The UV curable coating composition includes a UV curable monomer, a cationic component, and a photopolymerization initiator, wherein the UV curable monomer is a mixture of N-hydroxyethyl acrylamide and acryloyl morpholine.例文帳に追加

紫外線硬化型モノマー、カチオン性成分、光重合開始剤を含有する紫外線硬化型コート組成物であって、紫外線硬化型モノマーがN−ヒドロキシエチルアクリルアミド及びアクリロイルモルホリンの混合である紫外線硬化型コート組成物。 - 特許庁

When light is made incident on the n-type SiC layer just below or at a periphery of the conductive oxide layer, the diode functions as an ultraviolet ray detection element.例文帳に追加

導電性酸化物層の直下又は周辺のn形SiC層に光が入射すると、前記ダイオードは紫外線検出素子として機能する。 - 特許庁

The ultraviolet sensor 1 has an n-type β-Ga_2O_3 single-crystal substrate 2 and detection electrodes 3a and 3b which detect a current or voltage excited by receiving ultraviolet rays by the n-type β-Ga_2O_3 single-crystal substrate 2.例文帳に追加

紫外線センサ１は、ｎ型β−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶基板２と、ｎ型β−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶基板２が紫外線を受光して励起された電流あるいは電圧を検出する検出電極３ａ，３ｂとを備えている。 - 特許庁

To provide an optical chopper capable of acquiring a high S/N ratio even to an electric noise by suppressing high-order light, stray light or the like even in a short wavelength band such as a far ultraviolet region or a vacuum ultraviolet region, and a spectroscopic device with the same.例文帳に追加

遠紫外域や真空紫外域のような短波長帯においても高次光や迷光等を抑制し、電気的なノイズに対しても大きなS/N比を得ることができる光チョッパ及びそれを備えた分光装置を提供する。 - 特許庁

In a blue-violet semiconductor laser element 1; p-electrodes 12 are formed on an upper face, and an n-electrode 15 is formed on a lower face.例文帳に追加

青紫色半導体レーザ素子１において、上面にはｐ電極１２が形成され、下面にはｎ電極１５が形成されている。 - 特許庁

The ultraviolet sensor 1 includes a laminate 4 containing a ZnO layer 2 as an n-type semiconductor and a (Ni, Zn)O layer 3 as a p-type semiconductor.例文帳に追加

紫外線センサ１は、ｎ型半導体としてのＺｎＯ層２とｐ型半導体としての（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層３とを含む、積層体４を備える。 - 特許庁

An insulating layer 32 is provided on a pad electrode 10b on the n side of the bluish violet semiconductor laser element 10.例文帳に追加

青紫色半導体レーザ素子１０のｎ側パッド電極１０ｂ上に絶縁層３２が設けられている。 - 特許庁

A group of layers from the n-type contact layer 104 to the p-type contact layer 108 compose a UV-ray emission portion.例文帳に追加

ｎ型コンタクト層１０４からｐ型コンタクト層１０８までの層が紫外線発光部を構成している。 - 特許庁

Thereafter, the wafer is irradiated with an ultraviolet ray to cut molecular bonds of Si-N and molecular bonds of Si-H in the coating film (step S3).例文帳に追加

その後、ウェハに紫外線を照射し、塗布膜中のＳｉ−Ｎの分子結合及びＳｉ−Ｈの分子結合を切断する（ステップＳ３）。 - 特許庁

A blue-violet semiconductor laser element 1 has a p-electrode 12 formed on its upper surface and an n-electrode 15 formed on its lower surface.例文帳に追加

青紫色半導体レーザ素子１において、上面にはｐ電極１２が形成され、下面にはｎ電極１５が形成されている。 - 特許庁

Or, the self oscillation type blue/blue violet semiconductor laser or the high power blue/blue violet semiconductor laser containing the n-type clad layer, the active layer, and the p-type clad layer on the GaN substrate in which Si, O, Se, or Ge is doped comprises AlGaInN based compound, wherein a dopant concentration is not higher than 2×10^18 cm^-3.例文帳に追加

あるいは、Si、またはＯ、またはSe、またはGeをドーピングしたGaN基板上にn型クラッド層と活性層とp型クラッド層を含む自励発振型青／青紫色半導体レーザ又は高出力青／青紫色半導体レーザであって、ドーパント濃度が2×10^18cm^-3以下であり、AlGaInN系化合物から成る。 - 特許庁

The ultraviolet semiconductor light emitting element having a luminescent wavelength in an ultraviolet region of 200 to 300 nm includes a light emitting layer 4 between an n-type nitride semiconductor layer 3 and a p-type nitride semiconductor layer 5.例文帳に追加

２００ｎｍ〜３００ｎｍの紫外域に発光波長を有する紫外半導体発光素子であって、ｎ形窒化物半導体層３とｐ形窒化物半導体層５との間に発光層４を有する。 - 特許庁

The main component members are a near-ultraviolet ray luminance p-n junction ZnO semiconductor element, a liquid crystal spatial modulation element, and a phosphor substrate, with near-ultraviolet ray stimulated three primary color luminous excitation spatially modulated by a liquid crystal cell.例文帳に追加

近紫外線発光ｐ−ｎ接合ＺｎＯ半導体素子、液晶空間変調素子、蛍光体基板を主要構成部材とし、近紫外線励起３原色発光励起を液晶セルにより空間変調することを特徴とする。 - 特許庁

The ultraviolet absorbing resin composition comprises a solvent-type surface active agent represented by formula (1) (wherein X^1 is a sulfonate or a phosphate and n is 0-12) and an ultraviolet absorbing polymer prepared by polymerizing a composition containing a monomer selected from the group of ultraviolet absorbing monomers represented by formula (2).例文帳に追加

紫外線吸収性樹脂組成物は、式（１）［Ｘ^１はスルホン酸塩またはリン酸塩、ｎは０〜１２］で表される溶剤系の界面活性剤と、式（２）に代表される紫外線吸収性単量体の群から選ばれる組成物を重合した紫外線吸収性重合体とを含有する。 - 特許庁

The n-side pad electrode 10b of the bluish violet semiconductor laser element 10 and the n-side pad electrode 20b of the red semiconductor laser element 20 are electrically connected with each other.例文帳に追加

青紫色半導体レーザ素子１０のｎ側パッド電極１０ｂおよび赤色半導体レーザ素子２０のｎ側パッド電極２０ｂは電気的に接続されている。 - 特許庁

The present blue-violet semiconductor laser element 100 (nitride-based semiconductor light-emitting element) comprises an n-type GaN substrate 1 and an n-side electrode 22 including an ohmic electrode layer 30.例文帳に追加

この青紫色半導体レーザ素子１００（窒化物系半導体発光素子）は、ｎ型ＧａＮ基板１と、オーミック電極層３０を含むｎ側電極２２とを備える。 - 特許庁

The ultraviolet-curable inkjet ink further contains ≥80 wt.% monofunctional monomer, provided that the monofunctional monomer contains ≥70 wt.% monomer chosen from the group consisting of phenoxyethyl acrylate, isoboronyl acrylate and N-vinyl caprolactam.例文帳に追加

前記単官能モノマーは、フェノキシエチルアクリレート、イソボロニルアクリレート及びN-ビニルカプロラクタムからなる群から選択されるモノマーを70重量%以上含有する上記紫外線硬化型インクジェット用インキ。 - 特許庁

To provide a composition in which an N,N'-diarylmethylene ethylenediamine diacetic ester useful for preventing aging of skin with ultraviolet light is dissolved in a specific solvent, and the dissolution thereof is maintained over a long period of time.例文帳に追加

紫外線による皮膚の老化の防止に有用なＮ，Ｎ'−ジアリールメチレンエチレンジアミン二酢酸エステルを特定の溶媒に溶解し、その溶解が長期間にわたって維持される組成物を提供する。 - 特許庁

When making a p-n junction body by making the manganese oxide turned into this n-type and a p-type oxide semiconductor joint, the function of the battery action can be imparted for a visible beam, ultraviolet rays, and infrared rays.例文帳に追加

このｎ型化したマンガン酸化物とｐ型酸化物半導体と接合させて、ｐ−ｎ接合体をつくると、可視光線、紫外線および赤外線に対して、電池作用の機能を持つことができる。 - 特許庁

When, for example, the lamp 64(1) out of the plurality of ultraviolet lamps 64(1)-64(n) causes emission failure, the use of the lighting of the failed lamp 64(1) is stopped.例文帳に追加

上記複数個の紫外線ランプ６４(1)〜６４(n)のうちたとえばランプ６４(1)が発光不良になったときは、この異常ランプ６４(1)の点灯使用を止める。 - 特許庁

The deep UV source comprises: an Al_0.7Ga_0.3 N/AlN multiple quantum well layer 5 formed on an AlN layer 4; and an aluminum (Al) metal back layer 6 formed on the Al_0.7Ga_0.3 N/AlN multiple quantum well layer 5.例文帳に追加

