禁制バンドの英語

ｎ型半導体層とｐ型半導体層との間に、両者のエネルギバンドがフラットになるフラットバンド電圧を印加した状態で、ｎ型半導体層の禁制帯とｐ型半導体層の禁制帯とが部分的に重なる。例文帳に追加

While a flat band voltage for flattening both energy bands is applied between the n-type semiconductor layer and p-type semiconductor, the forbidden band of the n-type semiconductor layer and forbidden band of the p-type semiconductor layer are partially overlapped. - 特許庁

限定的再利用のために、各セル(或は各セクタ)は（１）セル内の利用者に分配されることが出来る使用可能なサブバンドの集合、及び、（２）利用されない禁制サブバンドの集合、を割り当てられる。例文帳に追加

For restrictive reuse, each cell (or each sector) is assigned (1) a set of usable subbands that may be allocated to users in the cell and (2) a set of forbidden subbands that is not used. - 特許庁

p型光吸収層の光入射側に、前記光吸収層よりも禁制帯幅の大きいn型半導体が積層したヘテロ接合型のpn接合の形成により、前記光吸収層は禁制帯中に局在準位または中間バンドをもつ太陽電池構造とする。例文帳に追加

A photovoltaic cell structure, wherein a p-type light absorption layer has a localized level or an intermediate band in the forbidden band is obtained, by forming a p-n heterojunction that is laminated of an n-type semiconductor, having the forbidden band width larger than that of the light-absorbing layer on the light-incident side thereof. - 特許庁

もし利用者ｕが隣接セルｙからの／に対する高レベルの干渉を観測する／引き起こすならば、その時、利用者ｕは、セルｘに対する該使用可能な集合及びセルｙに対する該禁制集合、双方に含まれるサブバンドを含有する“限定的”集合からサブバンドを分配されることが出来る。例文帳に追加

If a user (u) observes/causes high level of interference from/to a neighboring cell (y), then the user (u) may be allocated subbands from a "restricted" set containing subbands included in both the usable set for a cell (x) and the forbidden set for a cell (y). - 特許庁

禁制帯中に局在準位または中間バンドをもつ半導体を光吸収層とする変換効率の高い太陽電池、及び、その製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a photovoltaic cell comprising a semiconductor, having a localized level or an intermediate band in the forbidden band as a light-absorbing layer, and to provide its production method. - 特許庁

トランジスタを形成するための半導体材料としてシリコン半導体よりも禁制帯幅（バンドギャップ）の広い半導体材料を用い、好ましくは、かかる半導体材料のキャリア供与体となる不純物の濃度を低減することでオフ電流の低減を図る。例文帳に追加

A semiconductor material whose band gap is larger than that of a silicon semiconductor is used for a semiconductor material for forming the transistor, and preferably, the concentration of an impurity which serves as a carrier donor of the semiconductor material is reduced, thereby reducing the off-current. - 特許庁