結晶核生成の英語

結晶核からの十分なラテラル成長を実現して大粒径の結晶化半導体膜を生成することのできる結晶化装置。例文帳に追加

To provide a crystallization apparatus which enables a crystal nucleus to grow laterally enough and is capable of forming a crystalline semiconductor film large in grain diameter. - 特許庁

結晶核からの十分なラテラル成長を実現して大粒径の結晶化半導体膜を生成することのできる結晶化方法。例文帳に追加

To provide a crystallization method by which a crystallized semiconductor film having large granular diameters is produced by achieving sufficient lateral growth from crystal nuclei. - 特許庁

所望の位置に結晶核を発生させることができるとともに、結晶核からの十分なラテラル成長を実現して大粒径の結晶化半導体膜を生成することのできる結晶化装置。例文帳に追加

To provide a crystallization apparatus which can form a crystal nucleus at a desired position and can realize sufficient lateral growth of the crystal nucleus to form a crystallized semiconductor film having a large grain size. - 特許庁

良質な微結晶半導体膜を形成することが可能な複数の結晶核を生成し、該複数の結晶核を成長させる微結晶半導体膜の作製方法を提供することを課題とする。例文帳に追加

To generate a plurality of crystal nuclei capable of forming a high-quality microcrystalline semiconductor film and to provide a method for fabricating a microcrystalline semiconductor film in which the plurality of crystal nuclei are grown. - 特許庁

ある程度所望の位置に結晶核を発生させることができるとともに、結晶核からの十分なラテラル成長を実現して大粒径の結晶化半導体膜を生成することのできる結晶化装置。例文帳に追加

To provide a crystallizing device which generates a crystalline nucleus at a desired position to some extent and realizes sufficient lateral growth from the crystalline nucleus to produce a crystallized semiconductor film having a large grain size. - 特許庁

所望の位置に結晶核を発生させることができるとともに、結晶核からの十分なラテラル成長を実現して大粒径の結晶化半導体膜を生成することのできる結晶化装置。例文帳に追加

To provide a crystallization device that can generate a crystalline nucleus at an optional position and permit sufficient lateral growth from the crystalline nucleus to produce a crystallized semiconductor film with a large particle size. - 特許庁

結晶成長の最終段階における熱拡散や潜熱放出の影響を抑えて、結晶核からの十分な結晶成長を実現して大粒径の結晶化半導体を生成することのできる結晶化装置。例文帳に追加

To provide a device for crystallization, which realizes sufficient crystal growth from a crystal nucleus to produce a crystallized semiconductor with a large particle diameter, while suppressing the influence of thermal diffusion or the release of latent heat, in the final stage of the crystal growth. - 特許庁

炭素基材上に炭化タンタル被覆膜を形成する炭化タンタル被覆炭素材料の製造方法であり、炭素基材の表面に炭化タンタル結晶核を形成する結晶核生成工程と、結晶核生成工程後に炭化タンタル結晶核を結晶成長させる結晶成長工程とを含む。例文帳に追加

A method for producing the carbon material coated with tantalum carbide is a method of forming the tantalum carbide coating film on a carbon substrate, and includes: a crystal nucleus forming step of forming a crystal nucleus of tantalum carbide on a surface of the carbon substrate; and a crystal growth step of growing the crystal nucleus of the tantalum carbide after the crystal nucleus forming step. - 特許庁