立方格子型の英語

基材５同士をろう付けするためのろう材において、低融点化すべく２種以上の金属を複合させてなると共に、そのろう付け後の組織が面心立方型格子（Ｆｃｃ）からなる相又は面心立方型格子及び金属間化合物からなる相となるように構成する。例文帳に追加

The brazing filler metal for brazing base materials 5 to each other is formed by composing ≥2 kinds of metals in order to lower the melting point and is so constituted that the structure after brazing thereof attains a phase consisting of a face centered cubic lattice (Fcc) or a phase consisting of the face centered cubic lattice and an intermetallic compound. - 特許庁

磁気抵抗効果素子１５に対してオーバーラップ状態で電極リード層１３を形成するに、電極リード層１３の下地層１２として六方格子型の結晶構造で（１００）配向面をもつルテニウムで成膜し、そのルテニウムの下地層１２の上に体心立方格子型の構造を持った低抵抗なタンタルをエピタキシャル成長をもって積層してタンタル導電層１１となす。例文帳に追加

A base layer 12 of the lead layer 13 is formed of ruthenium having the orientation plane (100) of a hexagonal crystal structure, and a low-resistance tantalum having a body-centered lattice structure is epitaxially grown on the ruthenium base layer 12 and laminated to form a tantalum conductive layer 11. - 特許庁

第１導電型（Ｐ型またはＮ型）の半導体層１１のチャネル領域１２上にゲート絶縁膜１３及びこのゲート絶縁膜１３上に窒化タンタル層１４１、体心立方格子相のタンタル層１４２、窒化タンタル層１４３の積層を含むゲート電極１４が構成されている。例文帳に追加

A gate insulation film 13 is formed on the channel region 12 of a first conductivity (P type or N type) semiconductor layer 11; and a gate electrode 14 including a multilayer of a tantalum nitride layer 141, a tantalum layer 142 of body-centered cubic lattice phase, and a tantalum nitride layer 143 is formed on the gate insulation film 13. - 特許庁

金型は、非晶質窒化ホウ素の良好な潤滑性により離型し易くなり、立方格子窒化ホウ素粒子の極高の硬度により成形面の機械強度が増加し、また、該超硬被膜は金型ベースの金属元素の拡散を防止することができる。例文帳に追加

The die becomes more easily releasable caused by a good lubricity of the amorphous boron nitride, is enhanced in mechanical strength of the shaping face caused by an extremely high hardness of the cubic lattice boron nitride particle, and the ultra-hard coating film can inhibit diffusion of the metal element of the die base. - 特許庁

金型１０は、非晶質炭窒化ホウ素１６の良好な潤滑性により離型を容易とすることができると共に、非晶質炭窒化ホウ素２６よりも更に高硬度な立方格子窒化ホウ素粒子１７及びダイヤモンド粒子１８により成形面の機械強度が向上する。例文帳に追加

The mold 10 can be easily released because of the good lubricity of the amorphous boron carbonitride 16, and has the forming face with the improved mechanical strength due to the cubic lattice boron nitride particles 17 harder than amorphous boron carbonitride 26 and the diamond particles 18. - 特許庁

多数回の繰り返しに対して劣化がなく、さらに記録感度と保存特性の向上を図るとともに初期結晶化においても、容易に初期化ができるＳｂとＴｅを主成分とした立方面心格子型のＮａＣｌ構造を持つ記録材料を提供すること。例文帳に追加

To provide a recording material, which is mainly made of Sb and Te and has a face-centered cubic lattice type NaCl structure, does not deteriorate even through the repetition of a large number of times and with which the improvement of a recording sensitivity and preserving characteristics is contrived and, the easy initialization of which can be realized in an initial crystallization. - 特許庁

第１導電型（Ｐ型またはＮ型）の半導体層１１のチャネル領域１２上にゲート絶縁膜１３及びこのゲート絶縁膜１３上に金属部材、窒化タンタル層１４１、体心立方格子相のタンタル層１４２、窒化タンタル層１４３の積層を含むゲート電極１４が構成されている。例文帳に追加

The gate insulation film 13 is formed on the channel region 12 of a first conductivity (P type or N type) semiconductor layer 11; and a gate electrode 14 including a multilayer of a metallic member, a tantalum nitride layer 141, a tantalum layer 142 of body-centered cubic lattice phase, and a tantalum nitride layer 143 is provided on the gate insulation film 13. - 特許庁