深紫外光源は、AlN層４上に形成されたAl_0.7Ga_0.3N/AlN多重量子井戸層５、及びAl_0.7Ga_0.3N/AlN多重量子井戸層５上に形成されたアルミニウム（Al）メタルバック層６よりなる。 - 特許庁

The UV-curable inkjet black ink contains at least N-vinyl caprolactam and uses carbon black as a pigment, wherein the carbon black shows a pH of 5 to 10.例文帳に追加

少なくともN-ビニルカプロラクタムを含有し、カーボンブラックを顔料として用いるインクジェット用黒色インキにおいて、前記カーボンブラックのpHが5〜10であることを特徴とする紫外線硬化型インクジェット黒色インキ。 - 特許庁

To provide an organic-inorganic hybrid junction type photoelectric transducer of high sensitivity, which has signal gain G and has a visible-ultraviolet optical wave band having superior response and low dark current property such as a p-i-n or Schottky type.例文帳に追加

信号利得Ｇを有しかつ、p-ｉ-nやショットキー型のような優れた応答性と低い暗電流性を備えた可視−紫外光波帯の高感度の有機−無機ハイブリッド接合型光電変換素子を提供する。 - 特許庁

To provide a write once type optical information recording medium it manufacturing method, recording/reproducing method, and recording/ reproducing device providing a favorable recording/reproducing characteristic with high C/N ratio using a violet laser beam.例文帳に追加

青紫色のレーザー光を用いたC/N比の高い良好な記録再生特性が得られる追記型の光学的情報記録媒体とその製造方法、記録再生方法及び記録再生装置を提供する。 - 特許庁

To accurately detect an end point of plasma etching in a process of forming a pattern on an extreme ultraviolet absorption film, in a method of manufacturing a mask for extreme ultraviolet exposure including the process of forming a pattern on an extreme ultraviolet absorption film by performing plasma etching using a gas containing carbon (C) to the extreme ultraviolet absorption film using a substrate having the extreme ultraviolet absorption film formed of a material containing Ta and N.例文帳に追加

ＴａとＮを含有する材料からなる極端紫外線吸収膜を有する基板を用い、前記極端紫外線吸収膜に対して炭素（Ｃ）を含むガスを用いたプラズマエッチングを行うことにより、前記極端紫外線吸収膜にパターンを形成する工程を有する極端紫外線露光用マスクの製造方法において、前記工程でのプラズマエッチングの終点を高精度に検出する。 - 特許庁

The ultraviolet curable ink comprises a prepolymer and a monomer which have a radical polymerizable double bond, a photopolymerization initiator which generates a radical by ultraviolet rays, and spherical particles of a silicon based compound having a structure of (CH_3SiO_3/2)n.例文帳に追加

（１）ラジカル重合性の二重結合を有するプレポリマー及びモノマー、紫外線によりラジカルを生成する光重合開始剤、並びに（ＣＨ_３ＳｉＯ_３／２）ｎ構造を有するシリコン系化合物の球状粒子を含有することを特徴とする紫外線硬化型インキ。 - 特許庁

When the transparent conductive layer 14 is formed of n-type zinc oxide, it is harder to transmit ultraviolet rays than when formed of ITO, thereby making the semiconductor thin film 5 hard to absorb the ultraviolet rays which may cause deterioration.例文帳に追加

そして、透明導電層１４をｎ型酸化亜鉛によって形成した場合には、ＩＴＯによって形成した場合と比較して、紫外線を透過させにくく、ひいては半導体薄膜５が劣化の原因となる紫外線を吸収しにくいようにすることができる。 - 特許庁

The ink is obtained by adding n-hexane as a volatile organic solvent to a UV-curable ink comprising at least a pigment, an ultraviolet-curable resin to be cured by ultraviolet rays, and a photoinitiator, and has a viscosity (at room temperature 25°C) of 20 mPa sec or more and has a viscosity (at room temperature 25°C) of 3-18 mPa sec.例文帳に追加

少なくとも、顔料、紫外線により硬化する紫外線硬化樹脂および光重合開始剤からなり粘度が２０mPa・sec以上（室温２５℃）のＵＶ硬化型インクに、揮発性有機溶剤としてｎ-ヘキサンが添加され、３mPa・sec以上１８mPa・sec（室温２５℃）以下の粘度を有することを特徴とするインク。 - 特許庁

The compound having the 4, 4'-benzylidenebis(N, N-dimethylaniline) skeleton is cationized by ultraviolet irradiation, electrostatically compounded with a nucleic acid and is permeated through a cell membrane, however, loses electric charge with time in cells and releases the nucleic acid.例文帳に追加

４，４’−ベンジリデンビス（Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン）骨格を有する化合物は、紫外線照射によりカチオン化して核酸と静電的に複合化し細胞膜を透過するが細胞内では経時的に電荷を失って核酸を放出する。 - 特許庁

This method for decomposing the chelating agent into a readily biodegradable compound comprises irradiating at least one kind of compound selected from a compound such as (S,S)-ethylenediamine-N N'-disuccinic acid and a compound such as (S,S)-iminodisuccinic acid and its salt with ultraviolet light.例文帳に追加

（Ｓ，Ｓ）−エチレンジアミン−Ｎ，Ｎ’−ジコハク酸等の化合物及び（Ｓ，Ｓ）−イミノジコハク酸等の化合物及びその塩から選ばれる少なくとも１種の化合物に紫外線を照射することにより、生分解しやすい化合物に分解させる方法。 - 特許庁

or more, a ultraviolet-shielding ratio of 80% or more, tear strength of 7 N×7 N or more and burst strength of 3co KPA or more.例文帳に追加

メッシュホール部分３には、複数本の横断糸４を任意の方向に配置して、遮光性を高めるとともに、通気度が１００ｃｃ／平方センチメートル／ｓｅｃ以上、紫外線遮蔽率が８０％以上、引裂強力が７Ｎ×７Ｎ以上、破裂強力が３ｃｏＫＰＡ以上のメッシュ生地とする。 - 特許庁

In an optical information recording medium, N information layers (N: an integer of at least 2), which have the recording layer capable of recording information by the phase change of a crystal state and an amorphous state caused by the incidence of light.例文帳に追加

短波長領域でも高透過率を維持でき、３層以上の記録層を設けることが可能であり、オーバーライト特性が優れ、青紫色レーザーを用いた場合でも片面多層記録が可能な大容量の多層相変化型情報記録媒体及びその記録再生方法を提供する。 - 特許庁

A 2-alkoxy-4,6-dichloro-1,3,5-triazine or a 2-aryloxy-4,6-dichloro-1,3,5-triazine is subjected to dehydrochlorination condensation with N, N-dimethyl-1,4-phenylene diamine to synthesize a bis-type triazine-based ultraviolet absorber, of which the physical properties are investigated.例文帳に追加

同じく２−アルコキシ−４，６−ジクロロ−１，３，５−トリアジンあるいは２−アリ−ルオキシ−４，６−ジクロロ−１，３，５−トリアジンとＮ，Ｎ−ジメチル−１，４−フェニレンジアミンを脱塩酸縮合させてビス型のトリアジン系紫外線吸収剤を合成し、それらの物性について調べた。 - 特許庁

The stabilized ionomer resin composition comprises an ionomer resin, a compound represented by R_1-CO-NH-(CH_2)_n-HN-CO-R_1 (wherein, R_1 is a 5-21C alkyl group or a 5-21C alkenyl group; and n denotes 1-6), an ultraviolet light absorber and a hindered amine light stabilizer, respectively.例文帳に追加

Ｒ_１−ＣＯ−ＮＨ−（ＣＨ_２）_ｎ−ＨＮ−ＣＯ−Ｒ_１（式中、Ｒ１は炭素数５〜２１のアルキル基またはアルケニル基を表す。ｎは１〜６を表す）で表される化合物、紫外線吸収剤、ヒンダードアミン系光安定剤をそれぞれ含有することを特徴とする、安定剤組成物。 - 特許庁

An ultraviolet light 5 generated by rebinding electrons injected from the n-type transparent electrode layer 1 and holes injected from the p-type electrode layer 3 at the light emitting layer 2 is taken out from the optical device to the outside without being absorbed by the n-type transparent electrode layer 1.例文帳に追加

ｎ型透明電極層１から注入された電子とｐ型電極層３から注入された正孔が発光層２で再結合して生成された紫外光５がｎ型透明電極層１で吸収されることなく、光デバイスの外部に取り出すことができる。 - 特許庁

A cellulosic raw material is oxidized with an oxidant in water in the presence of (1) an N-oxyl compound and (2) a bromide, an iodide, or a mixture thereof to prepare an oxidized cellulosic raw material, and the oxidized material is subjected to a treatment with ultraviolet light and then to a fibrillation/dispersion treatment.例文帳に追加

（１）N−オキシル化合物、及び（２）臭化物、ヨウ化物若しくはこれらの混合物の存在下で、酸化剤を用い水中にてセルロース系原料を酸化して酸化されたセルロース系原料を調製し、紫外線照射処理した後に解繊・分散処理する。 - 特許庁

By performing surface oxidization processing by ultraviolet-ray irradiation or the like to the entire upper surface of an ohmic contact layer 16 composed of n-type amorphous silicon, an oxidized film 17 is formed thin.例文帳に追加

ｎ型アモルファスシリコンからなるオーミックコンタクト層１６の上面全体に、紫外線照射等による表面酸化処理を行うことにより、酸化膜１７を薄く形成する。 - 特許庁

The photosensitive composition comprises a polymer material having a group having a structure expressed by general formula (1), wherein n represents an integer of ≥1, and a photoacid generating agent which generates an acid by UV rays or ionization radiation.例文帳に追加

本発明の感光性組成物は、下記一般式（１）で表される構造を有する基を具備する高分子材料と、紫外線または電離放射線により酸を発生する光酸発生剤とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

The insulating layer 32 is stacked on an n-side pad electrode 10b of the bluish violet semiconductor laser element 10, and a conductive layer 32a is formed on the insulating layer 32.例文帳に追加

青紫色半導体レーザ素子１０のｎ側パッド電極１０ｂ上に絶縁層３２が積層され、絶縁層３２上には導電層３２ａが形成されている。 - 特許庁

In polymerizing (a) a vinyl monomer having an alkyl (meth) acrylate as the major component by irradiation with ultraviolet rays, (b) a photopolymerization initiator containing nitrogen and, simultaneously, a number of conjugated electrons of 4n+2 (wherein (n) is a natural number) is used.例文帳に追加

（メタ）アクリル酸アルキルエステルを主成分とするビニル系モノマー（ａ）を紫外線照射によって重合する際、窒素を含有し、なおかつ共役系の電子数が４ｎ＋２（ｎは自然数）である光重合開始剤（ｂ）を用いる。 - 特許庁

For the resin coating of the optical fiber, the ultraviolet-ray curing resin is used which has a 650 to 700 N/mm^2 Young's modulus and 1 to 3.5 kgf/mm^2 bending rigidity.例文帳に追加

光ファイバの樹脂被覆層として、紫外線硬化型樹脂であって、かつそのヤング率が６５０N／ｍｍ^２〜７００N／ｍｍ^２の範囲、および曲げ剛性が１ｋｇｆ／ｍｍ^２〜３．５ｋｇｆ／ｍｍ^２の範囲のものを採用した構成である。 - 特許庁

This semiconductor ultraviolet sensor comprises: a P-type silicon substrate 1; a P-type impurity layer 2; an N-type impurity layer 3; a P-type impurity layer 4; and a metal wiring layer 5.例文帳に追加

半導体紫外線センサは、Ｐ型シリコン基板１と、Ｐ型不純物層２と、Ｎ型不純物層３と、Ｐ型不純物層４と、金属配線層５とを備えている。 - 特許庁

When being irradiated with an electron beam EB from an electron emission source 7, the Al_0.7Ga_0.3 N/AlN multiple quantum well layer 5 is excited, and deep UV light DUV is radiated from a light-extraction face F of a sapphire (0001) substrate 1.例文帳に追加

電子放出源７より電子線ＥＢが照射されると、Al_0.7Ga_0.3N/AlN多重量子井戸層５が励起されて深紫外光ＤＵＶがサファイア（0001）基板１の光取り出し面Ｆより放射される。 - 特許庁

A CPU 17 computes irradiation dose F[W] of ultraviolet rays through the use of voltages V_ini and V_end at the start of a measuring period and at the completion of the measuring period and a reset number (n).例文帳に追加

ＣＰＵ１７は、測定期間開始時及び測定期間終了時の電圧Ｖ＿ｉｎｉ、Ｖ＿ｅｎｄ、リセット回数ｎとを用いて、照射紫外線量Ｆ［Ｗ］を演算する。 - 特許庁