育磨の英語

このような多様な経験は、知恵や思いやりを育み、感性を磨くこととなり、労働者の創造的能力を高めていくことにも役立つものである。例文帳に追加

Workers with diverse experiences tend to have more wisdom and sensitivity, and more ability to empathize and greater creativity than those with fewer experiences of that sort. - 厚生労働省

鏡面研磨ウェーハまたはＳＯＩウェーハとして用いるためのＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥フリー結晶を生産性よく安定に育成できるシリコン単結晶の育成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for growing a silicon single crystal, by which a crystal free of grown-in defects is stably grown with good productivity, the crystal to be used as a mirror-polished wafer or an SOI wafer. - 特許庁

ダイヤ遊離砥粒研磨やエッチング手段等の特別な処理を必要とすることなく、良質な単結晶インゴットを育成可能なSiC単結晶育成用種結晶を低コストで製造する方法及びこの方法で得られたSiC単結晶育成用種結晶を提供する。例文帳に追加

To provide a method for inexpensively producing a seed crystal for growing a SiC single crystal, by which a high-quality single crystal ingot can be grown without requiring a special process such as polishing with diamond free abrasive grains or by an etching means, and to provide a seed crystal for growing a SiC single crystal obtained by the above method. - 特許庁

コロイダルシリカを研磨液とし、チョクラルスキー法で育成されたサファイアウェハー（基板）を鏡面研磨する研磨方法であって、上記コロイダルシリカにおけるシリカの含有量が３５〜５０重量％に調整されていることを特徴とする。例文帳に追加

The polishing method is to specular-polish the sapphire wafer (substrate) reared under a Czochralski method with colloidal silica as a polishing liquid and constitutes its characteristic feature that the content of silica in the colloidal silica is adjusted to be 35 to 50 wt.%. - 特許庁

育成されたＣＬＢＯ結晶塊を略最終形状になるようにカットして、これを研磨するＣＬＢＯ結晶の製造方法において、ＣＬＢＯ結晶をカットをした後、少なくとも研磨工程における最終研磨の前にアニール処理を施す。例文帳に追加

In a CLBO crystal manufacturing method for cutting a grown CLBO crystal block so as to form an approximately final shape and polishing the cut CLBO crystal, the cut CLBO crystal is annealed before at least final polishing in a polishing process. - 特許庁

ＣＭＰスラリー用材料を含む研磨用流体を研磨装置に供給するための装置において、研磨用流体の冷却、マイクロ波照射による加熱、細胞障害性の電磁波及び／または音波の照射、必須生育要素の除去、などによる研磨用流体中の微生物の汚染を防止する手段を備える。例文帳に追加

An apparatus for supplying a liquid for polishing containing a material for CMP slurry to a polishing apparatus comprises a means for preventing the contamination of the liquid for polishing by microbes by cooling the liquid, heating the liquid by irradiation of microwaves, irradiation of cytotoxic electromagnetic waves and/or sound waves, removal of essential growth elements, or the like. - 特許庁

この研磨方法によれば、シリカの含有量が３５〜５０重量％に調整されたコロイダルシリカを研磨液として適用するため、チョクラルスキー法で育成された結晶から得られたサファイアウェハー表面にピットのない鏡面研磨が可能となり、この結果、上記サファイアウェハーを基板として用いることにより良好なエピタキシャル膜が得られる。例文帳に追加

The surface of the sapphire wafer is specular-polished which is acquired from crystal reared under the Czochralski method with no pit since the colloidal silica the content of the silica of which is adjusted to be 35 to 50 wt.% is applied as the polishing liquid under this polishing method, and consequently, a favorable epitaxial film is provided by using the sapphire wafer as a substrate. - 特許庁

2000年からは、心・技・体、教育的古典狂言推進準備研修練磨の会（TOPPA!）を茂山千三郎、茂山正邦、宗彦、茂、茂山童司と共に主催。例文帳に追加

Since 2000, he has been involved in the activities of Shin・Gi・Tai - Kyoikuteki Koten Kyogen Suishin Junbi Kenshu Renma no Kai (TOPPA!) (Spirit, Technique and Strength - A Group for Training and Practice for the Preparation of the Promotion of Educational Classic Kyogen) which he organized in that year together with Senzabro SHIGEYAMA, Masakuni SHIGEYAMA, Motohiko, Shigeru and Doji SHIGEYAMA.発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス