帳に追加

A work function ΦMn of a gate electrode 6 of nMOS is made into value between electron affinity χs of silicon and an energy difference Φi of intrinsic Fermi level εi of silicon and the vacuum level of silicon, namely, set so as to establish the relation of χs<ΦMn<Φi. - 特許庁

酸化チタン層では、発色団層近傍領域ではアナターゼ型酸化チタンの存在比率がルチル型酸化チタンの存在比率よりも高く、且つ、導電体近傍領域ではルチル型酸化チタンの存在比率がアナターゼ型酸化チタンの存在比率よりも高く、且つ、真空準位を基準として、導電体近傍領域のフェルミ準位は発色団層近傍領域のフェルミ準位よりも大きい。例文帳に追加

In the titanium oxide layer, the ratio of the anatase-type titanium oxide present in the vicinity of the chromophore layer is greater than the ratio of the rutile-type titanium oxide present in the vicinity of the chromophore layer, and the ratio of the rutile-type titanium oxide present in the vicinity of the conductor is greater than the ratio of the anatase-type titanium oxide present in the vicinity of the conductor. - 特許庁

インジウム層２０ａを側壁１４の上面１４ａの架空の中心線１４ｂを基準にして外側にずれた位置に充填することで、前面基板の封着時に溶融したインジウムが真空外囲器の内側に流れることを防止する。例文帳に追加

By filling the indium layer 20a at a position shifted outside on the basis of a imaginary centerline 14b of the top face 14a of the sidewall 14, indium melting at the time of the sealing of the front face substrate is prevented from flowing into the vacuum envelope. - 特許庁

導電性電極と、前記導電性電極と接する有機半導体層とを含む有機半導体素子であって、前記導電性電極と前記有機半導体層との接合界面における真空準位シフトが、前記接合界面への光照射により調整された、有機半導体素子。例文帳に追加

The organic semiconductor device includes a conductive electrode and an organic semiconductor layer contacting with the conductive electrode; and a vacuum level shift at a bonding interface between the conductive electrode and the organic semiconductor layer is adjusted by irradiating the bonding interface with light. - 特許庁