第17族元素の英語

シリコン基板１の表面１ｆ近傍にドープされた周期律表第３Ｂ族元素の濃度は１０^17ｃｍ^-3以上１０^20ｃｍ^-3以下である。例文帳に追加

The group IIIB element doped in the vicinity of the surface 1f of the silicon substrate 1 has concentration in the range of 10^17 cm^-3-10^20 cm^-3. - 特許庁

磁性体部３０ｂと蓋体１７とには、最表面に白金族元素であるＲｈ、Ｒｕ、Ｉｒのうちのいずれか１種類の金属が露出し磁性体部３０ｂと蓋体１７との接触を防止する第１の保護膜５１と第２の保護膜５２とが形成されている。例文帳に追加

On the magnetic material part 30b and the cover 17, a first protecting film 51 and a second protecting film 52 are formed, respectively, to prevent contact between the magnetic material part 30b and the cover 17 due to the exposure of one type of metal such as a platinum-based element Rh, Ru or Ir to each of the uppermost surfaces thereof. - 特許庁

基板１１と第１の導電層１３との間、第１の導電層１３と光吸収層１４との間、および光吸収層１４と第２の導電層１７との間から選ばれる少なくとも１つの層間に、Ｉａ族元素とＡｌとを含む化合物層２０を備える。例文帳に追加

The solar cell is also provided with a compound layer 20 containing a group Ia element and Al in at least one interlayer selected from among the interlayers between the substrate 11 and the first conductive layer 13, between the first conductive layer 13 and the light absorbing layer 14, and between the light absorbing layer 14 and the second conductive layer 17. - 特許庁